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[導讀]AI將帶來半導體行業(yè)的又一波大爆發(fā),算力革命正在將半導體行業(yè)推向1萬億美元產(chǎn)值的新高度。對于中國IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)而言,“端側(cè)智能”將是短期內(nèi)最具潛力的突破方向。

近日,在ICCAD 2025(中國集成電路設(shè)計業(yè)2025年會)上,臺積電(中國)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球(Roger Luo)發(fā)表了題為《半導體發(fā)展趨勢》的主題演講,并隨后接受了媒體專訪。

羅鎮(zhèn)球在分享中指出,AI將帶來半導體行業(yè)的又一波大爆發(fā),算力革命正在將半導體行業(yè)推向1萬億美元產(chǎn)值的新高度。他詳細拆解了臺積電在“云、管、端”三維度的技術(shù)路線圖。羅鎮(zhèn)球認為,對于中國IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)而言,“端側(cè)智能”將是短期內(nèi)最具潛力的突破方向。


“云管端”協(xié)同:AI時代的技術(shù)路線圖

當前,行業(yè)正在經(jīng)歷一場前所未有的算力革命,智能正變得無處不在。從云端的數(shù)據(jù)中心,到終端的PC、手機、AR/VR眼鏡,再到白色家電、智能汽車乃至人形機器人,AI的應(yīng)用場景正在全面爆發(fā)。

來自行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù):受益于AI需求的推動,預計到2030年,全球IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將超過1萬億美元。終端滲透率將逐步提升: 到2030年,預計將有近3億臺PC和10億臺智能手機具備AI功能。而對于算力的需求也是飛速激增: 數(shù)據(jù)中心的算力規(guī)模(Computing Scale)預計到2030年將有5-6倍的增長。

羅鎮(zhèn)球在主題演講中強調(diào),在算力提升的同時,能效比(Energy Efficiency)是更為關(guān)鍵的指標。過去很長一段時間,能效比大約每兩年提升3倍。未來,行業(yè)需要通過新晶體管架構(gòu)、新材料、DTCO(設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化)以及系統(tǒng)級封裝的共同努力,在解決散熱瓶頸的同時維持這一提升速度。

而在媒體專訪中,羅鎮(zhèn)球指出,為了應(yīng)對AI帶來的爆發(fā)式需求,半導體供應(yīng)商正在“云、管、端”三個領(lǐng)域展開全面競技。臺積電的技術(shù)布局也緊緊圍繞這三個維度展開:

·云端(Cloud):極致算力與先進封裝 在云端,核心在于推進先進工藝的演進。羅鎮(zhèn)球透露,工藝制程正從3納米、2納米迅速向A16推進。與此同時,先進封裝技術(shù)至關(guān)重要,通過堆疊技術(shù)(如TSMC-SoIC)將多個SoC進行垂直堆疊,并與HBM(高帶寬內(nèi)存)整合,以滿足云端計算對高帶寬和高算力的需求。

·管道(Pipe):硅光子技術(shù)解決傳輸瓶頸 在數(shù)據(jù)傳輸環(huán)節(jié),重點在于硅光子(Silicon Photonics)技術(shù)。通過該技術(shù)解決從交換機到交換機(Switch to Switch)、以及到計算單元(XPU)的高速傳輸問題,旨在大幅提高傳輸速度的同時降低功耗。

·端側(cè)(Edge):低功耗與特殊工藝的結(jié)合 在端側(cè),羅鎮(zhèn)球強調(diào)了特殊工藝的重要性。存儲與感知: 傳統(tǒng)的嵌入式閃存(Embedded Flash)在28納米以下面臨瓶頸,臺積電正在推進下一代存儲技術(shù)(如RRAM/MRAM)與邏輯工藝的結(jié)合。同時,針對手機等應(yīng)用中關(guān)鍵的CIS(CMOS圖像傳感器),新的邏輯工藝也在不斷提升其功能指標。超低功耗工藝: 針對AIoT領(lǐng)域,臺積電推出了N6e、N4e等超低功耗工藝,將工作電壓降至0.4伏左右(相比之前的0.8伏大幅下降),以滿足端側(cè)設(shè)備對電池續(xù)航的嚴苛要求。

此外,主題演講中,羅鎮(zhèn)球也提及TSMC在汽車領(lǐng)域的工藝進展。羅鎮(zhèn)球提到,臺積電的汽車工藝平臺已覆蓋N7A、N5A,目前正研發(fā)N3A。目標是在保證車規(guī)級高可靠性(目標是1DPPM以下)的同時,讓車載芯片也能享受先進工藝帶來的算力紅利。


供應(yīng)鏈:產(chǎn)能調(diào)配支持全球客戶

針對VEU(經(jīng)認證的最終用戶)授權(quán)到期的問題,羅鎮(zhèn)球表示,臺積電目前正在供應(yīng)商的配合下,按部就班地進行“一項一項”的申請,以確保順利獲得原物料和設(shè)備的授權(quán)許可。

雖然南京廠目前主要生產(chǎn)28納米和16納米工藝,但羅鎮(zhèn)球強調(diào),工廠通過開發(fā)延伸性工藝,不斷提升產(chǎn)品附加值,持續(xù)為客戶創(chuàng)新提供支持。

關(guān)于中國客戶的先進工藝獲?。?/u>

羅鎮(zhèn)球澄清了市場上的一個誤區(qū)——即“大陸公司只能使用臺積電在中國大陸工廠的產(chǎn)能”。

他明確表示,臺積電的產(chǎn)能是面向全球客戶服務(wù)。公司與客戶緊密合作在全球范圍內(nèi)調(diào)配產(chǎn)能,以滿足客戶技術(shù)及產(chǎn)能的需求。“在合規(guī)的情況下,中國客戶可以使用更先進技術(shù),并不局限于南京廠的16納米?!?


中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇:瞄準“端側(cè)智能”落地

在展望2026年行業(yè)趨勢及中國半導體機遇時,羅鎮(zhèn)球在媒體專訪環(huán)節(jié)給出了具體的‘戰(zhàn)術(shù)’建議。

他認為,中國半導體行業(yè)目前呈現(xiàn)全方位發(fā)展的態(tài)勢。針對IC設(shè)計行業(yè),羅鎮(zhèn)球指出,大模型已經(jīng)層出不窮,下一步的關(guān)鍵在于落地。

“Smart Edge(智能邊緣)是中國非常有潛力的市場。” 羅鎮(zhèn)球分析道:

·市場基礎(chǔ)好: 中國擁有龐大的人口基數(shù),且用戶熱衷于嘗試新的App和應(yīng)用場景。

·技術(shù)組合靈活: 通過超低功耗技術(shù)、下一代嵌入式存儲(RRAM/MRAM)以及射頻(RF)技術(shù)的組合,可以開發(fā)出極具競爭力的端側(cè)產(chǎn)品。

他總結(jié)道,注重端側(cè)產(chǎn)品的開發(fā),覆蓋端側(cè)推理,是短期內(nèi)能夠“開花結(jié)果”并推動AI落地的最佳路徑。


對“泛國產(chǎn)替代”的思考:篤信市場經(jīng)濟

針對當前行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)的“泛國產(chǎn)替代”趨勢,羅鎮(zhèn)球強調(diào),制造工廠的核心競爭力在于基礎(chǔ)設(shè)施、企業(yè)文化、精細度與勤懇度。臺積電將繼續(xù)致力于為客戶提供最高效的服務(wù)。

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