韓國三星電子(Samsung Electronics)開發(fā)出了使用單晶硅TFT的2.4英寸QVGA主動(dòng)矩陣型有機(jī)EL面板,并在“SID 2007”上發(fā)表了制造技術(shù)的詳細(xì)情況。提高主動(dòng)矩陣型有機(jī)EL面板的亮度需要加大發(fā)光材料中通過的電流。為此,需要采用提高TFT所用半導(dǎo)體層的結(jié)晶性以及TFT載流子遷移率的技術(shù)。此前,使用低溫多晶硅的情況較多,而使用單晶硅尚無先例。
三星開發(fā)的面板為240×320像素,亮度為350cd/m2,對(duì)比度為1萬比1。像素間隔為51μm×153μm,像素電路由2個(gè)TFT和1個(gè)電容器組成。TFT的載流子遷移率為p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs,與其它有機(jī)EL用TFT相比,非常高。目前,該公司還在利用此次開發(fā)的制造方法試制1.9英寸TFT液晶面板。
在此之前,單晶硅TFT的使用尚無先例,其原因是單晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困難。在此次開發(fā)中,三星使用了美國康寧(Corning)開發(fā)的向玻璃底板轉(zhuǎn)印單晶硅的技術(shù)“SiOG”。該技術(shù)首先要向單晶硅晶圓表面之下較淺的部位注入氫離子。然后把晶圓粘貼到康寧制造的“EAGLE”玻璃底板上,在從粘貼后的底板的內(nèi)外兩側(cè)施加電壓的同時(shí)進(jìn)行熱處理。這樣,在氫離子轉(zhuǎn)變?yōu)闅浞肿拥耐瑫r(shí),進(jìn)行了離子注入的部分的結(jié)晶會(huì)受到損傷,取下晶圓時(shí),單晶硅膜能夠殘留在晶圓表面。三星表示,“用粘貼方式制造的TFT粘著性良好,可靠性方面也無需擔(dān)心”。另外,此次的方法還可用于大型面板用底板,應(yīng)用范圍最少可涵蓋至第4代底板。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,目前三星正在研發(fā)一種智能戒指,佩戴后可以監(jiān)測使用者的活動(dòng)健康數(shù)據(jù),因?yàn)檩p便續(xù)航高且可長時(shí)間佩戴等優(yōu)點(diǎn),不少業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為其會(huì)取代智能手環(huán)和手表。
關(guān)鍵字: 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴,其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。
關(guān)鍵字: 專利侵權(quán) 三星 臺(tái)積電 高通公司 337調(diào)查 USITC