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從FPGA的制程競(jìng)賽看英特爾與Fabless的后續(xù)變化
在Altera宣布進(jìn)入采用英特爾的14奈米三閘極電晶體制程后，賽靈思（Xilinx）也不甘示弱，宣布進(jìn)入全新的產(chǎn)品線(xiàn)進(jìn)入臺(tái)積電（TSMC）20奈米的投片時(shí)程，并于今年第四季取得少量樣本，明年第一季正式進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)程。
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臺(tái)積電20納米 提前一季投片
可程序邏輯閘陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）昨（9）日宣布，已經(jīng)開(kāi)始在臺(tái)積電投片業(yè)界首款20納米可編程邏輯元件（PLD），以及業(yè)界首款20納米全編程（AllProgrammable）元件。業(yè)界指出，賽靈思宣布進(jìn)入20納米世代，
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臺(tái)積電20納米 提前一季投片
可程序邏輯閘陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）昨（9）日宣布，已經(jīng)開(kāi)始在臺(tái)積電投片業(yè)界首款20納米可編程邏輯元件（PLD），以及業(yè)界首款20納米全編程（All Programmable）元件。業(yè)界指出，賽靈思宣布進(jìn)入20納米世代
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東芝將于今年八月激活Fab 5新廠 用于3D NAND閃存生產(chǎn)
東芝公司(Toshiba)宣布將在今年八月激活位于日本三重縣四日市的 Fab 5 新廠第二期工程，準(zhǔn)備增加NAND閃存的制造產(chǎn)能，同時(shí)轉(zhuǎn)移至3D NAND生產(chǎn)。這項(xiàng)工程預(yù)計(jì)將在2014年夏天完成，東芝強(qiáng)調(diào)，目前尚未決定任何設(shè)備投資等
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東芝Fab 5新廠激活用于3D NAND閃存生產(chǎn)
東芝公司(Toshiba)宣布將在今年八月激活位于日本三重縣四日市的 Fab 5 新廠第二期工程，準(zhǔn)備增加 NAND 閃存的制造產(chǎn)能，同時(shí)轉(zhuǎn)移至 3D NAND 生產(chǎn)。 這項(xiàng)工程預(yù)計(jì)將在2014年夏天完成，東芝強(qiáng)調(diào)，目前尚未決定任何設(shè)備
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東芝將拓展半導(dǎo)體制造設(shè)施
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，該公司將在日本三重的四日工廠中拓展其先進(jìn)的5號(hào)半導(dǎo)體制造設(shè)施(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Fab 5”)，以確保采用下一代工藝技術(shù)制造的NAND閃存和未來(lái)的3D內(nèi)存擁有足夠的制
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意法半導(dǎo)體：MEMS傳感器新規(guī)格對(duì)業(yè)界意義重大
摘要： 意法半導(dǎo)體MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品部總經(jīng)理Fabio Pasolini表示，意法半導(dǎo)體是規(guī)格的主要起草者，為該規(guī)格的制定做出了重要貢獻(xiàn)。 關(guān)鍵字： 傳感器, 半導(dǎo)體 平板電腦 近日MEMS產(chǎn)業(yè)的一大新聞是MIG組
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MEMS傳感器新規(guī)格對(duì)產(chǎn)業(yè)有益
近日MEMS產(chǎn)業(yè)的一大新聞是MIG組織攜同英特爾、高通等眾多一線(xiàn)半導(dǎo)體廠商一起推出了MEMS芯片產(chǎn)品的一個(gè)產(chǎn)品參數(shù)規(guī)格，即《標(biāo)準(zhǔn)化傳感器性能參數(shù)規(guī)格(Standardized Sensor Performance Parameter Definitions)》，作為
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意法半導(dǎo)體：MEMS傳感器新規(guī)格對(duì)產(chǎn)業(yè)有益
近日MEMS產(chǎn)業(yè)的一大新聞是MIG組織攜同英特爾、高通等眾多一線(xiàn)半導(dǎo)體廠商一起推出了MEMS芯片產(chǎn)品的一個(gè)產(chǎn)品參數(shù)規(guī)格，即《標(biāo)準(zhǔn)化傳感器性能參數(shù)規(guī)格(Standardized Sensor Performance Parameter Definitions)》，作為
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GlobalFoundries產(chǎn)能和訂單概況
晶圓代工廠GlobalFoundries在2012年?duì)I收達(dá)45億美元，躍升為全球第二大晶圓代工廠，日前在擴(kuò)產(chǎn)、搶單、制程提升上積極度都相當(dāng)高，讓半導(dǎo)體業(yè)者警覺(jué)。GlobalFoundries近半年來(lái)28奈米制程良率提升，除了切入高通(Qualc
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)
GlobalFoundries全球營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen披露稱(chēng)，該公司正在進(jìn)行大范圍、大規(guī)模的擴(kuò)張，尤其是增加美國(guó)紐約、新加坡工廠的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足半導(dǎo)體客戶(hù)移動(dòng)設(shè)備的需求。目前，GF紐約州的Fab8工廠已經(jīng)能每月生產(chǎn)6萬(wàn)
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)
GlobalFoundries全球營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen披露稱(chēng)，該公司正在進(jìn)行大范圍、大規(guī)模的擴(kuò)張，尤其是增加美國(guó)紐約、新加坡工廠的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足半導(dǎo)體客戶(hù)移動(dòng)設(shè)備的需求。目前，GF紐約州的Fab8工廠已經(jīng)能每月生產(chǎn)6萬(wàn)
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)
GlobalFoundries全球營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen披露稱(chēng)，該公司正在進(jìn)行大范圍、大規(guī)模的擴(kuò)張，尤其是增加美國(guó)紐約、新加坡工廠的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足半導(dǎo)體客戶(hù)移動(dòng)設(shè)備的需求。目前，GF紐約州的Fab8工廠已經(jīng)能每月生產(chǎn)6萬(wàn)
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X-FAB針對(duì)可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝
強(qiáng)了XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項(xiàng)是成本敏感的消費(fèi)性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。X-FAB針對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)降低XP018芯片成本有幾個(gè)方面：——新推出的單電壓5V的選項(xiàng)移除了
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)
GlobalFoundries全球營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen披露稱(chēng)，該公司正在進(jìn)行大范圍、大規(guī)模的擴(kuò)張，尤其是增加美國(guó)紐約、新加坡工廠的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足半導(dǎo)體客戶(hù)移動(dòng)設(shè)備的需求。目前，GF紐約州的Fab8工廠已經(jīng)能每月生產(chǎn)6萬(wàn)
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)
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GlobalFoundries產(chǎn)能和訂單概況
晶圓代工廠GlobalFoundries在2012年?duì)I收達(dá)45億美元，躍升為全球第二大晶圓代工廠，日前在擴(kuò)產(chǎn)、搶單、制程提升上積極度都相當(dāng)高，讓半導(dǎo)體業(yè)者警覺(jué)。GlobalFoundries近半年來(lái)28nm制程良率提升，除了切入高通(Qualcom
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)
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