[導讀]意法半導體（ST)推出一個高集成度的微型記憶卡接口芯片，新產品采用世界領先的IPAD™ (有源和無源器件集成)技術，內置可插拔SD（安全數(shù)字）記憶卡接口所需的五個基本功能，適用于帶有SD接口的手機、GPS導航設備、數(shù)碼相機等各種消費類和工業(yè)類產品。
意法半導體（ST)推出一個高集成度的微型記憶卡接口芯片，新產品采用世界領先的IPAD™ (有源和無源器件集成)技術，內置可插拔SD（安全數(shù)字）記憶卡接口所需的五個基本功能，適用于帶有SD接口的手機、GPS導航設備、數(shù)碼相機等各種消費類和工業(yè)類產品。新的倒裝片封的EMIF06-SD02F3記憶卡收發(fā)器集成了信號調節(jié)、雙向電平轉換、ESD（靜電放電）保護、EMI (電磁干擾)過濾單元和一個2.9V穩(wěn)壓器。
在一個單片內集成這些電路有助于提高系統(tǒng)的可靠性，同時比分立器件解決方案節(jié)省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3占用電路板面積不到7平方毫米，具有相同功能的分立器件解決方案需要大約30平方毫米，同時新產品還簡化了目標應用的產品設計和電路布局。
該芯片符合標準的和高速SD接口協(xié)議標準，以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標準。新產品的特性包括一個先進的ESD保護電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻，其中ESD保護電路用于保護外部的裸露的記憶卡插槽，EMI過濾電路用于防止射頻干擾數(shù)據(jù)線路，上拉和下拉電阻用于防止出現(xiàn)懸空的數(shù)據(jù)線路?？▊菶SD保護電路符合嚴格的IEC61000-4-2 的四級保護標準，即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz，在1GHz頻率下，衰減性能超過20dB。
此外，該芯片還提供六個高速雙向電平轉換器，它們的工作頻率50MHz，典型傳播延遲3ns，能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差確保數(shù)據(jù)的一致性，并針對低功耗應用優(yōu)化了驅動器，靜態(tài)斷態(tài)電路取得了1微安的好成績。
記憶卡的電源是由一個2.9V片上低壓降(LDO) CMOS穩(wěn)壓器提供的，輸出電流 200mA，輸入電壓范圍3.1V到5V。當200mA負載時，最大壓降100mV。新產品還提供一個關斷控制引腳，該引腳的導通時間很短，僅為30μs，這個特性有助于最大限度降低產品的功耗，延長電池使用時間。穩(wěn)壓器包括一個熱關斷、低壓鎖定和短路保護功能。
EMIF06-SD02F3采用一個24焊球的微型無鉛封裝，焊球間距400微米，新產品現(xiàn)已投入量產。訂購100萬只，單價1.10美元；訂購100萬到500萬只，單價0.95美元。
在一個單片內集成這些電路有助于提高系統(tǒng)的可靠性，同時比分立器件解決方案節(jié)省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3占用電路板面積不到7平方毫米，具有相同功能的分立器件解決方案需要大約30平方毫米，同時新產品還簡化了目標應用的產品設計和電路布局。
該芯片符合標準的和高速SD接口協(xié)議標準，以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標準。新產品的特性包括一個先進的ESD保護電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻，其中ESD保護電路用于保護外部的裸露的記憶卡插槽，EMI過濾電路用于防止射頻干擾數(shù)據(jù)線路，上拉和下拉電阻用于防止出現(xiàn)懸空的數(shù)據(jù)線路?？▊菶SD保護電路符合嚴格的IEC61000-4-2 的四級保護標準，即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz，在1GHz頻率下，衰減性能超過20dB。
此外，該芯片還提供六個高速雙向電平轉換器，它們的工作頻率50MHz，典型傳播延遲3ns，能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差確保數(shù)據(jù)的一致性，并針對低功耗應用優(yōu)化了驅動器，靜態(tài)斷態(tài)電路取得了1微安的好成績。
記憶卡的電源是由一個2.9V片上低壓降(LDO) CMOS穩(wěn)壓器提供的，輸出電流 200mA，輸入電壓范圍3.1V到5V。當200mA負載時，最大壓降100mV。新產品還提供一個關斷控制引腳，該引腳的導通時間很短，僅為30μs，這個特性有助于最大限度降低產品的功耗，延長電池使用時間。穩(wěn)壓器包括一個熱關斷、低壓鎖定和短路保護功能。
EMIF06-SD02F3采用一個24焊球的微型無鉛封裝，焊球間距400微米，新產品現(xiàn)已投入量產。訂購100萬只，單價1.10美元；訂購100萬到500萬只，單價0.95美元。
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