以DRAM和Flash為代表的存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng)下新低，價(jià)格壓力充斥著整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對(duì)于NAND閃存等存儲(chǔ)器的需求正在升溫。呈井噴之勢(shì)的預(yù)測(cè)數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)即將出現(xiàn)。某些預(yù)測(cè)顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長(zhǎng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節(jié)。

大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存

低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(zhǎng)，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(Toshiba)為例，該公司目前已經(jīng)無(wú)法滿足客戶對(duì)NAND閃存的需求，據(jù)稱斷貨會(huì)一直持續(xù)到12月份。對(duì)于未來(lái)，東芝預(yù)計(jì)NAND閃存比特增長(zhǎng)率將在2008年和2009年分別出現(xiàn)120%和115%的跨越式增長(zhǎng)。盡管對(duì)銷售價(jià)格的下滑趨勢(shì)十分擔(dān)憂，該公司仍計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)充產(chǎn)能以滿足高漲的需求。此外，來(lái)自韓國(guó)的芯片制造商們也正在將其部分DRAM產(chǎn)能調(diào)撥至NAND閃存。

三星跟往年一樣在去年年中的時(shí)候增加了支出預(yù)算，將其去年年初69億美元的資本支出計(jì)劃(包括Austin)增至83.5億美元的高位。臺(tái)灣華邦電子雖不如三星那么大手筆，但也將其資本支出從2.45億美元翻番至5.87億美元。

存儲(chǔ)器廠商推波助瀾

除了三星，還有更多的存儲(chǔ)器廠商不斷地在這一市場(chǎng)煽風(fēng)點(diǎn)火。力晶和爾必達(dá)合資成立的DRAM廠商瑞晶電子(Rexchip)正在將其大量開出的產(chǎn)能推向市場(chǎng)，類似的還有Toshiba與SanDisk聯(lián)合成立Flash Alliance。瑞晶去年首座300mm晶圓廠投產(chǎn)，月產(chǎn)能為70,000片晶圓。這還只是該公司四座規(guī)劃中的晶圓廠之一，第二座晶圓廠已經(jīng)于去年7月動(dòng)工興建，預(yù)計(jì)將于2008年下半年投產(chǎn)。奇夢(mèng)達(dá)則在去年年底開始動(dòng)工建設(shè)其月產(chǎn)能為60,000片晶圓的新加坡300mm晶圓廠。

巨型晶圓廠的加速

Flash Alliance極有可能將加速其百萬(wàn)級(jí)晶圓廠，或被稱為“巨型晶圓廠(Monster Fab)”的Fab 4(全球最大的晶圓廠，最大產(chǎn)能每月210,000片)的擴(kuò)產(chǎn)，并且將有望在今年年中開始動(dòng)工建設(shè)Fab 5(月產(chǎn)能亦為210,000片)。與ST Microelectronics一道，海力士打算去年年底將雙方在中國(guó)無(wú)錫的300mm合資廠月產(chǎn)能擴(kuò)充至80,000片的最高水平。此外他們還將把位于韓國(guó)仁川(Icheon)的Fab M10改造成月產(chǎn)能110,000片的300mm晶圓廠。

供給過(guò)剩的擔(dān)憂

不少存儲(chǔ)器廠商正在通過(guò)建設(shè)規(guī)模更大的晶圓廠來(lái)推動(dòng)這一市場(chǎng)。事實(shí)上，很多廠商也對(duì)此顧慮重重，因?yàn)樗麄儞?dān)心此舉將進(jìn)一步加速平均銷售價(jià)格的下跌。在一個(gè)價(jià)格疲軟的環(huán)境下，即使市場(chǎng)份額能夠擴(kuò)大，廠商也難以真正高興起來(lái)。對(duì)于供給過(guò)剩的擔(dān)憂如今已浮出水面，iSuppli等公司最近都曾指出“供給過(guò)渡將存儲(chǔ)器市場(chǎng)推向深淵”。

隨著市場(chǎng)受到?jīng)_擊，各廠商紛紛以各種方式應(yīng)對(duì)，試圖使自身產(chǎn)出滿足預(yù)期的需求。有的公司不得不削減資本支出，只有少數(shù)公司能夠有足夠的底氣開出更大額的支票。

在2007年實(shí)現(xiàn)8%的年增長(zhǎng)率之后，2008年晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目方面的支出將出現(xiàn)停滯，甚至還有可能出現(xiàn)個(gè)位數(shù)的負(fù)增長(zhǎng)。晶圓廠設(shè)備采購(gòu)方面的支出則可能在經(jīng)歷2007年8%的年度增長(zhǎng)之后在2008年出現(xiàn)10%的負(fù)增長(zhǎng)。

許多公司開始通過(guò)削減支出、重組、加速提高生產(chǎn)效率等降低成本的努力來(lái)應(yīng)對(duì)趨緩的市場(chǎng)環(huán)境。有的開始進(jìn)行大規(guī)模裁員(如最近三星宣布裁員1,630人，Conexant打算裁員20%，美光也有裁員約10%的計(jì)劃)。部分廠商則尋求削減支出，如臺(tái)灣茂德近日即宣布2008年資本支出將由2007年的18億美元大幅削減至8億美元。奇夢(mèng)達(dá)最近也承認(rèn)2008財(cái)年資本支出水平將會(huì)低于2007財(cái)年。

代工廠削減資本支出

與此同時(shí)，我們預(yù)計(jì)四大晶圓代工廠商臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際和特許半導(dǎo)體均將削減其資本支出，維持或進(jìn)一步提升較高的產(chǎn)能利用率水平。臺(tái)積電、聯(lián)電和特許半導(dǎo)體總共可望將2008年資本支出減少10%以上。至于中芯國(guó)際晶圓廠的支出，包括其以代管模式經(jīng)營(yíng)的晶圓廠，則取決于該公司的合作伙伴以及融資情況。

盡管聯(lián)電將加大某些關(guān)鍵的、資本密集型設(shè)備上的投入，并通過(guò)重點(diǎn)將舊制程技術(shù)轉(zhuǎn)化為更先進(jìn)的制程技術(shù)而擴(kuò)充產(chǎn)能，聯(lián)電仍然宣布2008年資本支出將顯著減少。我們?nèi)云诖?lián)電將于2008年末開始為Fab 12B移入設(shè)備(Fab 12B目前正處于建設(shè)中)。今年，臺(tái)積電將完成Fab 14第二階段的產(chǎn)能擴(kuò)充，并將開始第三階段的擴(kuò)產(chǎn)。兩者預(yù)計(jì)均會(huì)帶來(lái)最多4萬(wàn)片至4.5萬(wàn)片的月產(chǎn)能。中芯國(guó)際和特許半導(dǎo)體則宣布將對(duì)未來(lái)短期內(nèi)資本支出進(jìn)行集約型管理。

產(chǎn)能預(yù)測(cè)

2007年全球晶圓廠產(chǎn)能增長(zhǎng)率接近20%，2008年還將進(jìn)一步新增11%。全球已投產(chǎn)總產(chǎn)能方面，存儲(chǔ)器產(chǎn)能增長(zhǎng)率將從2007年的38%增加至2008年41%。日本在2007年和2008年均擁有全球最大的已投產(chǎn)產(chǎn)能，折合成8寸晶圓分別為每月350萬(wàn)片晶圓和380萬(wàn)片晶圓以上。緊隨其后的是臺(tái)灣和韓國(guó)，月產(chǎn)能在2007年分別為250萬(wàn)片和260萬(wàn)片，在2008年則分別為280萬(wàn)片和270萬(wàn)片。美國(guó)作為第四大晶圓產(chǎn)出地區(qū)，2007年的月產(chǎn)能為240萬(wàn)片，2008年預(yù)計(jì)將達(dá)到270萬(wàn)片。

盡管我們的統(tǒng)計(jì)顯示2008年增長(zhǎng)有所放緩，這一趨勢(shì)仍有望出現(xiàn)變化。許多公司(并非所有公司)增速下降，或者緊縮開支以應(yīng)對(duì)下滑的市場(chǎng)。但是只要市場(chǎng)出現(xiàn)改善跡象，這一切便有可能很快改變。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷成熟意味著它能夠比以前更快地對(duì)市場(chǎng)變化做出反應(yīng)。