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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。 關鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較
摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。 關鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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中科院微電子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團隊緊張而期待。由他們設計的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進行超高壓測試。之所以緊張，是因為他們沒有像
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上海先進半導體：告別被動代工
先進半導體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導體公司。 當時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，
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上海先進半導體：告別被動代工
先進半導體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導體公司。當時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，這
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上海先進半導體：孵化國內芯片設計告別被動代工
上海先進半導體：告別被動代工，孵化國內芯片設計企業(yè)先進半導體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導體公司。當時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之
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開關電源發(fā)展過程中的十個技術焦點
20世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。 功
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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic訊 國際整流器公司 (IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業(yè)用電機及焊接應用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飛兆半導體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應商獎
全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應商獎。伊頓(Eaton)公司總部位于美國，并在上海設有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“高壓大電流 NPT IGBT 和FRED芯片”達到世界先進水平
具有自主知識產(chǎn)權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT IGBT）芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管（FRED）芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達世界先進水平
具有自主知識產(chǎn)權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、國家
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達世界先進水平
具有自主知識產(chǎn)權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)
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芯片制造應關注功率半導體
功率半導體器件的廣泛應用可以實現(xiàn)對電能的傳輸轉換及最佳控制，大幅度提高工業(yè)生產(chǎn)效率，大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。 在過去的10年里，“18號文”推動中國半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一個跨越式發(fā)展的時
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如何進行IGBT保護電路設計
本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學院微電子研究所IGBT團隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領域再次取得關鍵技術突破。由微電子所完全自主設計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
