美光科技有限公司日前宣布,美光與太陽微系統(tǒng)公司(Sun Microsystems, Inc.,下稱Sun公司)合作開發(fā)了新的單層單元(SLC)企業(yè)級NAND技術(shù),能夠大幅延長企業(yè)級應(yīng)用的閃存存儲使用壽命。雙方通過合作,開發(fā)了可重復(fù)寫入次數(shù)達100萬次的量產(chǎn)型設(shè)備。這一里程碑將有助于行業(yè)為Sun、美光等公司創(chuàng)造的固態(tài)存儲的新用途做好準備。采用這項新技術(shù),可寫入/擦除次數(shù)能達到市場上現(xiàn)有NAND技術(shù)的最高水平。
美光公司存儲器事業(yè)部副總裁Brian Shirley說,“美光很高興能與Sun公司合作取得這一里程碑式的成績,這能使閃存擺脫過去標準單層單元和多層單元NAND在可寫入/擦除次數(shù)方面固有的種種限制,得以應(yīng)用于新的應(yīng)用產(chǎn)品。我們相信,這一技術(shù)將徹底改變企業(yè)存儲的格局,將廣泛應(yīng)用于固態(tài)驅(qū)動器與存儲系統(tǒng)、磁盤緩存以及網(wǎng)絡(luò)和工業(yè)應(yīng)用等各類事務(wù)密集型應(yīng)用。”
Sun公司閃存首席技術(shù)專家Michael Cornwell說,“隨著企業(yè)級固態(tài)驅(qū)動器閃存技術(shù)的市場不斷成熟,Sun公司等業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)將技術(shù)創(chuàng)新與下一代開源軟件相結(jié)合,推出基于閃存的存儲產(chǎn)品。這類產(chǎn)品的形式大為簡化,性能也有明顯突破,但成本僅為傳統(tǒng)的磁盤存儲系統(tǒng)的一小部分。作為閃存式存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),Sun公司與美光公司密切合作,設(shè)計出了這項里程碑式的新一代NAND技術(shù),讓客戶從現(xiàn)在開始就能利用下一代閃存技術(shù)?!?/P>
美光公司目前提供其企業(yè)級NAND閃存試用產(chǎn)品,存儲密度最高達32Gb。產(chǎn)品預(yù)計于2009年一季度投入量產(chǎn)。美光公司還準備明年初采用其業(yè)界一流的34nm NAND工藝,推出單層單元和多層單元這兩種形式的企業(yè)級NAND產(chǎn)品。
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