2010年，半導體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。
2010年1月，SEMI公布了關于銅引線鍵合的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查結(jié)果顯示，有41%的半導體廠商使用銅引線鍵合。封裝技術相關展會“NEPCON JAPAN 2010”，也指出了以銅引線鍵合為首的低成本封裝技術的重要性。
走在此類低成本封裝技術前列的，是日本國外的后工藝專業(yè)廠商。例如，在銅引線鍵合的購買比例中，臺灣占到全球的39%，菲律賓占到全球的18%，日本僅占3%。先行者——臺灣日月光集團(ASE Group)表示，“采用銅引線鍵合的封裝供貨量截至2010年9月累計達到了10億個，實現(xiàn)了不亞于金線的質(zhì)量”。另外，臺灣日月光集團預計2010年底的累計供貨量將達到20億個，年底之前將購買4000臺銅引線鍵合裝置。
日本也在推進銅引線鍵合的開發(fā)工作。例如，富士通半導體已經(jīng)開始量產(chǎn)銅線產(chǎn)品，今后還準備擴大生產(chǎn)規(guī)模。不過，難以實現(xiàn)如同金線產(chǎn)品那樣的穩(wěn)定生產(chǎn)，因此富士通半導體表示“估計銅線產(chǎn)品的比例在2012年也只有幾十個百分比的水平”。
TSV及三維技術也取得進展
另外，關于采用TSV的三維積層等前瞻技術，其技術開發(fā)工作也正在穩(wěn)步推進中。例如，爾必達存儲器為了量產(chǎn)采用TSV的新一代DRAM，正加速進行技術開發(fā)(參閱本站報道3)。爾必達存儲器有兩大目的。一個是通過積層多個DRAM內(nèi)核來實現(xiàn)“超大容量DRAM”，另一個是實現(xiàn)以高帶寬連接邏輯LSI和DRAM的“超寬I/O”。
關于后者，爾必達存儲器已宣布將與臺灣力成科技(Powertech Technology，PTI)和臺灣聯(lián)華電子(United Microelectronics，UMC)合作(參閱本站報道4)。此外，TSV開發(fā)方面的相關合作動向也引人注目，例如住友精密和法國CEA-Leti將就新一代TSV的技術開發(fā)合作等。
使用無線方式而非TSV連接積層間芯片的技術也廣受關注。日本慶應義塾大學教授黑田忠廣等人的研究小組，開發(fā)出了可以三維積層129個半導體芯片的磁場耦合技術。將該項技術用于內(nèi)存卡的研究也正在進行之中。
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