聯(lián)電榮譽副董事長宣明智暗指臺塑集團可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè),南亞科表示,無法評論此事;存儲器業(yè)界則認(rèn)為,臺塑集團雖然資金實力雄厚,但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題,沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵,現(xiàn)在就算再投
三星電子(Samsung Electronics)想要進軍全球晶圓代工市場的意思,累積起來也有近10年歷史,從最早期口號比動作多,到近年來廣告比動作多的情形來看,三星在全球晶圓代工市場的努力,比起家大業(yè)大的DRAM與Flash產(chǎn)品線
存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚,但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧,7月合約價續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認(rèn)
存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚,但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧,7月合約價續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認(rèn)
南韓三星電子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事業(yè)總括部門社長權(quán)五鉉,及海力士(Hynix)社長權(quán)五哲等南韓半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示,2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示,一般來說,下半年內(nèi)
韓國三星電子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事業(yè)總括部門社長權(quán)五鉉,及海力士(Hynix)社長權(quán)五哲等韓國半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示,2011年下半存儲器芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示,一般來說,下半年
據(jù)國外媒體報道,IBM研究員研發(fā)出儲存新技術(shù),可更可靠地長時間在服務(wù)器上儲存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲器(phase-change memory),簡稱PCM存儲,可取代快閃記憶體,快閃記憶體在移動設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁,但在高端企
瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案,并沖刺單月產(chǎn)能到年底達到8.8萬片,成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外,董事會也通過,向臺灣歐力士公司申請機器設(shè)備售后租回融資約10億元,
IBM研究員研發(fā)出儲存新技術(shù),可更可靠地長時間在服務(wù)器上儲存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲器(phase-change memory),簡稱PCM存儲,可取代快閃記憶體,快閃記憶體在移動設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁,但在高端企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等卻有
瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案,并沖刺單月產(chǎn)能到年底達到8.8萬片,成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外,董事會也通過,向臺灣歐力士公司申請機器設(shè)備售后租回融資約10億元,
連于慧 茂德原本有2座12吋晶圓廠,竹科12吋晶圓廠在2010年賣給旺宏,轉(zhuǎn)而生產(chǎn)ROM和NOR Flash產(chǎn)品線;原本大陸還有一座渝德8吋廠,日前也宣布賣給中國航天,目前旗下僅剩中科12吋晶圓廠。 此座12吋晶圓廠經(jīng)歷20
連于慧/臺北 茂德申請負債降息暫化解當(dāng)前財務(wù)危機后,引進新資金成為當(dāng)務(wù)之急,業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德,或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣,近期已有第1個出價者浮現(xiàn),記憶體業(yè)界傳出世界先進出價新臺
據(jù)國外媒體報道,IBM研究員研發(fā)出儲存新技術(shù),可更可靠地長時間在服務(wù)器上儲存數(shù)據(jù)。 此技術(shù)稱為相變存儲器(phase-change memory),簡稱PCM存儲,可取代快閃記憶體,快閃記憶體在移動設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁,
2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估,2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達2%,但受惠今年智慧型手機和平板等行動裝置熱銷,高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(NVIDIA)營收仍可擁
美系存儲器大廠美光(Micron) 5月底才宣布,第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開始送樣,預(yù)計2011年下半可進入量產(chǎn),日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈,阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延
美系存儲器大廠美光(Micron)5月底才宣布,第3代低延遲RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已開始送樣,預(yù)計2011年下半可進入量產(chǎn),日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈,阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RL
DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%,2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù),隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 2011 年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右,預(yù)計DDR3將占89%,高于去年的67%和2009年的24
據(jù)IHSiSuppli公司的研究,DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%,2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù),隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右,預(yù)計DDR3將占89%,高于去
李洵穎 從目前的接單能見度來看,華東科技第3季跟第2季差不多,預(yù)估僅較第2季小幅成長3~5%,成長力道沒有想像中好。至于第4季還不明朗,不過仍有機會逐季成長。整體而言,下半年的營收將較比上半年呈現(xiàn)個位數(shù)成長。
日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量),該