[導(dǎo)讀]Maxim 推出MAX8655業(yè)內(nèi)首款最小封裝(8mm x 8mm x 0.8mm (高) TQFN)的內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器。該器件提供高達25A的輸出電流。
Maxim 推出MAX8655業(yè)內(nèi)首款最小封裝(8mm x 8mm x 0.8mm (高) TQFN)的內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器。該器件提供高達25A的輸出電流。4.5V至25V寬輸入電壓范圍使器件適用于輸入電壓具有2:1變化范圍的內(nèi)部總線架構(gòu)(IBA)應(yīng)用。MAX8655實現(xiàn)了電源密度、輸出電流和尺寸的突破,可理想用于對尺寸、功率以及多功能性要求嚴格的任何應(yīng)用。
電源密度與電路板空間的難題
如今,在服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信等應(yīng)用中,復(fù)雜的電路板要求必須將更多種的電壓壓縮至更小的空間。增加電路板上的電源數(shù)量會相應(yīng)增加電源密度,更為復(fù)雜的是,盡管電源管理對設(shè)計的完整性至關(guān)重要,但其往往被安排為最后解決的問題。所以,設(shè)計者通常陷于所剩無幾的電路板空間,以及幾乎沒有時間重新設(shè)計的苦惱之中。
面對這種困境,設(shè)計者通常會轉(zhuǎn)而采用分立的電源管理方案。然而,分立方案也有其自身的問題:使用分立元件會使電路板尺寸變得很大;電路板引線電感也是一個常見問題,會產(chǎn)生EMI并干擾半導(dǎo)體器件,常常導(dǎo)致在確定最終設(shè)計前不得不進行二次甚至三次設(shè)計。
解決電源與尺寸的挑戰(zhàn)
在當(dāng)今耗電量大的應(yīng)用中,小尺寸的通用電源管理是至關(guān)重要的。Maxim最新的擁有專利的PowerMind™產(chǎn)品,包括新推出的MAX8655調(diào)節(jié)器不但解決了空間受限問題,還提供了更多的功能,并且使用簡便。
MAX8655雖然為微型TQFN封裝,但其控制性能沒有受到任何影響。片內(nèi)MOSFET通過精心的布局,消除了電路板寄生電感。MAX8655片內(nèi)集成MOSFET,不僅減小了尺寸,還極大地降低了EMI的產(chǎn)生,保證了設(shè)計的一次通過率。
開關(guān)頻率高達1.2MHz的峰值電流模式控制簡化了補償設(shè)計,允許使用各種類型的輸出電容;內(nèi)部具有前饋機制,可以獲得最佳的輸入電源調(diào)節(jié)率。精確的電流檢測功能同峰值電流模式控制架構(gòu)一起,允許器件采用多相方式并聯(lián),以此達到更高的輸出電流和更少的輸出濾波器元件。
MAX8655強大的可編程能力,使其具有極高的靈活性和通用性??删幊烫匦园ㄐ甭恃a償、OVP門限、短路保護、頻率、以及電流限制(閉鎖或具有自動重啟功能的折返電流過流保護)。同步輸入/輸出和熱保護等標準特性保證器件在所有情況下都可安全工作。
MAX8655優(yōu)勢總結(jié)
MAX8655調(diào)節(jié)器集先進的封裝技術(shù)、制造工藝、高頻特性、以及其它標準電源管理的所有功能于一體,是業(yè)內(nèi)的一個重要創(chuàng)新,完全免去了分立方案的需要。
當(dāng)分配給電源管理的空間固定且有限時,MAX8655的微型TQFN封裝可以很容易地滿足要求。由于消除了寄生電感并提供可參考的簡易布局,任何工程師都能將MAX8655安置到自己的電路板上,有助于提高產(chǎn)品的一次通過率。該器件可顯著地節(jié)省設(shè)計時間,尤其是重要的最終階段設(shè)計。
MAX8655可通用在服務(wù)器、電信和數(shù)據(jù)通信設(shè)備等高端應(yīng)用中,具有強大的功能。在小封裝和電源可靠性為關(guān)鍵因素的應(yīng)用中,MAX8655尤為適合。此類典型應(yīng)用包括尺寸要求嚴格的筆記本電腦和平板電視,還有一些重點需要寬輸入范圍的工業(yè)應(yīng)用。
Maxim新推出的PowerMind產(chǎn)品,如MAX8655,為電源管理提供了小且簡單的解決方案,使設(shè)計者可專注于其他部分的設(shè)計工作。評估板將于近期提供,MAX8655芯片起價為$3.78 (10,000片起,美國離岸價)。
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搶答系統(tǒng)的基本功能就是搶答雙方,誰先按下?lián)尨痖_關(guān),誰的答題指示燈就亮。主持人根據(jù)答題指示燈即可知道誰先按下了開關(guān)。
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開關(guān)
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
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MOSFET
數(shù)字開關(guān)
為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對柵極電容器進行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個過渡期。如果驅(qū)動器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會降低,因為功率瞬態(tài)的峰值會更短。一般來說,柵極驅(qū)動器執(zhí)行以下任務(wù)...
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柵極驅(qū)動器
MOSFET
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,可以使用仿真模型在多個設(shè)計維度之間進行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進行快速仿真,帶來更多的工程洞見。然而,與制造商精細的器件模型相比,這種簡易的器件模型無法在設(shè)計中提供與之相匹敵的可信度。本文...
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英飛凌
MOSFET
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流,當(dāng)勵磁關(guān)閉時,續(xù)流二極管負責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時,使輸...
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意法半導(dǎo)體
穩(wěn)壓器
MOSFET
續(xù)流二極管
2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨特的柵極負壓開啟機制,使其成為...
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MOSFET
柵極驅(qū)動
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長,尤其是在高功率時。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù),使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件,這個問題...
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電力電子
MOSFET
IGBT
作者:趙曉凱,IBM大中華區(qū)科技事業(yè)部可持續(xù)發(fā)展軟件業(yè)務(wù)總經(jīng)理 北京2022年8月24日 /美通社/ -- 近年來,在“工業(yè)4.0”和“智能制造”的大背景下,越來越多的企業(yè)...
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IBM
MAXIM
工業(yè)4.0
BSP
碳化硅 (SiC) 因其更高的開關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外,在過去五年中,汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗場。事實證明,通過 SiC 轉(zhuǎn)換器實現(xiàn) DC 到 A...
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碳化硅 (SiC)
MOSFET
工業(yè)電源應(yīng)用基于強大的電動機,可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機、縫紉機和冰箱中找到。三相電動機是最常見的電動機類型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動器驅(qū)動。它可以吸收一個行業(yè)高達 60% 的全部電力需求,因此對于驅(qū)動器提供高...
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Si
MOSFET
工業(yè)電源
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的,因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開...
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MOSFET
GaN
SiC
與低功率同類產(chǎn)品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產(chǎn)生大量熱量。因此,有效的熱管理對于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...
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MOSFET
IGBT
冷卻系統(tǒng)
今天的汽車配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置,使車輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外,傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動力轉(zhuǎn)向和自動變速箱)正在被電動等效系統(tǒng)取代,以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟性。
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預(yù)驅(qū)動器
MOSFET
電力設(shè)計是由市場需求驅(qū)動的,以提高效率和生產(chǎn)力,同時符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng),這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長期以來一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主...
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碳化硅
MOSFET
2022年3月24日,世強硬創(chuàng)平臺與成都方舟微電子有限公司(下稱“方舟微“)簽署合作協(xié)議,方舟微授權(quán)世強硬創(chuàng)平臺代理旗下耗盡型MOSFET、增強型MOSFET和保護器件等全線產(chǎn)品。
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世強
MOSFET
保護器件
在幾家造車新勢力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺電動汽車后,中國功率半導(dǎo)體上車進程開始進入白熱化,電車廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。
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世強
碳化硅
MOSFET
【2022 年 05 月 26 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出創(chuàng)新高電流、高熱效率且符合電動車 (EV) 產(chǎn)品應(yīng)用需求的功率封裝 PowerDI?8080-...
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Diodes
MOSFET
汽車應(yīng)用
在線性模式工作時,MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。
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意法半導(dǎo)體
MOSFET
漏極電流
2022 年 5 月 18日,中國 – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源 (SMPS)。
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意法半導(dǎo)體
MOSFET
數(shù)據(jù)中心