雙橋溝道晶體管示意圖及其性能圖

研究背景

針對(duì)上述問(wèn)題，團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并制備出了超薄圍柵雙橋溝道晶體管，利用二維半導(dǎo)體材料優(yōu)秀的遷移率，和圍柵增強(qiáng)作用的特點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)電流與普通MoS₂晶體管相比提升超過(guò)400%，室溫下可達(dá)到理想的亞閾值擺幅（60mV/dec）。同時(shí)由于出色的靜電調(diào)控與較大的禁帶寬度，可有效降低漏電流。該器件驅(qū)動(dòng)電流與7疊層硅GAA晶體管可相比擬，漏電流卻只有硅器件的1.9%，降低了兩個(gè)數(shù)量級(jí)，在未來(lái)高性能低功耗晶體管技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

該項(xiàng)研究工作主要由博士生黃曉合和劉春森完成，得到了微電子學(xué)院教授張衛(wèi)的指導(dǎo)，獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金杰出青年科學(xué)基金、應(yīng)急重點(diǎn)項(xiàng)目及上海市集成電路重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)等項(xiàng)目的資助，以及復(fù)旦大學(xué)專(zhuān)用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的支持。