嵌入式閃存使“智能”汽車接口應(yīng)用得以實(shí)現(xiàn)

SanDisk推嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器

利用基于閃存的MCU實(shí)現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

基于WISHBONE總線的FLASH閃存接口設(shè)計(jì)

閃存芯片價(jià)格跌幅超50% 訂單銷售量翻番

據(jù)了解，中國(guó)既是存儲(chǔ)芯片最大的需求者，也是全球移動(dòng)通訊、IT行業(yè)的集中生產(chǎn)基地。為了能在中國(guó)提高制造業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，并能更加快速地應(yīng)對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的需求，2018年以來(lái)閃存芯片原廠在中國(guó)建廠、加碼投資等動(dòng)作不斷。

Microchip低檔單片機(jī)新增閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

多管齊下，群聯(lián)電子用誠(chéng)信促進(jìn)合作

2018中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在上海舉行，群聯(lián)電子董事長(zhǎng)潘健成在論壇上發(fā)表了題為“閃存內(nèi)存存儲(chǔ)前世今生展望”的演講。潘健成表示，群聯(lián)電子成立于2000年，開(kāi)發(fā)出全球第一顆USB1.1的單芯片代號(hào)1001，是國(guó)內(nèi)比較獨(dú)特的一家存儲(chǔ)公司。

西部數(shù)據(jù)公司發(fā)布面向高端智能手機(jī)的96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤(pán)

西部數(shù)據(jù)公司近日推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(pán)(EFD)-西部數(shù)據(jù)iNAND?MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。

好消息！內(nèi)存和閃存第四季度價(jià)格會(huì)明顯下跌

根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)研，今年第三季度DRAM的合約價(jià)漲幅會(huì)縮小到1~2%，到了第四季度可能會(huì)下跌5%，而且不排除跌幅擴(kuò)大的可能，因?yàn)橄掳肽闐RAM的市場(chǎng)需求疲軟，新的智能手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求，導(dǎo)致出貨平淡，而消費(fèi)級(jí)的PC市場(chǎng)則由于Intel方面的供貨不足會(huì)受到?jīng)_擊。

華為Mate 9閃存門案件宣判：宣傳不當(dāng)，但不構(gòu)成虛假宣傳！

現(xiàn)在此事已經(jīng)得到了深圳市龍崗區(qū)法院的宣判，據(jù)WP7吧網(wǎng)友放出的判決書(shū)顯示，法院認(rèn)為華為對(duì)于Mate9系列的閃存芯片的確是宣傳不當(dāng)，但不是虛假宣傳，Mate9系列的閃存屬于定制的，擁有大部分UFS2.1的特性，但不完整符合UFS2.1的標(biāo)準(zhǔn)，也不算是通用的UFS2.0閃存芯片。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)高啟全：未來(lái)10年閃存 20%的市占率才能存活

對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。

瑞薩發(fā)布帶有片上閃存的R8C/Tiny系列16位MCU的7個(gè)家族30款新產(chǎn)品

瑞薩科技公司(Renesas)近日宣布，作為帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7個(gè)家族30款新產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族適用的應(yīng)用包括電源|穩(wěn)壓器|穩(wěn)壓器控制和

確保USB驅(qū)動(dòng)器安全：風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)生原因和應(yīng)對(duì)之策

被稱之為USB存驅(qū)動(dòng)器 、“U盤(pán)驅(qū)動(dòng)器”或“USB Dongle”的USB類存儲(chǔ)設(shè)備，真正使數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方式發(fā)生了革命性的變革并極大地推動(dòng)了便攜性的發(fā)展。自2000

東芝新內(nèi)存工廠落成 已于本月生產(chǎn)96層3D閃存

近日，東芝內(nèi)存公司與西部數(shù)據(jù)為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導(dǎo)體工廠與內(nèi)存研發(fā)中心舉行了慶祝儀式。東芝于去年2月份開(kāi)始建造Fab 6工廠，并于本月早些時(shí)候開(kāi)始生產(chǎn)96層3D閃存。該工廠專門用于制造3D閃存，東芝與西數(shù)已經(jīng)為該工廠安裝了尖端的制造設(shè)備。

東芝、西數(shù)宣布Fab 6工廠正式啟用！重點(diǎn)生產(chǎn)96層堆棧3D NAND閃存

今天東芝、西數(shù)一起宣布他們位于日本四日市三重縣的Fab 6工廠正式啟用，配套的閃存研發(fā)中心今年3月份已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)了，新的研發(fā)及生產(chǎn)中心重點(diǎn)就是96層堆棧3D NAND閃存，QLC閃存也將是重點(diǎn)，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進(jìn)一步提速。

中興通訊發(fā)布3款存儲(chǔ)新品

9月18日，中興通訊聯(lián)合Intel在北京舉行存儲(chǔ)新品發(fā)布會(huì)。本次推出的三款新品：中端存儲(chǔ)KS3200 V2、高端存儲(chǔ)KU5200 V2和全閃存存儲(chǔ)KF8200，

西數(shù)談中國(guó)NAND競(jìng)爭(zhēng)：仍有技術(shù)優(yōu)勢(shì) 2020年前中國(guó)廠商意義不大

在NAND閃存市場(chǎng)上，三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額，不過(guò)NAND閃存也是中國(guó)近年來(lái)發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域，尤其是紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，他們?cè)谖錆h投資240億美元建設(shè)中國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片基地，今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存。

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近日傳出三大利空 美光稱NAND 閃存價(jià)格本季已下跌

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近日傳出三大利空，引發(fā)引發(fā)市場(chǎng)憂心產(chǎn)業(yè)需求轉(zhuǎn)弱，包括晶圓檢測(cè)設(shè)備大廠科磊(KLA-Tencor)預(yù)告下季出貨量可能不如預(yù)期、美光(Micron)坦承NAND 閃存價(jià)格本季已下跌，加上分析師看跌第4季NAND內(nèi)存價(jià)格展望。

威剛推出BGA封裝SSD：讀取速度1.1GB/s

近日，威剛(ADATA)宣布推出IUSP33F PCIe BGA SSD，該SSD采用BGA封裝，尺寸比M.2 2242 SSD還要小上80%。IUSP33F PCIe BGA SSD采用了3D閃存，支持PCIe Gen 3x2接口，適用于超極本、平板、二合一電腦等小尺寸計(jì)算設(shè)備。

西數(shù)：我們NAND技術(shù)優(yōu)勢(shì)仍在！中國(guó)廠商2年內(nèi)不會(huì)有太大變化

西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們?cè)谶@方面依然有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)的NAND廠商在2020年之前不會(huì)帶來(lái)什么有意義的改變。