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如何選擇太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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如何選擇太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在。 簡(jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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如何選擇太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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Diodes 40V 閘極驅(qū)動(dòng)器減少 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗
21ic訊 Diodes 公司推出專為開(kāi)關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器（gate driver） ，有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí)，該閘極驅(qū)動(dòng)器通?？商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電
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IGBT：新應(yīng)用帶動(dòng)革新 國(guó)內(nèi)仍處追趕階段
前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來(lái)了新的春天，而這些應(yīng)用帶來(lái)新的課題，與之相
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IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)報(bào)告
根據(jù)IMS Research的最新報(bào)告，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁反彈，年增長(zhǎng)率達(dá)到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產(chǎn)品增長(zhǎng)率達(dá)到了65%，遠(yuǎn)高于分立功率器件。該報(bào)告認(rèn)為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場(chǎng)份額最大，三菱及
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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
摘要：分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說(shuō)明，同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，該電路對(duì)逆變器的
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電磁爐檢測(cè)電路工作原理
1 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比，單片機(jī)以此電壓為依據(jù)，與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過(guò)允許值
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電磁爐檢測(cè)電路工作原理
1 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比，單片機(jī)以此電壓為依據(jù)，與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過(guò)允許值
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分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
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漢磊：磊晶好年冬 Q3續(xù)漲價(jià)
日本311大地震導(dǎo)致氣體鹽酸（HCL）缺貨短缺，漢磊（5326）的磊晶圓（Epi Wafer）產(chǎn)能受到影響，但隨著氣體鹽酸供貨回復(fù)正常，漢磊6月起磊晶圓產(chǎn)能利用率已回升到100％。 漢磊總經(jīng)理陳煌彬表示，由于節(jié)能減碳需求強(qiáng)
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分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
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分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
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通用型IGBT變頻電源的研制過(guò)程
本文提出的變頻電源,從根本上克服了上述弊端,是一種性能優(yōu)良的靜止變頻電源。
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中國(guó)最大規(guī)模IGBT半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地開(kāi)建
5月25日，中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標(biāo)志著我國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬(wàn)片、IGBT模塊100萬(wàn)只，中國(guó)南車成為國(guó)內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封
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國(guó)內(nèi)最大規(guī)模IGBT產(chǎn)業(yè)基地開(kāi)建 年產(chǎn)芯片12萬(wàn)片
5月25日，中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標(biāo)志著我國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬(wàn)片、IGBT模塊100萬(wàn)只，中國(guó)南車成為國(guó)內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應(yīng)
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國(guó)內(nèi)最大規(guī)模IGBT半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地開(kāi)建
5月25日，中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標(biāo)志著我國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬(wàn)片、IGBT模塊100萬(wàn)只，中國(guó)南車成為國(guó)內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應(yīng)
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全橋型IGBT脈沖激光電源原理與性能分析
本文介紹的激光電源為工作于重復(fù)脈沖方式的固體激光器提供電能。該激光器采用氙燈作泵浦光源，在惰性氣體燈中，氙氣的總轉(zhuǎn)換效率最高。激光器用于激光打標(biāo)，工作頻率每秒60次。電源系統(tǒng)采用IGBT管全橋逆變方式，工作頻率為20kHz，控制電路采用PWM方式。
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英飛凌600V功率開(kāi)關(guān)器件家族又添新丁
21ic訊 在PCIM Europe 2011展會(huì)上，英飛凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速
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總投資14億元人民幣 中國(guó)首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)
中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標(biāo)志著中國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通
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