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[導讀]泰克公司日前宣布,其下一代、可擴展、高性能示波器平臺將廣泛采用IBM 8HP硅鍺 (SiGe) 技術(shù),再次證明其致力于幫助全球工程師加速未來設(shè)計方案的調(diào)試與測試工作。130納米(nm)硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS)

泰克公司日前宣布,其下一代、可擴展、高性能示波器平臺將廣泛采用IBM 8HP硅鍺 (SiGe) 技術(shù),再次證明其致力于幫助全球工程師加速未來設(shè)計方案的調(diào)試與測試工作。130納米(nm)硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS) foundry工藝提供了兩倍于前代工藝技術(shù)的性能,能幫助推出實時帶寬超過30 GHz的示波器產(chǎn)品。

“泰克公司與IBM擁有長期的合作創(chuàng)新歷史,在我們的產(chǎn)品中采用SiGe技術(shù)使我們推出了一系列世界級的獲獎儀器,并幫助解決了一些最迫切的客戶挑戰(zhàn)”,泰克公司高性能示波器總經(jīng)理Brian Reich指出,“出色的SiGe技術(shù)性能,加上IBM穩(wěn)健可靠的SiGe制造實力,這將使我們的下一代示波器采集性能超過30 GHz,從而滿足計算/通信產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的客戶需求?!?/p>

1998年,IBM 成為首個面向主流制造領(lǐng)域推出硅鍺IC技術(shù)的公司。2000年,泰克公司宣布推出TDS7000系列實時示波器,這也是當時速度最快的商用示波器,采用的正是IBM的旗艦SiGe 5HP技術(shù)。目前,泰克公司繼續(xù)采用IBM業(yè)界領(lǐng)先的IC技術(shù),也就是其第四代SiGe 8HP技術(shù)。

SiGe半導體采用50年歷史芯片產(chǎn)業(yè)中可靠性較高的成熟制造工藝,其性能水平可與磷化銦(InP) 和砷化鎵 (GaAs) 等稀有材料技術(shù)相媲美。與其他技術(shù)不同的是,SiGe BiCMOS能在與標準CMOS相同的裸片上集成高速雙極晶體管,從而打造出具有超高性能與高集成度的電路系統(tǒng)。正是這種組合優(yōu)勢使得泰克公司10年來不斷推出特性豐富的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。

“近15年來,泰克公司同我們的工程師團隊密切合作,全面發(fā)揮SiGe技術(shù)的潛力”,IBM創(chuàng)新副總裁Bernie Meyerson指出,“SiGe技術(shù)能繼續(xù)提供新一代高性能測試儀器所需的性能。鑒于SiGe技術(shù)的優(yōu)勢,該技術(shù)顯然仍是各種高速測試應用的首選半導體技術(shù)?!?br />

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