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渝企引進IBM最先進的BCD技術
【導讀】近日，從市半導體協(xié)會獲悉，重慶中航微電子公司從IBM引進0.18微米高壓BCD技術，目前已經投入到實際生產。 摘要： 近日，從市半導體協(xié)會獲悉，重慶中航微電子公司從IBM引進0.18微米高壓BCD技術，目前已經
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渝企引進IBM 最先進集成電路技術
記者從市半導體協(xié)會獲悉,重慶中航微電子公司從IBM引進0.18微米高壓BCD技術,目前已經投入到實際生產。BCD技術是一種把電子元件和布線有效整合在半導體晶片上的技術,新引進的這項技術和傳統(tǒng)BCD技術相比,可降低芯片的功
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渝企引進IBM 最先進集成電路技術
8月18日,記者從市半導體協(xié)會獲悉,重慶中航微電子公司從IBM引進0.18微米高壓BCD技術,目前已經投入到實際生產。BCD技術是一種把電子元件和布線有效整合在半導體晶片上的技術,新引進的這項技術和傳統(tǒng)BCD技術相比,可降低
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數字式設置、基準電壓為0.1至9.9V的比較器
數字式設置、基準電壓為0.1至9.9V的比較器
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RS232串口通信協(xié)議怎么寫？
RS232串口通信協(xié)議怎么寫？協(xié)議一般要包含：起始符、、數據、校驗碼、結束符，5個部分的定義。其中 起始符、結束符，不能與其他數據重碼。如只要傳輸字母與數字，可以看下ASCII碼表，使用非數字和字母的符號做起始結
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臺積電轉變策略 開發(fā)行動和智能穿戴裝置技術
就在市場普遍關注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現有技術升級為特殊技術制程產能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS
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臺積電新制程 攻行動穿戴
就在市場普遍關注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電（2330）仍積極將現有技術升級為特殊技術制程產能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器（eFlash）、
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臺積電新制程 攻行動穿戴
就在市場普遍關注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現有技術升級為特殊技術制程產能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS
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臺積電新制程 攻行動穿戴
就在市場普遍關注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現有技術升級為特殊技術制程產能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS
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臺積電新制程 攻行動穿戴
就在市場普遍關注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電（2330）仍積極將現有技術升級為特殊技術制程產能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器（eFlash）、
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DAC0832原理與工作方式
1)分辨率分辨率它反映了輸出模擬電壓的最小變化值。定義為輸出滿刻度電壓與2n的比值，其中n為DAC的位數。分辨率與輸入數字量的位數有確定的關系。對于5V的滿量程，采用8位的DAC時，分辨率為5V/256=19.5mV;當采用10位
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華潤上華第三代超高壓700V BCD系列工藝開發(fā)成功
5月15日，華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（“華潤上華”）近日宣布其第三代超高壓700VBCD系列工藝開放代工平臺開發(fā)成功。該工藝平臺自華潤上華第二代硅基700VBCD工藝基礎上自主開發(fā)而來。通過工藝技術
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長時間定時控制電路（三）
長時間定時控制電路（三）
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BCD半導體宣布收購完成，從納斯達克退市
BCD半導體(BCDS-US)今天向SEC遞交文件顯示：該公司于3月5日停止交易，從納斯達克退市，成為Diodes旗下全資子公司。2012年12月26日，Diodes和BCD半導體達成一項由Diodes收購BCD半導體的合并協(xié)議，收購價每ADS（代表六
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投幣打靶游戲機電路
投幣打靶游戲機電路
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基于FPGA的可逆數制轉碼器設計
摘要：針對二-十進制(BCD)數據相互轉換的FPGA實現目標，基于模塊層次化的設計思想，提出了一種高效、易于重構的可逆轉碼器設計方案。并在FPGA(Altera DE2)開發(fā)板上成功進行了12 b可逆轉碼器的設計驗證，實驗結果表明
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中意牌BCD-215型電冰箱電路
中意牌BCD-215型電冰箱電路
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遠東牌BCD-220型電冰箱電路
遠東牌BCD-220型電冰箱電路
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遠東牌BCD-185型電冰箱電路
遠東牌BCD-185型電冰箱電路
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友誼牌BCD-200型電冰箱電路
友誼牌BCD-200型電冰箱電路
