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DRAM

我要報(bào)錯(cuò)

  • DRAM錢坑 臺(tái)塑集團(tuán)進(jìn)退兩難

    聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智暗指臺(tái)塑集團(tuán)可以出面集成臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無(wú)法評(píng)論此事;存儲(chǔ)器業(yè)界則認(rèn)為，臺(tái)塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投

  • 三星挖角梁孟松　搶救晶圓代工

    三星電子(Samsung Electronics)想要進(jìn)軍全球晶圓代工市場(chǎng)的意思，累積起來(lái)也有近10年歷史，從最早期口號(hào)比動(dòng)作多，到近年來(lái)廣告比動(dòng)作多的情形來(lái)看，三星在全球晶圓代工市場(chǎng)的努力，比起家大業(yè)大的DRAM與Flash產(chǎn)品線

  • 存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

    存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)

  • 存儲(chǔ)器3Q景氣　NAND Flash略優(yōu)于DRAM

    存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)

  • 韓半導(dǎo)體業(yè)均認(rèn)為下半年存儲(chǔ)器芯片市況不明

    南韓三星電子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事業(yè)總括部門社長(zhǎng)權(quán)五鉉，及海力士(Hynix)社長(zhǎng)權(quán)五哲等南韓半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示，一般來(lái)說(shuō)，下半年內(nèi)

  • 韓半導(dǎo)體業(yè)大老齊聲：下半年存儲(chǔ)器芯片市況不明

    韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事業(yè)總括部門社長(zhǎng)權(quán)五鉉，及海力士(Hynix)社長(zhǎng)權(quán)五哲等韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半存儲(chǔ)器芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示，一般來(lái)說(shuō)，下半年

  • IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破 新PCM芯片容量翻倍

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長(zhǎng)時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，但在高端企

  • 瑞晶成為30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

    瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬(wàn)片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，

  • IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破 新PCM芯片容量翻倍

    IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長(zhǎng)時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，但在高端企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等卻有

  • 瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

    瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬(wàn)片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，

  • 茂德產(chǎn)能

    連于慧 茂德原本有2座12吋晶圓廠，竹科12吋晶圓廠在2010年賣給旺宏，轉(zhuǎn)而生產(chǎn)ROM和NOR Flash產(chǎn)品線；原本大陸還有一座渝德8吋廠，日前也宣布賣給中國(guó)航天，目前旗下僅剩中科12吋晶圓廠。 此座12吋晶圓廠經(jīng)歷20

  • 世界先進(jìn)傳出價(jià)100億　競(jìng)逐茂德中科12吋廠

    連于慧／臺(tái)北 茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，記憶體業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)

  • IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破 新PCM芯片容量翻倍

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長(zhǎng)時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。 此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，

  • 2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

    2011年半導(dǎo)體商營(yíng)收成長(zhǎng)將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值成長(zhǎng)率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動(dòng)裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營(yíng)收仍可擁

    模擬
    2011-07-04
    通訊 東芝 IC DRAM

  • 美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

    美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開始送樣，預(yù)計(jì)2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延

  • 美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

    美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已開始送樣，預(yù)計(jì)2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RL

  • 未來(lái)三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

    DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 2011 年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24

  • 未來(lái)三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

    據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去

  • 華東科技

    李洵穎 從目前的接單能見度來(lái)看，華東科技第3季跟第2季差不多，預(yù)估僅較第2季小幅成長(zhǎng)3~5%，成長(zhǎng)力道沒有想像中好。至于第4季還不明朗，不過仍有機(jī)會(huì)逐季成長(zhǎng)。整體而言，下半年的營(yíng)收將較比上半年呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)。

  • 爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

    日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)（TSV）制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當(dāng)1GB容量），該