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清華大學開發(fā)新技術改善MRAM存儲速度與功耗
來自北京清華大學的研究人員開發(fā)出一種新技術，號稱能讓MARM的儲存速度與功耗大幅改善;這種電子開關(electrical switching)技術寫入位元所需的能源較少。上述新技術的基本
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探究最佳的結構化ASIC設計方法
由于與深亞微米標準單元ASIC相關的非重復性工程費用(NRE)越來越大，設計周期又很長，因此利用結構化ASIC進行定制IC設計的吸引力正變得越來越大。結構化ASIC能以極具競爭力的
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嵌入式實時操作系統μC/OS-II及其應用
早在上世紀六十年代，就已經有人開始研究和開發(fā)嵌入式操作系統。但直到最近，它才在國內被越來越多的提及。其在通信、電子、自動化等需要實時處理的領域所日益顯現的重要性
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掉電保護電路
為了防止突然斷電或電源電壓降低，造成數據丟失，采用掉電保護電路。電路中使用電壓比較器LM339來監(jiān)測電源電壓。從圖中可看出反向輸入端4腳由R3和VL提供穩(wěn)定的標
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亞馬遜手機再曝光：今日發(fā)布 配六個鏡頭
就在剛剛，《華爾街日報》給出的確定消息顯示，亞馬遜本月18日將推出自己的智能手機，并且AT&T獨家銷售。之所以說亞馬遜手機的配置喪心病狂，這主要是指內置的攝像頭，其配備了6個攝像頭，后置攝像頭為1300萬像素，除
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FTC判壟斷技術；Rambus仍堅信授權活動有效
【導讀】FTC判壟斷技術；Rambus仍堅信授權活動有效 美國聯邦貿易委員會(FTC)執(zhí)法者周三裁決，專業(yè)技術研發(fā)商Rambus非法壟斷四種記憶芯片技術，Rambus股價應聲暴跌30%。 Rambus發(fā)言人表示，該公司深信
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飛思卡爾：利用4Mbit產品推動MRAM的普及
【導讀】飛思卡爾：利用4Mbit產品推動MRAM的普及 非揮發(fā)性內存MRAM不僅可隨機訪問，而且可無限次擦寫。一致力于MRAM研發(fā)的美國飛思卡爾半導體公司終于投產了4Mbit產品。就其投產的目的及未來前景，筆者采訪了
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三星試制512MB PRAM 08年投產“速度為NOR型閃存30倍”
【導讀】三星試制512MB PRAM 08年投產“速度為NOR型閃存30倍” 三星電子試制的512Mbit相變內存 韓國三星電子宣布，針對非揮發(fā)性內存--相變內存（PRAM）“開發(fā)成功了達實用水平的試制品”。計劃08年
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臺積電遭UniRAM指控 判賠3，050萬美元
【導讀】臺積電遭UniRAM指控 判賠3，050萬美元 臺積電證實，舊金山聯邦地方法院確實認定臺積電對UniRAM公司所指控不當使用營業(yè)秘密的案件必須支付3，050萬美元做為賠償，但據臺積電了解，此案僅是初判，未來
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Pyramid Research 預計印尼 3G 服務使用率將顯著增長
【導讀】根據 Light Reading Communications Network (http://www.lightreading.com ) 旗下電信調研機構 Pyramid Research (http://www.pyr.com ) 的最新預測數據和分析，未來五年印尼的 3G 服務使用率將會顯著增長，
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Pyramid Research：光纖是電信公司在歐洲經濟步入衰退后增長時期的必需品
【導讀】馬薩諸塞州劍橋9月10日電 /美通社亞洲/ -- Light Reading Communications Network 旗下電信調研機構 Pyramid Research 的一份新報告顯示：在歐洲經濟走出衰退、初現增長勢頭之時，大型電信運營商應調整資本支
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AGIGA技術公司采用業(yè)界最高密度、無需電池的非易失性RAM系統 用于重要數據的備份
【導讀】2009年10月23日，北京訊，賽普拉斯半導體公司(NYSE: CY)的子公司AGIGA技術公司近日 宣布推出擁有市場上最高密度、最快速度的非易失性RAM系統。AGIGARAM™非易失性系統（NVS）的最新CAPRI系列可提供介于
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杜比實驗室加大在華投資 亞洲首座研究與工程中心在京成立
【導讀】杜比實驗室（紐交所代碼：DLB）宣布在北京成立杜比中國研究與工程中心。這是杜比在亞洲的首座研究與工程中心，也是杜比首次在美國以外的地區(qū)“從零開始”地組建一支研究與工程領域的工作團隊。 中國，北京
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2010將是IP產業(yè)最后的好年份？
【導讀】近日，Gartner首席分析師Ganesh Ramamoorthy指出：2009年是市場大幅衰退的一年，而2010年將會有大成長，2010年對IP產業(yè)來說會是非常好的一年，在各種營收比例方面，授權業(yè)務營收將占據五成、權利金收入占據4
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某手機驚現三星512Mbit相變內存
【導讀】據工程顧問機構 UBM TechInsights 的一份拆解分析報告，發(fā)現在某款神秘手機中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)內存，內含與NOR閃存兼容的相變化內存芯片。
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納米鐵電技術有新法
【導讀】鐵電材料（Ferroelectric）是次世代非揮發(fā)記憶體FeRAM的關鍵成分，它是一種介電質，擁有自發(fā)性和可反轉的雙電極，能給記憶體在耐用度和讀寫功能有大幅提升。日前日本國家材料科學研究所研發(fā)出一種新的鐵電生
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BCD560萬美元收購Auramicro 擴大DC/DC產品組合和解決方案
【導讀】此次收購將有利于加強BCD半導體公司電源管理IC研發(fā)團隊，擴大該公司DC/DC產品組合和解決方案，加快該公司仍處于發(fā)展階段的Fab2制造進程。 摘要： 此次收購將有利于加強BCD半導體公司電源管理IC研發(fā)團隊，
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E-Ink:電子書完了？NO!!
【導讀】E-Ink行銷長Sriram K. Peruvemba受訪時強調，E-Ink在電子書市場有其成功之道，但萬萬不可將市場侷限于電子書閱讀器，這樣等同自尋死路。事實上，E-Ink的EPD是目前實際量產最多的電子紙顯示技術，大概也是唯一
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東芝與海力士合作研發(fā)MRAM技術
【導讀】MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關閉電源也能保存數據的非揮發(fā)性內存，東芝早在2007年時就已經研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術，也就是能讓MRAM內存儲存量增加至GB等級的垂直磁化技術。 摘要： MRAM是一種低耗電
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深圳廢除LED產業(yè)規(guī)劃的原因
【導讀】次廢除的《規(guī)劃》提出要將深圳“建成全國乃至全球重要的LED產業(yè)研發(fā)生產基地”，還定下了到2015年產業(yè)規(guī)模年產值1300億元以上的發(fā)展目標。 摘要： 次廢除的《規(guī)劃》提出要將深圳“建成全國乃至全球重要的
