德州儀器公司 (TI) 和Ramtron International Corporation 宣布：在 FRAM 技術(shù)發(fā)展中的創(chuàng)新里程碑，針對 FRAM 存儲器達成了商用制造協(xié)議。該協(xié)議許可 Ramtron 的 FRAM 存儲器產(chǎn)品在 TI 先進的 130 納米 (nm) FRAM 制造工藝中生產(chǎn)包括 Ramtron 的 4Mb FRAM 存儲器。Ramtron 和德州儀器自 2001年 8 月開始合作，當(dāng)時雙方簽訂定了 FRAM 的許可授權(quán)和開發(fā)協(xié)議。

    Ramtron 首席執(zhí)行長 Bill Staunton 稱：“這項制造協(xié)議標(biāo)志著高密度 FRAM產(chǎn)品的商業(yè)化發(fā)展向前邁進了一大步。Ramtron 將從德州儀器公認(rèn)及先進的130nm 工藝技術(shù)和先進的制造能力，和高密度的獨立 FRAM 存儲器中獲益。除了 4Mb 器件外，在 2007 年內(nèi)，我們還計劃使用德州儀器的產(chǎn)品線中提供至少一種以上的產(chǎn)品樣品?！?

    德州儀器 FRAM 開發(fā)總監(jiān) Ted Moise 博士說：“與 Ramtron 的協(xié)作及在德州儀器 130nm 工藝上 FRAM 技術(shù)的商業(yè)化發(fā)展，為高密度 FRAM 器件的生產(chǎn)奠下了新的標(biāo)準(zhǔn)。通過在標(biāo)準(zhǔn)的 130nm 制造工藝中直接增加制造項目，我們可以達到成本、功耗及性能方面的特性，而這些特性對于其它嵌入式非易失性存儲器技術(shù)來說卻很難實現(xiàn)。”

   為了創(chuàng)建嵌入式 FRAM 模塊，德州儀器在其標(biāo)準(zhǔn)的 130nm 銅互連工藝中添加了僅僅兩個額外的掩模步驟。通過轉(zhuǎn)向 130nm 工藝，兩家公司將使用目前最小的商用 FRAM 單元 (僅 0.71um²)，提供 Ramtron 的 4Mb FRAM 存儲器，并且獲得較 SRAM 單元更高的存儲密度。為了實現(xiàn)這種單元尺寸，該工藝使用了創(chuàng)新的 COP (capacitor-over-plug) 工藝，將非易失性電容直接堆放在 W 型插入晶體管觸點之上。

    FRAM 存儲器將易失性 DRAM 的快速存取和低功耗特點與不需要電能保存數(shù)據(jù)的能力結(jié)合起來。EEPROM 和閃存等其它非易失性存儲器由于必需以多個掩模步驟、更長的寫入時間及更多的功耗來寫入數(shù)據(jù)，因此對于嵌入式應(yīng)用不太合適。此外，F(xiàn)RAM 的小單元尺寸和增加最少的掩模步驟特點，使到面向嵌入式應(yīng)用的 FRAM 可以低于 SRAM 的成本生產(chǎn)。FRAM 所消耗的功率亦較 MRAM 低很多，并且已在要求嚴(yán)格的汽車、測量、工業(yè)及計算等應(yīng)用中實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。