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中低壓變頻器市場爭奪，IGBT等核心器件研發(fā)能力成籌碼
變頻器市場中，高壓變頻器一直占據重要位置，而低壓變頻器則增長緩慢，但從2011年起，低壓變頻器一改低迷態(tài)勢，以30%加速發(fā)展的高姿態(tài)呈現出供不應求的局面。我國變頻調速技術發(fā)展與發(fā)達國家相比還不夠成熟，中高端變
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富士與英飛凌就IGBT功率模塊達成一項協議
5月31日消息，據媒體報道，富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司于近日宣布，雙方達成一項協議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開發(fā)汽車IGBT功率模塊。據悉，此協議是為滿足混合動力汽車的功率模塊的
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新型IGBT軟開關在應用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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10MW級高壓變頻器在600MW機組給水系統(tǒng)中的應用
摘 要：本文針對600MW機組鍋爐給水系統(tǒng)，應用國產10MW級高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機械調速，提高給水泵系統(tǒng)機械效率、節(jié)能降耗的經驗進行了積極探討。通過實踐證明：在既有液力耦合器調速的基礎上，通過高壓
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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新型IGBT軟開關在應用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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10MW級高壓變頻器在600MW機組給水系統(tǒng)中的應用
摘 要：本文針對600MW機組鍋爐給水系統(tǒng)，應用國產10MW級高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機械調速，提高給水泵系統(tǒng)機械效率、節(jié)能降耗的經驗進行了積極探討。通過實踐證明：在既有液力耦合器調速的基礎上，通過高壓
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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電源管理市場未來五年前景良好
據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領域的擴張推動。第二季度電源管理半導體營業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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電源管理市場未來五年前景良好
據IHSiSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領域的擴張推動。第二季度電源管理半導體營業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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繼2011年底慘跌之后，電源管理半導體第二季度開始復蘇
據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領域的擴張推動。 第二季度電源管理半導體營業(yè)收入
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繼2011年底慘跌之后 電源管理半導體第二季度開始復蘇
據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領域的擴張推動。第二季度電源管理半導體營業(yè)收入將
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Microsemi發(fā)布新一代超高效NPT IGBT
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通
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80V 25A高精度穩(wěn)流電源的研制
1 引言作為電真空微波放大管的一種，速調管以其功率大﹑效率高的優(yōu)勢得到了廣泛的應用。而速調管一般都需要外加一個聚焦磁場。為了使速調管電子槍所打出的電子注不被散射損耗掉，這就要求磁場電源具有較好的電流穩(wěn)定
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IR推出推出600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器
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太陽能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設計和使用最先進工藝的功率半導體，是實現高效率的關鍵所在?！ 『喗椤 」夥到y(tǒng)的應用領域越來越廣泛。尤
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繼2011年底慘跌之后，電源管理半導體第二季度開始復蘇
21ic訊 據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領域的擴張推動。第二季度電源管理半導體營
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IGBT串聯用的有源電壓控制技術
1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領域中得到了廣泛的應用。然而，由于半導體器件本身的材料和結構原因，IG
