在10月22日召開的2018年北京微電子國際研討會暨IC World大會上,北京市經濟技術開發(fā)區(qū)管委會副主任張繼紅介紹,2017年北京亦莊以集成電路為代表的電子信息產業(yè)實現(xiàn)產值723億元,增長了16.5%,已經初步形成集成電路設計、制造、關鍵設備生產、投融資等更完備的產業(yè)生態(tài)體系。
近日,中國電子科技集團有限公司所屬中電科電子裝備集團有限公司正式發(fā)布了“SEMICORE爍科”系列品牌,旨在整合公司在國家電子工藝裝備研發(fā)、制造及服務領域的技術能力,繼承軍工科研院所傳統(tǒng)優(yōu)勢資源,集中力量攻關集成電路制造裝備核心技術。
自從中國2014年設立規(guī)模220億美元的中國國家集成電路產業(yè)投資基金以來,大約有1300名臺灣工程師登“陸”成功。臺灣獵頭機構智理管顧的經理林裕軒(Lin Yu-Hsuan,音譯)稱,僅管大陸也挖角日韓工程師,但語言相通的臺灣工程師更有吸引力。
日前,長電科技公告宣布,其非公開發(fā)行新增股份已完成登記手續(xù),募集資金總額為36.19億元,發(fā)行后國家大基金成為第一大股東、中芯國際成為第二大股東。
2018 年的中國半導體產業(yè)發(fā)展被形容為在敵人的隆隆炮火下匍匐前進,雖低調卻始終有沉穩(wěn)且驚喜的突破,如近期中芯國際的 14 納米研發(fā)成功,以及長江存儲提出驚艷國際的 Xtacking 技術,好消息是接二連三,而即將接下第三棒喜迎“芯”事的半導體大廠,將是上海華力微電子。這也是中國芯片產業(yè) 1 年內在高階技術“連下三城”的重大進展。
中芯目前仍處于過渡時期,但整體運營狀況優(yōu)于預期。目前已經在14nm FinFET技術開發(fā)上獲得重大進展,第一代FinFET技術研發(fā)已進入客戶導入階段。28nm工藝方面,28nm HKC版本產量持續(xù)上升,良率達到業(yè)界水平.
8月10日消息,據(jù)香港媒體報道,中芯國際(SMIC)發(fā)表聲明,稱公司第二季度營收增長勢頭強勁,并在14納米FinFET技術開發(fā)上取得巨大進展。在中美貿易戰(zhàn)的當頭,中國大陸的芯片廠商傳出這樣的消息是讓國人為之振奮。
根據(jù)媒體報導,中國晶圓代工廠商中芯國際的天津廠,日前舉行了 P2 Full Flow 擴產計劃的首臺設備進駐儀式。而檢測設備大廠柯磊國際 (KLA-Tencor China) 的 RS200 型檢測設備,就是該次中芯國際天津廠的首臺進駐設備。
中國大陸存儲器業(yè)者的生產計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團,預定投產時間介于2018年下半年-2019年,主要產品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash,初期產能介于2-5萬片,未來最大產能可望上沖4-10萬片,中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。但是由于短期內國際購并案推行不易,技術、人才取得受阻,導致短期內中國大陸發(fā)展存儲器產業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。
近日,中國科學院大學微電子學院與中芯國際集成電路制造有限公司在產學研合作中取得新進展,成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷,幫助縮短顯影研發(fā)周期,節(jié)省研發(fā)成本,為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。該成果已在國際光刻領域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發(fā)表。
據(jù)多家媒體證實,長江存儲從荷蘭阿斯麥(ASML)公司訂購的一臺光刻機已抵達武漢。這臺光刻機價值價值7200萬美元,約合人民幣4.6億元。另據(jù)媒體報道,中芯國際在中興事件之后也向該公司下單了一臺光刻機,這臺名為EUV(極紫外線)光刻機更是身價不菲,價值1.2億美元,交貨日期尚不確定。
5月21日,臺灣“天下雜志”發(fā)文對大陸和臺灣的半導體制造企業(yè)進行探討。中芯是僅次于臺積電、格羅方德和聯(lián)電的全球第四大專業(yè)晶圓代工廠。但據(jù)數(shù)據(jù)公司IC Insights在2017年的統(tǒng)計,前兩名占據(jù)了全球70%的市場份額。中芯雖然排名第四,但市占率只有6%。
近日消息,中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經向荷蘭半導體設備制造商ASML訂購了一臺EUV設備,EUV是當前半導體產業(yè)中最先進也最昂貴的芯片制造設備,這臺設備價值1.2億美元,差不多花費了中芯一季度營收的14%。EUV對于
據(jù)知情人士透露,中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經訂購了一臺EUV設備,在中美兩國貿易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場領先者的技術差距,確保關鍵設備的供應。EUV是當前半導體產業(yè)中最先進也最昂貴的芯片制造設備。
中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,并藉此進入AI芯片領域。
近日消息,中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,并藉此進入AI芯片領域。梁孟松表示,28nm工藝在整個2018年將占據(jù)中芯國際出貨量的5-10%,
日前,中芯國際發(fā)布了今年一季度的財報。值得一提的是,公司的電源、圖像傳感器和閃存業(yè)務銷售額同比增長超過30%,去年下半年投產的28nm HKC也有了巨大的改善,提高了公司業(yè)內的競爭力。 展望2018年第二季度,預計中芯國際的營收將環(huán)比將上升7%至9%,28nm poly-sion和HKMG產能利用率將達到100%。
除了英特爾有些難產之外,臺積電、三星早就量產了10nm工藝,目前正在爭奪7nm工藝制高點,再加上Globalfoundries,這四強代表了半導體制造工藝的巔峰。
半導體代工制造商中芯國際今日發(fā)布公告稱,擬與國家集成電路基金、附屬中芯晶圓及聯(lián)力基金就成立及管理基金訂立合伙協(xié)議,投資于半導體及半導體相關產業(yè)的公司。
在過去幾年中,中國政府大力推動國內半導體產業(yè)的發(fā)展,實現(xiàn)更多芯片的國產化。據(jù)悉,除了涌現(xiàn)大量的半導體設計公司之外,中國大陸的芯片代工廠也正在擴大產能,并在巨頭的壓力下闖出一條發(fā)展道路。