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SiC元件普及還需突破三大障礙

時間：2009-04-30 00:56:34

關鍵字：元件 SIC BSP 基板

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[導讀]SiC元件普及還需突破三大障礙 SiC元件價格下降的前景雖然看到，但要確保SiC元件普及，還需解決三大課題。即①進一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品質(zhì)；③開發(fā)可充分發(fā)揮SiC元件優(yōu)點的周邊技術(shù)。在①的元件

SiC元件普及還需突破三大障礙 SiC元件價格下降的前景雖然看到，但要確保SiC元件普及，還需解決三大課題。即①進一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品質(zhì)；③開發(fā)可充分發(fā)揮SiC元件優(yōu)點的周邊技術(shù)。

在①的元件性能方面，力爭加大二極管的輸出電流，以擴大應用領域。業(yè)界一直期待晶體管能夠盡快實現(xiàn)量產(chǎn)。為此，還需要在提高成品率的同時，推進對特性的改善。

在②的基板品質(zhì)方面，首先需要大幅降低制造成本?！耙隡OSFET能夠成為業(yè)務，底板的面積單價需降至目前的1/10左右”（富士電機電子技術(shù)）。要想降低基板的成本，就必須迅速擺脫對Cree的過度依賴。要實現(xiàn)這一目標，就需要有眾多的廠商能夠制造出品質(zhì)可與Cree相媲美的底板。此外，還必須大幅提高SiC元件的生產(chǎn)效率，使元件的價格下降。因此，業(yè)界熱切希望能夠推出6英寸底板。

周邊技術(shù)將成焦點在③的周邊技術(shù)的改善方面，需要提高耐熱性、通過周邊技術(shù)減少損失，以及確立新的降噪對策。要提高耐熱性，逆變器模塊的封裝材料以及焊錫、控制電路、電容器等就成為考慮的對象。Si元件在200℃高溫時會停止工作，因此以前的周邊部件只要具備200℃以下的耐熱性就足以滿足要求。但SiC元件在200℃以上的高溫下依然工作，因此周邊部分也要能夠承受200℃以上的高溫。需要通過周邊技術(shù)來減少損失是因為元件產(chǎn)生的損失將大幅減少。

“Si元件產(chǎn)生的損失在電源電路整體損失中的比例高達約60％。而如果是SiC元件的話，元件產(chǎn)生的損失就會大幅減少。因此，電路技術(shù)及封裝技術(shù)的改善就愈發(fā)重要”（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所功率半導體電子研究所所長奧村元）。今后，對這些周邊技術(shù)，“元件特性大幅改善，以前不能利用的布局及電路方式也有重新利用的可能性”。

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