當(dāng)電路中的信號(hào)發(fā)生突變（特別是數(shù)字信號(hào)）時(shí)，信號(hào)經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)一個(gè)電噪聲。這個(gè)噪聲在一般環(huán)境下不會(huì)對(duì)外產(chǎn)生影響。但是在某些特殊情況下，該信號(hào)會(huì)對(duì)外產(chǎn)生較強(qiáng)的傳導(dǎo)干擾，進(jìn)而影響其他電路的正常工作

當(dāng)汽車(chē)進(jìn)行轉(zhuǎn)彎時(shí)，司機(jī)打開(kāi)轉(zhuǎn)向燈，尾燈會(huì)根據(jù)轉(zhuǎn)向依次被點(diǎn)亮，經(jīng)過(guò)一定的間隔后，再全部被消滅。最后不停地重復(fù)，直到司機(jī)關(guān)閉轉(zhuǎn)向燈。

硬件的學(xué)習(xí)之路很長(zhǎng)，但是會(huì)很有意思。同時(shí)記住一句話，在實(shí)驗(yàn)室里面弄硬件的，第一是保證不短路，第二是保證電容不要炸，同時(shí)保證別觸電就行，其他別慫。

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...

“快充”指的是網(wǎng)購(gòu)一族網(wǎng)上全國(guó)移動(dòng)、聯(lián)通、電信話費(fèi)、Q幣、各種游戲點(diǎn)卡等官方快速充值，商家都是用的自動(dòng)充值系統(tǒng)，直接對(duì)應(yīng)的淘寶的接口，只要是買(mǎi)家付了款，不管掌柜在不在線，軟件都會(huì)7*24小時(shí)為您所填的號(hào)碼進(jìn)行自動(dòng)充值，1...

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱(chēng)為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題...