RAM

我要報(bào)錯(cuò)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。[1]

夏普、爾必達(dá)合作開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

日經(jīng)新聞報(bào)道，夏普正與爾必達(dá)聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預(yù)計(jì)在2013年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。早在2007年，富士通就宣布開發(fā)出了這種可變電阻式閃存芯片，它在降低功耗的同

嵌入式硬件
2014-06-26

夏普爾必達(dá) RAM 閃存芯片
清華大學(xué)開發(fā)新技術(shù)改善MRAM存儲(chǔ)速度與功耗

來自北京清華大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù)，號(hào)稱能讓MARM的儲(chǔ)存速度與功耗大幅改善;這種電子開關(guān)(electrical switching)技術(shù)寫入位元所需的能源較少。上述新技術(shù)的基本

嵌入式硬件
2014-06-24

存儲(chǔ)器 ARM 電子開關(guān) RAM
探究最佳的結(jié)構(gòu)化ASIC設(shè)計(jì)方法

由于與深亞微米標(biāo)準(zhǔn)單元ASIC相關(guān)的非重復(fù)性工程費(fèi)用(NRE)越來越大，設(shè)計(jì)周期又很長，因此利用結(jié)構(gòu)化ASIC進(jìn)行定制IC設(shè)計(jì)的吸引力正變得越來越大。結(jié)構(gòu)化ASIC能以極具競爭力的

嵌入式硬件
2014-06-24

FPGA ASIC ASIC設(shè)計(jì) RAM
嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II及其應(yīng)用

早在上世紀(jì)六十年代，就已經(jīng)有人開始研究和開發(fā)嵌入式操作系統(tǒng)。但直到最近，它才在國內(nèi)被越來越多的提及。其在通信、電子、自動(dòng)化等需要實(shí)時(shí)處理的領(lǐng)域所日益顯現(xiàn)的重要性

嵌入式硬件
2014-06-22

嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng) C/OS-II μC/OS-II RAM
掉電保護(hù)電路

　　　　為了防止突然斷電或電源電壓降低，造成數(shù)據(jù)丟失，采用掉電保護(hù)電路。電路中使用電壓比較器LM339來監(jiān)測電源電壓。從圖中可看出反向輸入端4腳由R3和VL提供穩(wěn)定的標(biāo)

電源電路
2014-06-18

電平 BSP 掉電保護(hù)電路 RAM
亞馬遜手機(jī)再曝光：今日發(fā)布配六個(gè)鏡頭

就在剛剛，《華爾街日報(bào)》給出的確定消息顯示，亞馬遜本月18日將推出自己的智能手機(jī)，并且AT&T獨(dú)家銷售。之所以說亞馬遜手機(jī)的配置喪心病狂，這主要是指內(nèi)置的攝像頭，其配備了6個(gè)攝像頭，后置攝像頭為1300萬像素，除

半導(dǎo)體
2014-06-18

攝像頭亞馬遜 RAM
FTC判壟斷技術(shù)；Rambus仍堅(jiān)信授權(quán)活動(dòng)有效

【導(dǎo)讀】FTC判壟斷技術(shù)；Rambus仍堅(jiān)信授權(quán)活動(dòng)有效美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)(FTC)執(zhí)法者周三裁決，專業(yè)技術(shù)研發(fā)商Rambus非法壟斷四種記憶芯片技術(shù)，Rambus股價(jià)應(yīng)聲暴跌30%。 Rambus發(fā)言人表示，該公司深信

半導(dǎo)體
2014-06-09

NI BSP TC RAM
飛思卡爾：利用4Mbit產(chǎn)品推動(dòng)MRAM的普及

【導(dǎo)讀】飛思卡爾：利用4Mbit產(chǎn)品推動(dòng)MRAM的普及非揮發(fā)性內(nèi)存MRAM不僅可隨機(jī)訪問，而且可無限次擦寫。一致力于MRAM研發(fā)的美國飛思卡爾半導(dǎo)體公司終于投產(chǎn)了4Mbit產(chǎn)品。就其投產(chǎn)的目的及未來前景，筆者采訪了

半導(dǎo)體
2014-06-09

飛思卡爾 NI BSP RAM
三星試制512MB PRAM 08年投產(chǎn)“速度為NOR型閃存30倍”

【導(dǎo)讀】三星試制512MB PRAM 08年投產(chǎn)“速度為NOR型閃存30倍” 三星電子試制的512Mbit相變內(nèi)存韓國三星電子宣布，針對非揮發(fā)性內(nèi)存--相變內(nèi)存（PRAM）“開發(fā)成功了達(dá)實(shí)用水平的試制品”。計(jì)劃08年

半導(dǎo)體
2014-06-09

三星內(nèi)存 BSP RAM
臺(tái)積電遭UniRAM指控判賠3，050萬美元

【導(dǎo)讀】臺(tái)積電遭UniRAM指控判賠3，050萬美元臺(tái)積電證實(shí)，舊金山聯(lián)邦地方法院確實(shí)認(rèn)定臺(tái)積電對UniRAM公司所指控不當(dāng)使用營業(yè)秘密的案件必須支付3，050萬美元做為賠償，但據(jù)臺(tái)積電了解，此案僅是初判，未來

半導(dǎo)體
2014-06-09

臺(tái)積電 NI BSP RAM
Pyramid Research 預(yù)計(jì)印尼 3G 服務(wù)使用率將顯著增長

【導(dǎo)讀】根據(jù) Light Reading Communications Network (http://www.lightreading.com ) 旗下電信調(diào)研機(jī)構(gòu) Pyramid Research (http://www.pyr.com ) 的最新預(yù)測數(shù)據(jù)和分析，未來五年印尼的 3G 服務(wù)使用率將會(huì)顯著增長，

半導(dǎo)體
2014-06-09

3G BSP RESEARCH RAM
Pyramid Research：光纖是電信公司在歐洲經(jīng)濟(jì)步入衰退后增長時(shí)期的必需品

【導(dǎo)讀】馬薩諸塞州劍橋9月10日電 /美通社亞洲/ -- Light Reading Communications Network 旗下電信調(diào)研機(jī)構(gòu) Pyramid Research 的一份新報(bào)告顯示：在歐洲經(jīng)濟(jì)走出衰退、初現(xiàn)增長勢頭之時(shí)，大型電信運(yùn)營商應(yīng)調(diào)整資本支

半導(dǎo)體
2014-06-09

電信光纖 RESEARCH RAM
AGIGA技術(shù)公司采用業(yè)界最高密度、無需電池的非易失性RAM系統(tǒng) 用于重要數(shù)據(jù)的備份

【導(dǎo)讀】2009年10月23日，北京訊，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NYSE: CY)的子公司AGIGA技術(shù)公司近日宣布推出擁有市場上最高密度、最快速度的非易失性RAM系統(tǒng)。AGIGARAM™非易失性系統(tǒng)（NVS）的最新CAPRI系列可提供介于

半導(dǎo)體
2014-06-09

電池 TE BSP RAM
杜比實(shí)驗(yàn)室加大在華投資亞洲首座研究與工程中心在京成立

【導(dǎo)讀】杜比實(shí)驗(yàn)室（紐交所代碼：DLB）宣布在北京成立杜比中國研究與工程中心。這是杜比在亞洲的首座研究與工程中心，也是杜比首次在美國以外的地區(qū)“從零開始”地組建一支研究與工程領(lǐng)域的工作團(tuán)隊(duì)。中國，北京

半導(dǎo)體
2014-06-09

代碼 MICHAEL RAM
2010將是IP產(chǎn)業(yè)最后的好年份？

【導(dǎo)讀】近日，Gartner首席分析師Ganesh Ramamoorthy指出：2009年是市場大幅衰退的一年，而2010年將會(huì)有大成長，2010年對IP產(chǎn)業(yè)來說會(huì)是非常好的一年，在各種營收比例方面，授權(quán)業(yè)務(wù)營收將占據(jù)五成、權(quán)利金收入占據(jù)4

半導(dǎo)體
2014-06-09

EDA IP GARTNER RAM
某手機(jī)驚現(xiàn)三星512Mbit相變內(nèi)存

【導(dǎo)讀】據(jù)工程顧問機(jī)構(gòu) UBM TechInsights 的一份拆解分析報(bào)告，發(fā)現(xiàn)在某款神秘手機(jī)中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)內(nèi)存，內(nèi)含與NOR閃存兼容的相變化內(nèi)存芯片。

半導(dǎo)體
2014-06-09

三星內(nèi)存 RAM
納米鐵電技術(shù)有新法

【導(dǎo)讀】鐵電材料（Ferroelectric）是次世代非揮發(fā)記憶體FeRAM的關(guān)鍵成分，它是一種介電質(zhì)，擁有自發(fā)性和可反轉(zhuǎn)的雙電極，能給記憶體在耐用度和讀寫功能有大幅提升。日前日本國家材料科學(xué)研究所研發(fā)出一種新的鐵電生

半導(dǎo)體
2014-06-06

讀寫電極 FERROELECTRIC RAM
BCD560萬美元收購Auramicro 擴(kuò)大DC/DC產(chǎn)品組合和解決方案

【導(dǎo)讀】此次收購將有利于加強(qiáng)BCD半導(dǎo)體公司電源管理IC研發(fā)團(tuán)隊(duì)，擴(kuò)大該公司DC/DC產(chǎn)品組合和解決方案，加快該公司仍處于發(fā)展階段的Fab2制造進(jìn)程。摘要：此次收購將有利于加強(qiáng)BCD半導(dǎo)體公司電源管理IC研發(fā)團(tuán)隊(duì)，

半導(dǎo)體
2014-06-06

DC/DC BCD MICRO RAM
E-Ink:電子書完了？NO!!

【導(dǎo)讀】E-Ink行銷長Sriram K. Peruvemba受訪時(shí)強(qiáng)調(diào)，E-Ink在電子書市場有其成功之道，但萬萬不可將市場侷限于電子書閱讀器，這樣等同自尋死路。事實(shí)上，E-Ink的EPD是目前實(shí)際量產(chǎn)最多的電子紙顯示技術(shù)，大概也是唯一

半導(dǎo)體
2014-06-06

電子書閱讀器電子書 BSP RAM
東芝與海力士合作研發(fā)MRAM技術(shù)

【導(dǎo)讀】MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，東芝早在2007年時(shí)就已經(jīng)研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術(shù)，也就是能讓MRAM內(nèi)存儲(chǔ)存量增加至GB等級的垂直磁化技術(shù)。摘要： MRAM是一種低耗電

半導(dǎo)體
2014-06-06

東芝海力士 BSP RAM

首頁上一頁 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 下一頁尾頁

RAM

夏普、爾必達(dá)合作開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

清華大學(xué)開發(fā)新技術(shù)改善MRAM存儲(chǔ)速度與功耗

探究最佳的結(jié)構(gòu)化ASIC設(shè)計(jì)方法

嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II及其應(yīng)用

掉電保護(hù)電路

亞馬遜手機(jī)再曝光：今日發(fā)布配六個(gè)鏡頭

FTC判壟斷技術(shù)；Rambus仍堅(jiān)信授權(quán)活動(dòng)有效

飛思卡爾：利用4Mbit產(chǎn)品推動(dòng)MRAM的普及

三星試制512MB PRAM 08年投產(chǎn)“速度為NOR型閃存30倍”

臺(tái)積電遭UniRAM指控判賠3，050萬美元

Pyramid Research 預(yù)計(jì)印尼 3G 服務(wù)使用率將顯著增長

Pyramid Research：光纖是電信公司在歐洲經(jīng)濟(jì)步入衰退后增長時(shí)期的必需品

AGIGA技術(shù)公司采用業(yè)界最高密度、無需電池的非易失性RAM系統(tǒng) 用于重要數(shù)據(jù)的備份

杜比實(shí)驗(yàn)室加大在華投資亞洲首座研究與工程中心在京成立

2010將是IP產(chǎn)業(yè)最后的好年份？

某手機(jī)驚現(xiàn)三星512Mbit相變內(nèi)存

納米鐵電技術(shù)有新法

BCD560萬美元收購Auramicro 擴(kuò)大DC/DC產(chǎn)品組合和解決方案

E-Ink:電子書完了？NO!!

東芝與海力士合作研發(fā)MRAM技術(shù)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻