EPC9016開發(fā)板內(nèi)含40 V增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)，是一種25 A最大輸出電流并采用并聯(lián)配置的電路設(shè)計(jì)，可提高電流能力達(dá)67%，其最優(yōu)版圖技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC9016采用半橋式配置的開發(fā)板，專為采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的大電流、高降壓比、降壓中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)應(yīng)用而設(shè)。與采用單一高側(cè)(控制)場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，我們并聯(lián)了兩個(gè)低側(cè)(同步整流器)場(chǎng)效應(yīng)晶體管使得傳導(dǎo)時(shí)間更長(zhǎng)。

與硅MOSFET器件相比，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備超卓的電流共享功能，為理想的可并聯(lián)工作的晶體管。這塊開發(fā)板在最優(yōu)版圖上進(jìn)一步發(fā)揮采用超低電感封裝的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。這種最優(yōu)版圖技術(shù)提高了效率并同時(shí)降低電壓過沖及EMI。

EPC9016 開發(fā)板的最高電壓為40 V、最大輸出電流為25 A，使用半橋配置、配以EPC2015 氮化鎵晶體管及板載柵極驅(qū)動(dòng)器(LM5113)。該半橋配置含單一頂部器件及兩個(gè)并聯(lián)的底部器件，建議用于具有高降壓比例的降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器及給非隔離型通信基建使用的降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

EPC9016 開發(fā)板是塊2英寸x1.5英寸單板，板上集成了所有關(guān)鍵元件及配以最優(yōu)版圖以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。此外，電路板上還備有多個(gè)探測(cè)點(diǎn)，以便測(cè)量簡(jiǎn)單的波形及計(jì)算效率。

隨EPC9016開發(fā)板一起提供的還有一份供用戶參考和易于使用的速查指南，內(nèi)載有詳細(xì)資料。

EPC9016開發(fā)板的單價(jià)為130美元，客戶可以透過DigiKey公司在網(wǎng)上直接購買。