
聯(lián)電(2303-TW)今(24)日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電,外資未有調(diào)高目標(biāo)價的報告,而內(nèi)資法人出具的最新報告則從中立轉(zhuǎn)買進、喊出調(diào)高目標(biāo)價至18元,也是內(nèi)資近1年半來的最
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說,是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外,其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。目前全
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說,是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外,其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。目前全
由于臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在晶圓制造方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢,可與歐洲業(yè)者擅長的設(shè)備及材料研發(fā)能力互補,因此兩地業(yè)者已展開策略聯(lián)盟,并著手開發(fā)18寸晶圓制程及生產(chǎn)設(shè)備,期藉由共同分擔(dān)研發(fā)、建廠費用與風(fēng)險,加速推進下一個
周四,美國公共服務(wù)委員會批準(zhǔn)美國國家電網(wǎng)重建一條14英里長的高壓輸電線路的提議。線路位于紐約州薩拉托加北部和華盛頓西部。重建項目斥資3100萬美元(約合人民幣1.9億元),將升級兩條貫穿莫羅和格林威治之間的115千
由于臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在晶圓制造方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢,可與歐洲業(yè)者擅長的設(shè)備及材料研發(fā)能力互補,因此兩地業(yè)者已展開策略聯(lián)盟,并著手開發(fā)18寸晶圓制程及生產(chǎn)設(shè)備,期藉由共同分擔(dān)研發(fā)、建廠費用與風(fēng)險,加速推進下一個
周四,美國公共服務(wù)委員會批準(zhǔn)美國國家電網(wǎng)重建一條14英里長的高壓輸電線路的提議。線路位于紐約州薩拉托加北部和華盛頓西部。重建項目斥資3100萬美元(約合人民幣1.9億元),將升級兩條貫穿莫羅和格林威治之間的115千
近期各國陸續(xù)公布與太陽能政策,有些政策可望提升太陽能系統(tǒng)安裝量,而有些政策則大幅削減補助范圍和金額,深深影響未來全球太陽能市場發(fā)展。根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下綠能事業(yè)處EnergyTrend的觀察,近期公
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說,是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外,其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。
先進封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC,DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺設(shè)計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain
臺積電(2330)28納米制程產(chǎn)能大幅開出,明年持續(xù)擴增20納米制程產(chǎn)線,市場推估,明年再生晶圓單月需求將突破55萬片,上市再生晶圓雙雄中砂、辛耘雖加快擴產(chǎn)腳步,估計每月缺口仍達(dá)15萬片,商機看俏。中砂和辛耘是國
臺積電(2330)28納米制程產(chǎn)能大幅開出,明年持續(xù)擴增20納米制程產(chǎn)線,市場推估,明年再生晶圓單月需求將突破55萬片,上市再生晶圓雙雄中砂、辛耘雖加快擴產(chǎn)腳步,估計每月缺口仍達(dá)15萬片,商機看俏。 中砂和辛耘
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達(dá)55瓦,每
馬薩諸塞州比爾里卡及比利時魯汶 2013-09-11(中國商業(yè)電訊)--作為嚴(yán)苛的先進生產(chǎn)環(huán)境下的污染控制及材料處理技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者, Entegris, Inc. (納斯達(dá)克:ENTG) 與全球領(lǐng)先的納米電子學(xué)研究中心imec宣布將攜手合
1x奈米制程將引燃晶圓缺陷檢測技術(shù)新戰(zhàn)火。光學(xué)檢測囿于解析度限制,已無法滿足1x奈米晶圓驗證要求,遂使得新一代電子束技術(shù)快速嶄露頭角;不過,現(xiàn)階段電子束檢測效率仍低,須待可多支電子槍同步掃描的多重電子束技
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達(dá)55瓦,每
蘇州晶方半導(dǎo)體的核心業(yè)務(wù)為晶片封裝測試業(yè)務(wù),主要為影像感測晶片、環(huán)境光感應(yīng)晶片、微機電系統(tǒng)(MEMS)、LED等晶片供應(yīng)商提供晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)及測試服務(wù)。 該公司成立于2005年,資本額為人民幣1.89億元,
行動運算產(chǎn)品市場持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計,目前相關(guān)設(shè)計多使用整合晶片減少元件用量,對于異質(zhì)核心的封裝整合,若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會造成成品元件仍具一定程度占位面積,必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進行元
據(jù)報道,德國半導(dǎo)體制造商Azzurro展示了‘1-bin’波長的LED晶圓,該技術(shù)可以做到少于3nm波長一致性生產(chǎn)數(shù)值,并在開發(fā)中得到1nm的結(jié)果。該公司表示,該破紀(jì)錄的1nm成功表明AZZURRO的技術(shù)有能力做出‘1bin’硅基氮化鎵
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺,喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進度比臺積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。