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IR 針對電動汽車和混合動力汽車應用推出600V車用IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化。新器件適用的電流范圍很廣，提供最小為 5μs的短路
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學院微電子研究所IGBT團隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領域再次取得關鍵技術突破。由微電子所完全自主設計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產品為焊接、高功率整流等感應加熱和共振開關應用進行了優(yōu)化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調制器設計
摘要：基于課題建設的需要，需對某型雷達脈沖調制器進行固態(tài)化改造，為達到經濟省時的目的，采用了設計與仿真的方法。應用新型功率開關器件IGBT替代電真空器件，設計了單片機控制的固態(tài)脈沖調制器?？朔死走_脈沖調
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IGBT電力電子裝置的應用詳解
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)
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IR 推出高可靠性超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術，可顯
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擺脫對存儲器市場的過度依賴 三星計劃明年第二季度量產IGBT芯片
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產品，這是自1999年三星將電力半導體廠拋售給快捷半導體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產品。據南韓電子新聞報導，三星2011年5月與
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單相橋式PWM逆變器死區(qū)補償的一種方法
摘要：為了更好的了解脈沖寬度調制控制技術及其在實際電路中的應用，文中以單相SPWM逆變電路為控制對象，分別從PWM的產生機制、死區(qū)補償和輸出電壓與輸出電流等方面詳細介紹了死區(qū)補償的一種方法。并對逆變器的工作模
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三相IGBT全橋隔離驅動電源設計
摘要：設計了一種基于電流型PWM控制器UC3845的三相IGBT全橋隔離驅動電源。采用單端反激式結構，電壓反饋與電流反饋組成雙閉環(huán)串級結構。TL431a與PC817組成反饋網絡，旁路掉UC3845內部誤差放大器，反饋信號直接輸入到
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雜散電感對高效IGBT逆變器設計的影響
IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。與目前逆變器設計應用功率或各自額定電流水平相關的開關速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優(yōu)化的主要動力。這些型號包
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綠色能源計劃推動中國IGBT市場增長
據IHS iSuppli公司中國研究服務即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復合年度增長率將達13%。由于功
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銅進金退 長電科技加快技術改造
[世華財訊]近年來，隨著封裝技術的不斷進步，封裝所需要的材料也在逐步改進，封裝行業(yè)正在經歷銅取代金的轉變。由于黃金價格最近幾年的持續(xù)飆升，加快了封裝行業(yè)銅制程的推進，很多芯片廠商開始紛紛改用銅線鍵合，這
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高能效功率電子技術領域的新進展
21ic訊 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用
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高能效功率電子技術領域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術
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高能效功率電子技術領域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術
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高能效功率電子技術領域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術
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高壓變頻器主電路圖分析及其應用
1.引言 目前，隨著現代電力電子技術和微電子技術的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調速裝置不斷地成熟起來，原來一直難于解決的高壓問題，近年來通過器件串聯或單元串聯得到了很好的解決。其應用領域和范圍也越來越為
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高壓變頻器主電路圖分析及其應用
1.引言 目前，隨著現代電力電子技術和微電子技術的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調速裝置不斷地成熟起來，原來一直難于解決的高壓問題，近年來通過器件串聯或單元串聯得到了很好的解決。其應用領域和范圍也越來越為
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Diodes 40V閘極驅動器減少IGBT開關損耗
Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅動器通?？商峁?4A 的驅動電流，使其
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應對焊接斷裂，IGBT生產商如何應對新挑戰(zhàn)？
由于能源成本的上升，混合電力傳動系統在汽車應用中變得越來越流行?；旌想娏鲃酉到y把由大型電池組供電的三相交流電機作為內燃機的動力補充。逆變器電路用于將電池的直流電壓轉換為適于驅動電機的更高的
