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晶圓代工產能缺到年底歐債風暴應謹慎
2010年晶圓代工一直面臨產能吃緊問題，使得重復下單(Double-booking)或過度下單(Over- booking)問題不斷被市場討論。事實上，以2010年來看，全球晶圓代工產能都不夠，因此沒有供給過多問題，但因為歐債風暴尚未完全消
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下游調整庫存 晶圓代工客戶下單轉趨保守
近期PC市況不明，驅動IC廠亦對第3季展望保守，晶圓代工廠世界先進董事長章青駒指出，近期市場開始進行庫存整理，預估會持續(xù)1~2個月，最近已感受到客戶下單明顯轉趨保守，因此即便世界先進第3季產能利用率接近滿載，客
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下游調整庫存 晶圓代工客戶下單轉趨保守
近期PC市況不明，驅動IC廠亦對第3季展望保守，晶圓代工廠世界先進董事長章青駒指出，近期市場開始進行庫存整理，預估會持續(xù)1~2個月，最近已感受到客戶下單明顯轉趨保守，因此即便世界先進第3季產能利用率接近滿載，客
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世界上半年EPS 0.47元；Q3晶圓出貨季增7-9%
晶圓代工業(yè)者世界先進(5347)于今(16)日公布今年Q2財報，單季營收為42.34億元，年增23%、季增率18%，毛利率為22%，營業(yè)利益率為13%，稅后純益5.67億元，季成長1.57倍、年增2.79倍，稅后純益率則為13%，每股稅后盈余
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新型納米晶體管可直接探測細胞內部
據美國物理學家組織網、英國《自然》雜志網站8月12日報道，美國哈佛大學化學家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管，外膜覆有一層磷脂雙分子層，能非常容易地進入細胞內部進行檢測，而不會對細胞造成任何可見
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中芯國際第三季滿手訂單
晶圓代工廠中芯國際10日舉行法說會并公布第2季財報，在連續(xù)12季虧損后，中芯國際終于在第2季轉虧為盈，首席執(zhí)行長王寧國表示，第3季產能已經預訂一空，接單能見度到11月，受到產品組合改變，產品平均售價將會上升，預
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臺積兩岸擴產 將增資松江廠
圖／經濟日報提供臺積電昨（10）日證實，上海松江廠0.13微米制程升級案已向投審會送件，臺積電啟動兩岸擴產計劃，大陸先進制程布局鳴槍起跑，藉此穩(wěn)固兩岸晶圓代工龍頭寶座。 臺積電昨天舉行董事會，通過對上海松江
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臺積電加碼投資大陸70億
臺積電（2330-TW）昨（10）日董事會作出多項決議，其中核準在不超過2億2500萬美元（約臺幣70億元）額度內對臺積電（中國）增資。臺積電代理發(fā)言人曾晉皓表示，增資用途為擴充松江廠產能，并進一步提升制程至0.13微米
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機構預估臺積電上季稅后純益上看438億元
高進制程比重提高，以臺積電（2330）為主的上下游轉投資事業(yè)業(yè)績看漲，法人預估，臺積電上季稅后純益挑戰(zhàn)440億元，是四年半來新高；世界先進（5347）上季毛利上看21%，將創(chuàng)近一年新高；創(chuàng)意（3443）毛利率重返20
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Henkel公司推出Hysol FP5201非導電性絕緣膠 開啟銅互聯新技術
對傳統的金 — 金倒裝芯片工藝而言， Henkel公司的非導電性絕緣膠 (NCP) 解決方案長期以來一直占據著市場主流。目前，該公司再次推出其最新研發(fā)的新一代高I/O微間距NCP技術 — 其中也包括新銅柱(Cu Pillar)互聯在內。
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宏力推出0.13微米鋁制程
上海宏力半導體宣布推出低本高效的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號技術服務。宏力保釋，與0.18微米技術節(jié)點相比，0.13微米可以將芯片尺寸最多縮小50%并使其提供更快的速度，而宏力半導體的0.13微米鋁制程邏輯及混合信
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臺積電第二季度每天賺近5億
高進制程比重提高，以臺積電（2330）為主的上下游轉投資事業(yè)業(yè)績看漲，法人預估，臺積電上季稅后純益挑戰(zhàn)440億元，是四年半來新高；世界先進（5347）上季毛利上看21%，將創(chuàng)近一年新高；創(chuàng)意（3443）毛利率重返20
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X-FAB推出100V高電壓0.35微米晶圓制程
X-FAB于日前宣布，發(fā)表第一套100V高電壓0.35微米晶圓制程。 當運用在電池管理方面，可實現更上層樓的可靠性、高效能電池管理與保護系統，也最適合于電源管理應用與運用壓電驅動器的超音波影像處理和噴墨打印頭應用
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激光蝕刻技術于傳統的化學蝕刻技術的比較
激光蝕刻技術比傳統的化學蝕刻技術工藝簡單、可大幅度降低生產成本，可加工0.15～1微米寬的線，非常適合于超大規(guī)模集成電路的制造。激光微調技術可對電阻進行自動精密微調，精度可達0.01%～0.002%，比傳統加工方法的
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全球半導體產能全面剖析
所有數據的時間段在2007Q1至2010Q1，包括產能、實際產出及產能利用率，代工的產能單列。產能是按線寬尺寸及小于8英寸；200mm(8英寸)及300mm(12英寸)硅片計。最小為60納米以下，最大為0.7微米以上，中間分若干擋次。國
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全面解析今年一季全球半導體硅片產能
國際半導體數據統計機構SICAS近期的統計數據中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數據以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片計
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宏力半導體發(fā)布其0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)，發(fā)布其低本高效的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝。 與0.18微米技術節(jié)點相比，0.13微米可以將芯片尺寸最多縮小50%并使其提
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全面解析今年一季全球半導體硅片產能
國際半導體數據統計機構SICAS 近期的統計數據中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數據以5 英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片
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宏力發(fā)布0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝
上海宏力半導體制造有限公司(宏力半導體)近日發(fā)布其低本高效的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝。 與0.18微米技術節(jié)點相比，0.13微米可以將芯片尺寸最多縮小50%并使其提供更快的速度。宏力半導體的0.13微米鋁制
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宏力半導體發(fā)布0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)近日發(fā)布其低本高效的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝。與0.18微米技術節(jié)點相比，0.13微米可以將芯片尺寸最多縮小50%并使其提供更快的速度。宏力半導體的0.13微米鋁制程邏
