芯片技術(shù)包括：芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝測(cè)試、光刻機(jī)等相關(guān)設(shè)備。在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，華為海思代表著國(guó)內(nèi)最高技術(shù)，其設(shè)計(jì)的麒麟芯片已經(jīng)進(jìn)入世界前三，能夠和高通驍龍、蘋(píng)果A系列芯片相媲美，但其實(shí)也只是剛剛開(kāi)始“去美國(guó)化”。

但是芯片設(shè)計(jì)所需的EDA軟件，被歐美壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)僅有5%的市場(chǎng)份額，差距非常大。世界上最出名的三大EDA軟件公司，分別是美國(guó)的Synopsys、美國(guó)的Cadence 、西門(mén)子旗下的 Mentor Graphics 。國(guó)內(nèi)的EDA工具不全，很多只涉及到 IC 設(shè)計(jì)、布線(xiàn)、驗(yàn)證、仿真中的一部分環(huán)節(jié)。

而對(duì)于芯片制造，全球最大，技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)的芯片制造廠商，就是臺(tái)積電，臺(tái)積電現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)5nm工藝制式的量產(chǎn)，而大陸最好的芯片制造公司中芯國(guó)際，剛剛完成14nm的量產(chǎn)。從14nm到5nm需要大量的技術(shù)積累，需要突破專(zhuān)利的封鎖，這個(gè)過(guò)程是無(wú)法逾越的，必須一步一步地來(lái)。

對(duì)于光刻機(jī)，國(guó)內(nèi)光刻機(jī)企業(yè)典型代表是上海微電子，目前最高端工藝制程為90nm，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額超過(guò)80%，并且也銷(xiāo)往國(guó)外。上海微電子制造的光刻機(jī)和荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)相比，卻處于低端序列，根本無(wú)法制造手機(jī)芯片，這也是華為麒麟芯片被“卡脖子”的一大原因。目前我國(guó)的光刻機(jī)水平處于市場(chǎng)最底端，和日本都有差距，和荷蘭ASML差距則更大。芯片制造技術(shù)落后幾年，光刻機(jī)相差5代，這就是我國(guó)芯片制造領(lǐng)域的處境。

眾所周知，在中國(guó)強(qiáng)勁的崛起勢(shì)頭面前，美國(guó)使出了渾身解數(shù)。在看到一系列的打壓遏制無(wú)效后，美國(guó)又開(kāi)始出最狠的招，接連朝著中國(guó)的軟肋上揮去。我們知道盡管中國(guó)目前取得的成就是十分喜人的，但是我們也必須承認(rèn)的一點(diǎn)是，在某些方面，中國(guó)同世界先進(jìn)水平仍有一段距離。

其中說(shuō)起中國(guó)的短板，芯片領(lǐng)域就是其中之一。在建國(guó)初期，中國(guó)各方面都積貧積弱，生產(chǎn)力更是低下，這也是導(dǎo)致中國(guó)在芯片等高科技領(lǐng)域落后西方國(guó)家的原因。而在中國(guó)發(fā)展起來(lái)之后，芯片發(fā)展仍然是舉步維艱，一個(gè)重要的原因就是美國(guó)的戰(zhàn)略封鎖制裁。

臺(tái)積電作為全球技術(shù)最先進(jìn)的代工廠商，幾乎拿下了全球芯片市場(chǎng)一半以上的訂單，蘋(píng)果、華為以及聯(lián)發(fā)科等，都是臺(tái)積電的客戶(hù)。

即便是能夠自主研發(fā)制造芯片的英特爾，現(xiàn)在也成為了臺(tái)積電的客戶(hù)。

在臺(tái)積電眾多客戶(hù)中，蘋(píng)果和華為最為重要，因?yàn)檫@兩者是臺(tái)積電營(yíng)收的最大貢獻(xiàn)者，還總是承擔(dān)臺(tái)積電新流片費(fèi)用，所以華為和蘋(píng)果往往能早發(fā)布上市最新的處理器。

但沒(méi)有想到的是，美國(guó)為了限制華為在5G等領(lǐng)域內(nèi)發(fā)展，不斷升級(jí)對(duì)華為的限制政策。

從禁止高通、谷歌等美國(guó)企業(yè)向華為出貨，到限制使用美國(guó)技術(shù)的芯片企業(yè)向華為出貨，雖然臺(tái)積電技術(shù)很強(qiáng)大，但也無(wú)可奈何。

華為麒麟9000成了臺(tái)積電最后的倔強(qiáng)

今年5月份，美國(guó)突然修改規(guī)則，稱(chēng)將嚴(yán)格限制華為使用美國(guó)技術(shù)研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造半導(dǎo)體芯片，這意味著臺(tái)積電想繼續(xù)代工華為芯片也難了。

因?yàn)榕_(tái)積電使用了美國(guó)技術(shù)，尤其是先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，其包含大量的美國(guó)技術(shù)，沒(méi)有這項(xiàng)設(shè)備，臺(tái)積電也無(wú)法保持技術(shù)先進(jìn)。

中國(guó)工程院院士、微電子工藝技術(shù)專(zhuān)家吳漢明表示，現(xiàn)在已進(jìn)入后摩爾時(shí)代，其最大特征是每年芯片性能的提升呈現(xiàn)出發(fā)展趨緩的態(tài)勢(shì)?！霸?002年前，每年芯片性能的提升為52%，到后面幾年變?yōu)?3%，再到2018年的3.5%，由此可見(jiàn)發(fā)展放緩是一種趨勢(shì)。在該條件下，對(duì)于始終在‘追趕’的中國(guó)集成電路而言，無(wú)疑是一個(gè)機(jī)會(huì)。”

值此機(jī)遇，吳漢明認(rèn)為有必要將后摩爾時(shí)代的特點(diǎn)進(jìn)行梳理，其中包括技術(shù)方向尚不明確、業(yè)務(wù)產(chǎn)業(yè)化、市場(chǎng)碎片化、研發(fā)經(jīng)費(fèi)較低等?！霸谡w發(fā)展中，我覺(jué)得對(duì)于我們國(guó)家而言，最大的挑戰(zhàn)還是芯片制造工藝，交叉學(xué)科特點(diǎn)也在制造范疇里體現(xiàn)得最為明顯。”

“5月6日，IBM宣布了特征線(xiàn)寬為兩個(gè)納米的芯片，可見(jiàn)集成電路技術(shù)在不斷發(fā)展，這也使得集成電路的競(jìng)爭(zhēng)成為一個(gè)非常重要的領(lǐng)域?！痹谥袊?guó)科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料學(xué)家楊德仁看來(lái)，國(guó)際集成電路中長(zhǎng)期發(fā)展將有多種挑戰(zhàn)，包括特征尺寸的物理限制;電互連信號(hào)延遲，寬帶受限;功耗密度的不斷上升。

“把硅集成電路和光電子集成起來(lái)，也就是所謂的硅基光電子，這將成為集成電路發(fā)展的一個(gè)重要方向?！睏畹氯式榻B，硅基光電子在其性能上有一系列的優(yōu)點(diǎn)，如帶寬較寬、功耗較小、基本沒(méi)有電磁干擾、體積小、接口密度大等。“也正因?yàn)檫@些優(yōu)點(diǎn)，會(huì)使得硅基光電子在今后的通訊數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、人工智能等方面具有廣泛的用途。”

美國(guó)深知只要在芯片上做文章，就能夠給予中國(guó)較大的打擊。據(jù)美國(guó)媒體最新報(bào)道稱(chēng)，日前美國(guó)就將芯片視作為打擊中國(guó)的一個(gè)有力政治武器。此前，美國(guó)就曾對(duì)荷蘭的阿斯麥公司施壓，威脅其不準(zhǔn)將EUV高端光刻機(jī)賣(mài)給中國(guó)。我們都知道，光刻機(jī)是芯片制造最核心的設(shè)備，在中國(guó)芯片制造本就舉步維艱的時(shí)候，美國(guó)這一道禁令的威力可想而知。

我國(guó)擁有非常多的優(yōu)秀半導(dǎo)體企業(yè)，在芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝和材料，設(shè)備等領(lǐng)域，都有相應(yīng)的企業(yè)。諸如華為海思、中芯國(guó)際、晶瑞股份以及上海微電子等等，均屬于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的頭部玩家。

在這些企業(yè)的開(kāi)拓下，中國(guó)芯片不斷加速進(jìn)步，去年華為發(fā)布了首款5nm麒麟9000，今年中芯國(guó)際即將在上海建設(shè)國(guó)內(nèi)第一座FinFET工藝生產(chǎn)線(xiàn)。還有清華大學(xué)也在高端EUV光刻機(jī)光源取得進(jìn)步。

國(guó)產(chǎn)芯片存在不足應(yīng)該正視并改進(jìn)，有進(jìn)步的地方也值得驕傲和自豪。正所謂不積小流，無(wú)以成江海。國(guó)產(chǎn)芯片的突破不可能一蹴而就，再多給國(guó)產(chǎn)芯片一些時(shí)間，讓技術(shù)研發(fā)，人才培養(yǎng)和企業(yè)進(jìn)步，都有足夠的發(fā)展空間。

只有打好產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)，才能進(jìn)一步提升芯片產(chǎn)能，到時(shí)候國(guó)產(chǎn)芯片的現(xiàn)狀必將是自強(qiáng)不息。