臺積電
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亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復蘇推手 存儲器后段封測跟進
SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產(chǎn)業(yè)供應鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回
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富士通微電子與臺積電合作發(fā)展28納米工藝技術
日本富士通微電子株式會社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進的技術平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子
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臺積電28納米明年1Q試產(chǎn) 迎擊IBM陣營
臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡
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臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術藍圖
臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術藍圖，預計于2010年第三季進行試產(chǎn)(Risk Production)。臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術以來，技術的發(fā)展與進入量產(chǎn)的時
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臺積電28納米SRAM良率突破
臺積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的
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臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術藍圖 預計2010年第三季進行試產(chǎn)
臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術藍圖，預計于2010年第三季進行試產(chǎn)(Risk Production)。臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術以來，技術的發(fā)展與進入量產(chǎn)的時
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NVIDIA為何拋棄臺積電 另尋芯片制造商
國外的消息報道，Globalfoundries的Jensen表示，由于目前臺積電已經(jīng)擁有了200多家客戶廠商，因此NVIDIA很難在其中立足為中心客戶，而這樣的現(xiàn)象也存在于其他的晶圓生產(chǎn)廠商，包括Globalfoundies在內。
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NVIDIA拋棄臺積電 另尋芯片制造商開展最新研發(fā)
國外的消息報道，Globalfoundries的Jensen表示，由于目前臺積電已經(jīng)擁有了200多家客戶廠商，因此NVIDIA很難在其中立足為中心客戶，而這樣的現(xiàn)象也存在于其他的晶圓生產(chǎn)廠商，包括Globalfoundies在內。 不過目前來看
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探討代工的生存策略
自80年代未在臺灣地區(qū)首先提出代工概念，使得半導體業(yè)由單一的IDM分裂成fabless設計，制造及封裝與測試， 所謂四業(yè)分離,肯定是一種進步。加快了半導體產(chǎn)業(yè)的銷售額擴大，由1993年的770億美元，2000年的2040億美元及2
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Mentor擴展版流程出爐，助力客戶迎接更多設計挑戰(zhàn)
Mentor Graphics公司近日宣布，公司已對臺積電 Reference Flow 10.0中的工具和技術進行擴展。擴展的Mentor流程支持復雜的集成電路高級功能驗證、28nm 集成電路 netlist-to-GDSII實現(xiàn)、與無處不在的Calibre物理驗證和
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分析師：特許在45nm代工激戰(zhàn)中處境堪慮
Global Foundries瞄準45nm及以下制程的策略雖然到目前為止尚未對才剛剛展現(xiàn)復蘇的晶圓代工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生明顯沖擊，但隨著更多芯片設計開始導入先進制程，分析師點名特許半導體(Chartered)將受到來自Global Foundries與臺積
