臺(tái)積電羅鎮(zhèn)球：AI引爆半導(dǎo)體新機(jī)遇，端側(cè)智能成中國(guó)市場(chǎng)突破口
近日，在ICCAD 2025（中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2025年會(huì)）上，臺(tái)積電（中國(guó)）總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球（Roger Luo）發(fā)表了題為《半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)》的主題演講，并隨后接受了媒體專(zhuān)訪。
羅鎮(zhèn)球在分享中指出，AI將帶來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)的又一波大爆發(fā)，算力革命正在將半導(dǎo)體行業(yè)推向1萬(wàn)億美元產(chǎn)值的新高度。他詳細(xì)拆解了臺(tái)積電在“云、管、端”三維度的技術(shù)路線圖。羅鎮(zhèn)球認(rèn)為，對(duì)于中國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)而言，“端側(cè)智能”將是短期內(nèi)最具潛力的突破方向。
“云管端”協(xié)同：AI時(shí)代的技術(shù)路線圖
當(dāng)前，行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的算力革命，智能正變得無(wú)處不在。從云端的數(shù)據(jù)中心，到終端的PC、手機(jī)、AR/VR眼鏡，再到白色家電、智能汽車(chē)乃至人形機(jī)器人，AI的應(yīng)用場(chǎng)景正在全面爆發(fā)。
來(lái)自行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)：受益于AI需求的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2030年，全球IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將超過(guò)1萬(wàn)億美元。終端滲透率將逐步提升： 到2030年，預(yù)計(jì)將有近3億臺(tái)PC和10億臺(tái)智能手機(jī)具備AI功能。而對(duì)于算力的需求也是飛速激增： 數(shù)據(jù)中心的算力規(guī)模（Computing Scale）預(yù)計(jì)到2030年將有5-6倍的增長(zhǎng)。
羅鎮(zhèn)球在主題演講中強(qiáng)調(diào)，在算力提升的同時(shí)，能效比（Energy Efficiency）是更為關(guān)鍵的指標(biāo)。過(guò)去很長(zhǎng)一段時(shí)間，能效比大約每?jī)赡晏嵘?倍。未來(lái)，行業(yè)需要通過(guò)新晶體管架構(gòu)、新材料、DTCO（設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化）以及系統(tǒng)級(jí)封裝的共同努力，在解決散熱瓶頸的同時(shí)維持這一提升速度。
而在媒體專(zhuān)訪中，羅鎮(zhèn)球指出，為了應(yīng)對(duì)AI帶來(lái)的爆發(fā)式需求，半導(dǎo)體供應(yīng)商正在“云、管、端”三個(gè)領(lǐng)域展開(kāi)全面競(jìng)技。臺(tái)積電的技術(shù)布局也緊緊圍繞這三個(gè)維度展開(kāi)：
·云端（Cloud）：極致算力與先進(jìn)封裝 在云端，核心在于推進(jìn)先進(jìn)工藝的演進(jìn)。羅鎮(zhèn)球透露，工藝制程正從3納米、2納米迅速向A16推進(jìn)。與此同時(shí)，先進(jìn)封裝技術(shù)至關(guān)重要，通過(guò)堆疊技術(shù)（如TSMC-SoIC）將多個(gè)SoC進(jìn)行垂直堆疊，并與HBM（高帶寬內(nèi)存）整合，以滿(mǎn)足云端計(jì)算對(duì)高帶寬和高算力的需求。
·管道（Pipe）：硅光子技術(shù)解決傳輸瓶頸 在數(shù)據(jù)傳輸環(huán)節(jié)，重點(diǎn)在于硅光子（Silicon Photonics）技術(shù)。通過(guò)該技術(shù)解決從交換機(jī)到交換機(jī)（Switch to Switch）、以及到計(jì)算單元（XPU）的高速傳輸問(wèn)題，旨在大幅提高傳輸速度的同時(shí)降低功耗。
·端側(cè)（Edge）：低功耗與特殊工藝的結(jié)合 在端側(cè)，羅鎮(zhèn)球強(qiáng)調(diào)了特殊工藝的重要性。存儲(chǔ)與感知： 傳統(tǒng)的嵌入式閃存（Embedded Flash）在28納米以下面臨瓶頸，臺(tái)積電正在推進(jìn)下一代存儲(chǔ)技術(shù)（如RRAM/MRAM）與邏輯工藝的結(jié)合。同時(shí)，針對(duì)手機(jī)等應(yīng)用中關(guān)鍵的CIS（CMOS圖像傳感器），新的邏輯工藝也在不斷提升其功能指標(biāo)。超低功耗工藝： 針對(duì)AIoT領(lǐng)域，臺(tái)積電推出了N6e、N4e等超低功耗工藝，將工作電壓降至0.4伏左右（相比之前的0.8伏大幅下降），以滿(mǎn)足端側(cè)設(shè)備對(duì)電池續(xù)航的嚴(yán)苛要求。
此外，主題演講中，羅鎮(zhèn)球也提及TSMC在汽車(chē)領(lǐng)域的工藝進(jìn)展。羅鎮(zhèn)球提到，臺(tái)積電的汽車(chē)工藝平臺(tái)已覆蓋N7A、N5A，目前正研發(fā)N3A。目標(biāo)是在保證車(chē)規(guī)級(jí)高可靠性（目標(biāo)是1DPPM以下）的同時(shí)，讓車(chē)載芯片也能享受先進(jìn)工藝帶來(lái)的算力紅利。
供應(yīng)鏈：產(chǎn)能調(diào)配支持全球客戶(hù)
針對(duì)VEU（經(jīng)認(rèn)證的最終用戶(hù)）授權(quán)到期的問(wèn)題，羅鎮(zhèn)球表示，臺(tái)積電目前正在供應(yīng)商的配合下，按部就班地進(jìn)行“一項(xiàng)一項(xiàng)”的申請(qǐng)，以確保順利獲得原物料和設(shè)備的授權(quán)許可。
雖然南京廠目前主要生產(chǎn)28納米和16納米工藝，但羅鎮(zhèn)球強(qiáng)調(diào)，工廠通過(guò)開(kāi)發(fā)延伸性工藝，不斷提升產(chǎn)品附加值，持續(xù)為客戶(hù)創(chuàng)新提供支持。
關(guān)于中國(guó)客戶(hù)的先進(jìn)工藝獲?。?/u>
羅鎮(zhèn)球澄清了市場(chǎng)上的一個(gè)誤區(qū)——即“大陸公司只能使用臺(tái)積電在中國(guó)大陸工廠的產(chǎn)能”。
他明確表示，臺(tái)積電的產(chǎn)能是面向全球客戶(hù)服務(wù)。公司與客戶(hù)緊密合作在全球范圍內(nèi)調(diào)配產(chǎn)能，以滿(mǎn)足客戶(hù)技術(shù)及產(chǎn)能的需求。“在合規(guī)的情況下，中國(guó)客戶(hù)可以使用更先進(jìn)技術(shù)，并不局限于南京廠的16納米。”
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇：瞄準(zhǔn)“端側(cè)智能”落地
在展望2026年行業(yè)趨勢(shì)及中國(guó)半導(dǎo)體機(jī)遇時(shí)，羅鎮(zhèn)球在媒體專(zhuān)訪環(huán)節(jié)給出了具體的‘戰(zhàn)術(shù)’建議。
他認(rèn)為，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)目前呈現(xiàn)全方位發(fā)展的態(tài)勢(shì)。針對(duì)IC設(shè)計(jì)行業(yè)，羅鎮(zhèn)球指出，大模型已經(jīng)層出不窮，下一步的關(guān)鍵在于落地。
“Smart Edge（智能邊緣）是中國(guó)非常有潛力的市場(chǎng)?！?羅鎮(zhèn)球分析道：
·市場(chǎng)基礎(chǔ)好： 中國(guó)擁有龐大的人口基數(shù)，且用戶(hù)熱衷于嘗試新的App和應(yīng)用場(chǎng)景。
·技術(shù)組合靈活： 通過(guò)超低功耗技術(shù)、下一代嵌入式存儲(chǔ)（RRAM/MRAM）以及射頻（RF）技術(shù)的組合，可以開(kāi)發(fā)出極具競(jìng)爭(zhēng)力的端側(cè)產(chǎn)品。
他總結(jié)道，注重端側(cè)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，覆蓋端側(cè)推理，是短期內(nèi)能夠“開(kāi)花結(jié)果”并推動(dòng)AI落地的最佳路徑。
對(duì)“泛國(guó)產(chǎn)替代”的思考：篤信市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)
針對(duì)當(dāng)前行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)的“泛國(guó)產(chǎn)替代”趨勢(shì)，羅鎮(zhèn)球強(qiáng)調(diào)，制造工廠的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于基礎(chǔ)設(shè)施、企業(yè)文化、精細(xì)度與勤懇度。臺(tái)積電將繼續(xù)致力于為客戶(hù)提供最高效的服務(wù)。
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