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IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理
摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、
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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較
摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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中科院微電子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓測(cè)試。之所以緊張，是因?yàn)樗麄儧](méi)有像
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上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動(dòng)代工
先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。 當(dāng)時(shí)，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，
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上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動(dòng)代工
先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時(shí)，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，這
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上海先進(jìn)半導(dǎo)體：孵化國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)告別被動(dòng)代工
上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動(dòng)代工，孵化國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時(shí)，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之
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開(kāi)關(guān)電源發(fā)展過(guò)程中的十個(gè)技術(shù)焦點(diǎn)
20世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。 功
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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (IR) 近日擴(kuò)充堅(jiān)固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能、工業(yè)用電機(jī)及焊接應(yīng)用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飛兆半導(dǎo)體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)。伊頓(Eaton)公司總部位于美國(guó)，并在上海設(shè)有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡(jiǎn)介 兩個(gè)同頻信號(hào)，特別是工頻信號(hào)之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個(gè)模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過(guò)三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱(chēng)為電工式移相。
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宏微“高壓大電流 NPT IGBT 和FRED芯片”達(dá)到世界先進(jìn)水平
具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT IGBT）芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管（FRED）芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡(jiǎn)介 兩個(gè)同頻信號(hào)，特別是工頻信號(hào)之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個(gè)模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過(guò)三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱(chēng)為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡(jiǎn)介 兩個(gè)同頻信號(hào)，特別是工頻信號(hào)之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個(gè)模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過(guò)三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱(chēng)為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡(jiǎn)介 兩個(gè)同頻信號(hào)，特別是工頻信號(hào)之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個(gè)模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過(guò)三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱(chēng)為電工式移相。
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達(dá)世界先進(jìn)水平
具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、國(guó)家
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達(dá)世界先進(jìn)水平
具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國(guó)電器工業(yè)協(xié)
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芯片制造應(yīng)關(guān)注功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的傳輸轉(zhuǎn)換及最佳控制，大幅度提高工業(yè)生產(chǎn)效率，大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。 在過(guò)去的10年里，“18號(hào)文”推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一個(gè)跨越式發(fā)展的時(shí)
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如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)
本文論述了IGBT的過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)相關(guān)問(wèn)題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來(lái)控制晶體管的
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