電子元器件行業(yè)景氣溫和回升

受產(chǎn)業(yè)內(nèi)主要產(chǎn)品價(jià)格低迷狀況改善以及行業(yè)過剩庫存將得到消化、行業(yè)供需進(jìn)入平衡階段的影響，在行業(yè)景氣已經(jīng)調(diào)整了3個(gè)季度的情況下，電子元器件行業(yè)景氣大幅向下調(diào)整的可能性比較小。 且隨著消費(fèi)旺季的到來，下半年

ST 推出DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專用溫度傳感器

意法半導(dǎo)體（ST)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片，新產(chǎn)品完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的溫度監(jiān)測標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。

三星：未來每一部手機(jī)將都采用DRAM內(nèi)存

上半年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè) 設(shè)計(jì)表現(xiàn)最佳

DRAM提前萎靡，短暫反彈成曇花一現(xiàn)

DRAM提前萎靡，短暫反彈成曇花一現(xiàn) iSuppli：DRAM市場9月料將放緩,較預(yù)期提早一個(gè)月低落。NAND情況待觀望。 據(jù)國外媒體報(bào)道，市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片市場的短暫反彈已經(jīng)結(jié)束,9月將再

DRAM市場重現(xiàn)樂觀 下半年出現(xiàn)反彈

2001年DRAM市場價(jià)格崩潰以來，經(jīng)歷了市場惡化最嚴(yán)重的半年后，2007年下半年DRAM市場開始重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂觀氣氛，預(yù)計(jì)2007年下半年銷售價(jià)格將一路走高。下半年的樂觀因素包括返校帶來的銷售高峰，以及季節(jié)性假日需求來臨，

2007年臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體資本支出將居于前列

今年臺(tái)灣地區(qū)廠商的半導(dǎo)體資本支出將提高40億美元，達(dá)到130億美元?！皬恼w產(chǎn)業(yè)來看，我們預(yù)測今年資本支出將增長5%。”SMA的總裁GeorgeBurns在報(bào)告中表示?！皫缀跛性鲩L都發(fā)生在臺(tái)灣地區(qū)?！?SMA預(yù)測，中國大陸和

集邦：廠商釋出庫存 DRAM現(xiàn)貨市場價(jià)格下跌

集邦：廠商釋出庫存 DRAM現(xiàn)貨市場價(jià)格下跌

根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報(bào)告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價(jià)力道不強(qiáng)，使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示，DDR2 eTT報(bào)價(jià)在上周五(1

海力士DRAM產(chǎn)品獲ISi的Z-RAM存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi的Z-RAM存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

美國加州圣克拉拉市和韓國利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司（韓國證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)

SEMI預(yù)測：08年底300mm晶圓生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍

SEMI發(fā)布預(yù)測認(rèn)為，盡管內(nèi)存價(jià)格急劇下跌，但今后對300mm晶圓生產(chǎn)設(shè)施的投資仍將持續(xù)。08年底，全球300mm晶圓的生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍。SEMI認(rèn)為，產(chǎn)能擴(kuò)大的原因是增加了25家新開工的300mm晶圓半導(dǎo)體工廠。

新興存儲(chǔ)技術(shù)突破多 大規(guī)模商用待考