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[導(dǎo)讀]全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設(shè)正迎來爆發(fā)式增長,設(shè)備算力密度與能源消耗規(guī)模同步攀升。隨著綠色能源轉(zhuǎn)型進程的不斷深化,數(shù)據(jù)中心作為數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展的核心基礎(chǔ)設(shè)施,其規(guī)?;季峙c升級需求日益凸顯,對供電系統(tǒng)的能效、穩(wěn)定性與智能化水平也提出了更高要求。

賦能智算升級|基于極海G32R501實時控制DSP/MCU的AI服務(wù)器電源應(yīng)用方案

全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設(shè)正迎來爆發(fā)式增長,設(shè)備算力密度與能源消耗規(guī)模同步攀升。隨著綠色能源轉(zhuǎn)型進程的不斷深化,數(shù)據(jù)中心作為數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展的核心基礎(chǔ)設(shè)施,其規(guī)?;季峙c升級需求日益凸顯,對供電系統(tǒng)的能效、穩(wěn)定性與智能化水平也提出了更高要求。

在此背景下,AI服務(wù)器電源(PSU)已從傳統(tǒng)意義上的供電單元,演變?yōu)轵?qū)動“瓦特”到“比特”高效轉(zhuǎn)換的智能中樞。其核心使命是通過最優(yōu)能效管理與智能動態(tài)調(diào)控,最大化發(fā)揮每度電所產(chǎn)生的有效算力,這不僅直接關(guān)乎數(shù)據(jù)中心的運營成本,更是衡量整體效能與競爭力的關(guān)鍵指標。

G32R501實時控制DSP/MCU

賦能AI服務(wù)器電源應(yīng)用能效升級

2025年80 PLUS® 新增Ruby(紅寶石)能效等級標準,這將加速AI服務(wù)器電源的性能變革,其核心在于電源轉(zhuǎn)化效率和功率密度的全面升級。

核心
指標
傳統(tǒng)電源
(2020年前)
2025 AI電源
(Ruby標準)
提升幅度
行標/規(guī)范參考
轉(zhuǎn)換
效率
峰值 94%-96%
輕載85%
峰值 97.5%-98%
輕載≥90%
能耗降低
20%
80 PLUS Ruby
GB20943-2025(擬)
功率
密度
32-40W/in3
(3kW-5.5kW/1U)
70-100W/in3
(8kW-12kW/1U)
密度提升75%-212%
OCP ORv3
CRPS

極海G32R501實時控制DSP/MCU,具備高效運算、實時控制與智能能效管理等優(yōu)勢,完美適用于AI服務(wù)器電源應(yīng)用,通過G32R501單芯片結(jié)合三相交錯圖騰柱PFC及LLC諧振變換器拓撲,實現(xiàn)全功率段的高效運行與高功率因數(shù)輸出,不僅能為AI服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度的優(yōu)化升級提供核心技術(shù)支撐,更能助力客戶電源產(chǎn)品達到80 PLUS® Ruby能效標準。

采用G32R501的AI服務(wù)器電源—核心應(yīng)用優(yōu)勢

單芯片
高算力控制
  • 采用G32R501實時控制DSP/MCU,最高主頻250MHz,提供多路交錯電流環(huán)路控制所需的高算力
  • 單芯片即可完成前后級PFC+LLC兩級拓撲控制,簡化系統(tǒng)控制邏輯
高集成
模塊化設(shè)計
  • 內(nèi)置150ps高分辨率PWM通道和比較器(COMP)模塊
  • 借助高速霍爾芯片采集電感電流,無需外部過零檢測,即可輕松實現(xiàn)圖騰柱PFC的CRM和CCM控制切換
先進第三代
半導(dǎo)體器件
  • 采用第三代半導(dǎo)體(GaN或SiC)提升電源開關(guān)頻率,減小磁性器件體積
  • 適配電源機架對AI服務(wù)器電源尺寸限制,推動PSU實現(xiàn)小型化、高效化
功率電路
采用交錯結(jié)構(gòu)
  • 功率小時,采用單支路運行,優(yōu)化功率因數(shù)與諧波性能
  • 功率大時,采用多支路交錯運行,降低電流應(yīng)力、提升電源效率
搭配平面
變壓器技術(shù)
  • 減少LLC變換器損耗與漏感
  • 增強散熱效果

采用G32R501的AI服務(wù)器電源—核心應(yīng)用架構(gòu)

G32R501實時控制DSP/MCU,可滿足兩級功率拓撲單元構(gòu)成,可滿足7kW~11kW的AI服務(wù)器電源應(yīng)用的功率需求:


  • 前級電路:采用三相交錯圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)電路,高頻橋臂選用GaN或SiC MOSFET
  • 后級電路:由兩路全橋LLC諧振變換器并聯(lián)組成,高壓側(cè)采用GaN或SiC MOSFET,低壓側(cè)選用低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET作為同步整流管
  • 配合G32R501內(nèi)置的8個12位ADC采樣通道,實時采樣電源輸入電壓、電感電流、母線電壓、輸出電壓電流
  • 輸入電源:90V~264V AC;輸出電壓:45V~58V DC;額定輸出電流:140A


AI服務(wù)器電源拓撲結(jié)構(gòu)圖

極海G32R501實時控制DSP/MCU

芯片優(yōu)勢介紹

高效運算
處理性能
  • 搭載Cortex-M52雙核架構(gòu),通過ACI功能可將自定義指令直接納入內(nèi)核處理
  • 大幅提高AI服務(wù)器電源應(yīng)用中常用濾波器、補償器、鎖相環(huán)等算法的運算速度
增強型
存儲空間
  • Flash高達640KB、SRAM高達128KB
  • 可靈活配置為零等待訪問周期ITCM和DTCM
實時精準控制
  • 16個150ps高分辨率PWM通道,滿足電源應(yīng)用高精度周期、占空比、開關(guān)頻率、移相或死區(qū)的高分辨率控制要求
  • 4個可編程邏輯單元FLB,可為電源驅(qū)動提供靈活的組合邏輯或時序控制
高靈敏
信號感測
  • 7個比較器,均內(nèi)置2個12-bit DAC,支持消隱和濾波功能,可實現(xiàn)AI服務(wù)器電源的峰值電流控制、過零檢測及跳閘監(jiān)控保護
  • 3個3.45 MSPS 的12-bit高精度ADC,滿足AI服務(wù)器電源同步、低延時信號采集需求
高可靠性
  • ESD抗干擾性強,HBM>8000V,CDM>2000V,Latchup>200mA;
  • 工作溫度覆蓋-40℃~125℃,可適應(yīng)復(fù)雜工況環(huán)境;
  • 已通過IEC 61508 SIL2和AEC-Q100 Grade1認證

極海G32R501實時控制DSP/MCU,集成高精度HRPWM、COMP、CAP等豐富且靈活的IP資源,專為高精度、高功率密度電源設(shè)計,適應(yīng)各種電源拓撲、動態(tài)負載響應(yīng)及主動功率管理,助力AI服務(wù)器電源提升轉(zhuǎn)換效率和功率密度等關(guān)鍵指標上的綜合性能。未來,極海將繼續(xù)以技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新為使命,提供高性能、高可靠的芯片及解決方案,為AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和綠色能源轉(zhuǎn)型持續(xù)注入核芯動力。


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