供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單

面對(duì)裁員、停電等危機(jī) 三星欲借重組走出困境

全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)Q3銷售收入僅增長8%

據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，2007年第三季度全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的銷售收入為79.6億美元，僅比2007年第二季度的74億美元增長8%。增長率不高令人失望。拖累第三季度DRAM內(nèi)存市場(chǎng)增長的主要因素是供應(yīng)鏈繼

半導(dǎo)體公司財(cái)報(bào)：無線業(yè)最熱 市場(chǎng)有望回暖

內(nèi)存模塊廠 10月營收憂喜參半

內(nèi)存模塊廠10月營收陸續(xù)公布，其中創(chuàng)見（2451）及勁永（6145）由于出貨量持續(xù)成長，帶動(dòng)營收分別較9月增加4.4%及17%；至于威剛〔3260〕則受到DRAM比重較高拖累，單月營收小幅衰退3.77%。 創(chuàng)見自結(jié)10月營收28.55億元，

第三季度IC代工業(yè)需求旺盛 先進(jìn)制程受益

SOC芯片設(shè)計(jì)與測(cè)試

本文以一SOC單芯片系統(tǒng)為例，在其設(shè)計(jì)、測(cè)試和可制造性等方面進(jìn)行研究，并詳細(xì)介紹了SOC測(cè)試解決方案及設(shè)計(jì)考慮。

SOC芯片設(shè)計(jì)與測(cè)試

SOC芯片設(shè)計(jì)與測(cè)試

集成電路出貨量增長 廠商面臨無利潤繁榮局面

最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車

各類器件增長強(qiáng)勁 出貨量增長率預(yù)測(cè)調(diào)高

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長8%。IC Insights將調(diào)高增長率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)

大陸重啟嚴(yán)打走私 DRAM市場(chǎng)雪上加霜

過去在大陸十一長假過后，DRAM市場(chǎng)大多會(huì)有一波補(bǔ)貨需求，然2007年卻完全落空，特別是曾在6月引起DRAM業(yè)界一陣恐慌的大陸嚴(yán)打走私政策，近期又再度啟動(dòng)，這對(duì)于DRAM市場(chǎng)而言無疑是雪上加霜，DRAM盤商及通路商皆不敢在

DRAM行業(yè)虧損加劇 內(nèi)存市場(chǎng)暫無復(fù)蘇跡象

報(bào)告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%

10月21日消息，據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路（IC）出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長，如DRAM

報(bào)告稱07年集成電路出貨量將增10%

據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司IC Insights將2007年全球集成電路（IC）出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長，如DRAM內(nèi)存出貨量增長

DRAM市場(chǎng)9月底觸及新低 仍無反彈跡象

大陸長假效應(yīng)未顯 DDR2未見起色 NAND報(bào)價(jià)短線持穩(wěn)

內(nèi)存市場(chǎng)買氣持續(xù)低迷，五一二Mb有效測(cè)試（eTT）跌至一美元左右的新低價(jià)之后，雖暫時(shí)止跌并微幅反彈，但始終在一．○二至一．○五美元間低檔震蕩，顯見市況毫無起色。反觀NAND閃存部分，雖十月上旬合約價(jià)下殺，但降價(jià)

DRAM市場(chǎng)9月底觸及新低 反彈希望渺茫

據(jù)美國的獨(dú)立分銷商Converge，繼價(jià)格在9月底觸及新低之后，DRAM市場(chǎng)沒有顯露任何反彈跡象。該分銷商表示，現(xiàn)貨市場(chǎng)供應(yīng)充足，但買家寥寥，盡管價(jià)格已遠(yuǎn)低于直接價(jià)格(direct pricing)。 Converge的商品經(jīng)理Paul Zech

晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

索尼與奇夢(mèng)達(dá)組建合資公司 開發(fā)DRAM儲(chǔ)存芯片

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