據(jù)外媒electronicsweekly報道,東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工,應(yīng)對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示:“公司將擴大五號半導(dǎo)體制造工廠(Fa
據(jù)外媒electronicsweekly報道,東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工,應(yīng)對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示:“公司將擴
華邦編碼型快閃記憶體(NOR Flash) 布局手機市場報捷,獨家獲得聯(lián)發(fā)科主力晶片「MT6252」系列搭配采用,并打入三星、LG等大廠供應(yīng)鏈?!窶T6252」是聯(lián)發(fā)科2011年秘密武器,放量出貨當(dāng)中,華邦NOR 晶片出貨同步成長,挹
固態(tài)硬碟(SSD)是這幾年快速崛起的儲存產(chǎn)品,也帶給記憶體相關(guān)業(yè)者相當(dāng)多商機,包括NAND Flash晶片、SSD供應(yīng)商或是SSD控制晶片業(yè)者。目前NAND Flash晶片供應(yīng)商包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、新帝
我永遠(yuǎn)忘不了自己第一眼看到華麗的菲斯克卡瑪(Fisker Karma)1的情景。在那之前,公眾一直沉迷于豐田普銳斯或日產(chǎn)Leaf等混合動力插電式汽車,這些車的外觀性感異常,就像Martha Stewart在新一期維多利亞的秘密內(nèi)衣產(chǎn)
摘要:JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)
IBM預(yù)計將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術(shù),為伺服器雙列直插式存儲器模組(DIMM)插槽加入NAND flash。該公司并計劃在DIMM埠中采用自行設(shè)計的控制器芯片。此外,IBM并加倍擴增去年從Texas Memory System
隨著器件工作頻率越來越高,高速PCB設(shè)計所面臨的信號完整性等問題成為傳統(tǒng)設(shè)計的一個瓶頸,工程師在設(shè)計出完整的解決方案上面臨越來越大的挑戰(zhàn)。盡管有關(guān)的高速仿真工具和互連工具可以幫助設(shè)計設(shè)計師解決部分難題,但
【導(dǎo)讀】值此智慧化嵌入式系統(tǒng)(Intelligent Embedded System)市場方興未艾之際,F(xiàn)lash MCU內(nèi)嵌的編碼型快閃(NOR Flash)記憶體容量亦將大幅增長,以迎合智慧化嵌入式系統(tǒng)配備聯(lián)網(wǎng)、圖形化和語音人機介面等功能,以及內(nèi)
嵌入式系統(tǒng)智能化商機旺 MCU廠升級eFlash制程微控制器(MCU)廠商在嵌入式快閃記憶體(eFlash)新一輪先進(jìn)制程競賽開打。值此智慧化嵌入式系統(tǒng)(Intelligent Embedded System
一家美國創(chuàng)業(yè)公司開發(fā)出一種更緊湊更快的內(nèi)存芯片,向DRAM和Flash芯片發(fā)起了挑戰(zhàn)。新的內(nèi)存芯片被稱為交叉內(nèi)存(crossbar memory),由Crossbar研發(fā),該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席科學(xué)家是密歇根大學(xué)教授Wei Lu。演示用交叉
【導(dǎo)讀】NAND Flash大廠海力士積極建立芯片設(shè)計團隊,繼買下美系NAND Flash設(shè)計公司LAMD后,近期更出手買下USB 3.0設(shè)計廠銀燦旗下內(nèi)嵌式存儲器(eMMC)部門,將成立新公司落腳臺元科技園區(qū),創(chuàng)下國際存儲器大廠在臺成立
21ic通信網(wǎng)訊,HTML5是近年來互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的熱門詞匯,火的很。微軟IE產(chǎn)品總經(jīng)理發(fā)文: 未來的網(wǎng)絡(luò)屬于HTML5。喬布斯生前也在公開信《Flash之我見》中預(yù)言:像HTML5這樣在移動時代中創(chuàng)立的新標(biāo)準(zhǔn),將會在移動設(shè)備上獲得
不讓韓國三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能
我永遠(yuǎn)忘不了自己第一眼看到華麗的菲斯克卡瑪(Fisker Karma)[1]的情景。在那之前,公眾一直沉迷于豐田普銳斯或日產(chǎn)Leaf等混合動力插電式汽車,這些車的外觀性感異常,就像Martha Stewart在新一期維多利亞的秘密
21ic訊 Holtek新一代0.9V標(biāo)準(zhǔn)型Flash微控制器,整合了電源管理IC的功能,在單一芯片上實現(xiàn)單一顆電池之應(yīng)用。同時整合外部電路,可達(dá)到體積縮小、組件精簡、電池減少的綠色環(huán)保需求。本系列產(chǎn)品包含有HT66F017L及HT6
21ic訊 Holtek新推出Enhanced A/D Flash Type MCU系列,此系列有兩顆MCU分別為HT66F0172及HT66F0174,符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求,并具有2Kx16 Flash程序內(nèi)存,SRAM為128 Bytes、I/O 18個
飛控計算機CPU模塊的處理器通常選用PowerPC或X86系列,CPU模塊設(shè)計有專門的FLASH芯片,為保證飛控程序存放的正確無誤,F(xiàn)LASH測試必不可少。而智能接口模塊的處理器通常選用TMSF240、TMSF2812等,采用片內(nèi)FLASH存放自
21ic訊 Holtek推出全新的8051 A/D Flash Type MCU的HT85F2280、HT85F2270、HT85F2260系列,全系列寬工作電壓范圍2.2V~5.5V,符合工業(yè)等級-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求,是一系列混合信號高性能MCU,使
飛索(Spansion)于2013年上半年接連展開與武漢XMC和聯(lián)電分別達(dá)成32奈米(nm)和40奈米的晶圓代工合作協(xié)議,以及收購富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)部門布