2007年臺灣地區(qū)半導體資本支出將居于前列

今年臺灣地區(qū)廠商的半導體資本支出將提高40億美元，達到130億美元。“從整體產(chǎn)業(yè)來看，我們預測今年資本支出將增長5%?！盨MA的總裁GeorgeBurns在報告中表示?！皫缀跛性鲩L都發(fā)生在臺灣地區(qū)?！?SMA預測，中國大陸和

集邦：廠商釋出庫存 DRAM現(xiàn)貨市場價格下跌

集邦：廠商釋出庫存 DRAM現(xiàn)貨市場價格下跌

根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價力道不強，使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示，DDR2 eTT報價在上周五(1

海力士DRAM產(chǎn)品獲ISi的Z-RAM存儲技術授權

海力士半導體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi的Z-RAM存儲技術授權

美國加州圣克拉拉市和韓國利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲知識產(chǎn)權(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導體有限公司（韓國證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)

SEMI預測：08年底300mm晶圓生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍

SEMI發(fā)布預測認為，盡管內(nèi)存價格急劇下跌，但今后對300mm晶圓生產(chǎn)設施的投資仍將持續(xù)。08年底，全球300mm晶圓的生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍。SEMI認為，產(chǎn)能擴大的原因是增加了25家新開工的300mm晶圓半導體工廠。

新興存儲技術突破多 大規(guī)模商用待考

歐洲半導體市場六月份銷售情況喜憂參半

主要DRAM內(nèi)存芯片供應商Q2收入大幅下降

主要DRAM內(nèi)存芯片供應商Q2收入大幅下降

iSuppli：金士頓居全球DRAM供應商排行之首

蘋果占NAND閃存市場1/4 供應短缺刺激價格上漲

全球半導體市場持續(xù)成長 亞洲產(chǎn)業(yè)角色吃重