Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封裝,包含一對互補100V增強式MOSFET,性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路,應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。
Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出:“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件,有助減省電路板空間及元件數(shù)目,同時簡化柵極驅(qū)動電路設(shè)計。比方說,SO8充分發(fā)揮了節(jié)省空間的功能,其占位面積只有31 mm2,僅為兩個SOT223 MOSFET的30%?!?/p>
最新雙器件封裝內(nèi)的N與P通道MOSFET,可在10V柵極電壓 (VGS) 下實現(xiàn)極低的柵極電荷,典型導通電阻 (RDS(ON)) 分別為230mΩ 和235mΩ,確保開關(guān)及導通損耗保持在最低水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日,國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項目評審和論證,在開放計算標準工作委員會(OCTC)獲批立項。浪潮信息作為標準主要發(fā)起單位和撰寫單位,將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字: OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC