美國應用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流體化學氣相沉積)系統(tǒng)。這是首創(chuàng)的也是唯一的以高質量介電薄膜隔離20納米及以下存儲器和邏輯器件中的高密度晶體管的薄膜沉積技術。這些隔離區(qū)域可以形成深寬比大于30(是當今需求的5倍)和高度復雜的形貌。Eterna FCVD系統(tǒng)的獨特工藝能夠以致密且無碳的介電薄膜從底部填充所有這些區(qū)域，并且其成本僅是綜合旋轉方式的一半左右，后者需要更多的設備和很多額外的工藝步驟。
應用材料公司副總裁、電介質系統(tǒng)組件和化學機械拋光事業(yè)部總經理比爾.麥克林托克先生表示：“在先進芯片設計中要填充更小和更深結構的需求對于現(xiàn)有沉積技術形成了實質性的壁壘。應用材料公司今天通過推出全新的Eterna FCVD系統(tǒng)打破了這一壁壘，提供了突破性的技術，使得摩爾定律可以繼續(xù)取得進展。應用材料公司以Eterna FCVD系統(tǒng)延續(xù)了十年來在溝槽填充技術領域的領導地位，為客戶應對多個新芯片世代的挑戰(zhàn)提供了獨特、簡化和具有成本效益的解決方案。”
應用材料公司專有的Eterna FCVD工藝形成了一個可以自由流入任何形狀結構的液體狀薄膜，提供從底部向上的無空缺填充。Eterna FCVD系統(tǒng)已經被安裝在6個客戶的生產廠內，它們被整合在應用材料公司的基準Producer主機平臺上，用于DRAM、閃存和邏輯芯片的應用。
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