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1952年，謝希德麻省理工畢業(yè)后，歸國后加入復(fù)旦物理系任教授。中國半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開創(chuàng)者和奠基人，謝先生一生傳奇坎坷，被尊稱為“中國半導(dǎo)體之母”。
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半導(dǎo)體
物理學(xué)科
晶體管
晶體管最多的芯片幾乎集中在了今年下半年，我們一起來看一下都有哪些吧~阿里平頭哥倚天710 -- 600億晶體管今年10月份，阿里發(fā)布了服務(wù)器級芯片--倚天710。其采用的是5nm工藝，晶體管數(shù)目達到600億，這也是迄今為...
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晶體管
芯片
倚天710
“在過去的十年中，大家都在宣告摩爾定律的死已成定局。英偉達創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛也多次表示，摩爾定律已經(jīng)失效。但事實真的如此嗎?摩爾定律已經(jīng)死了?作為鐵桿捍衛(wèi)者的Intel現(xiàn)在站出來表示摩爾定律沒死，
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摩爾定律
英特爾
晶體管
從目前的芯片制程技術(shù)上來看，1nm(納米)確實將近達到了極限!為什么這么說呢?芯片是以硅為主要材料而制造出來的，硅原子的直徑約0.23納米，再加上原子與原子之間會有間隙，每個晶胞的直徑約0.54納米(晶胞為構(gòu)成晶體的最基...
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清華大學(xué)
1nm
晶體管
8月9日，國內(nèi)科技創(chuàng)新企業(yè)壁仞科技(Birentech)正式發(fā)布了BR100系列通用計算GPU，號稱算力國內(nèi)第一，多向指標媲美甚至超越國際旗艦產(chǎn)品。
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壁仞科技
晶體管
CPU
在日常的電氣柜裝配過程中，常常會面臨費時費力的巨大煩惱。根據(jù)德國“裝配機柜4.0”研究結(jié)果，傳統(tǒng)裝配機柜過程最耗時的是規(guī)劃和安裝階段。而其中，項目規(guī)劃和電路圖構(gòu)建占據(jù)了50%以上的規(guī)劃時間;機械裝配和線束加工，更是占據(jù)了...
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魏德米勒
電氣柜
電路圖
規(guī)劃中的Intel 14代酷睿Meteor Lake處理器將采用多芯片堆疊設(shè)計，其中CPU計算單元由Intel 4nm工藝制造，核顯部分則是臺積電操刀。
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Intel
IDM
封裝
晶體管
有一天，我的老板讓我和他一起在會議室會見一些來自公共交通汽車制造商的人。他說他們的其中一個供應(yīng)商的產(chǎn)品有問題，并請求我們提供幫助
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BJT
晶體管
由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示...
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GaN
FET
熱管理
據(jù)韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。
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三星
晶體管
半導(dǎo)體
芯片
2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路的能...
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意法半導(dǎo)體
晶體管
二極管
柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關(guān)閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。
在導(dǎo)通期間，柵極控制的主要任務(wù)是對 EN 進行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...
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FET
負載開關(guān)
高端負載開關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計師的熱門選擇，適用于電池供電的便攜式設(shè)備，例如功能豐富的手機、移動GPS設(shè)備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負載開關(guān)的各個方面...
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FET
負載開關(guān)
中央處理器(central processing unit，簡稱CPU)作為計算機系統(tǒng)的運算和控制核心，是信息處理、程序運行的最終執(zhí)行單元。CPU自產(chǎn)生以來，在邏輯結(jié)構(gòu)、運行效率以及功能外延上取得了巨大發(fā)展。
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CPU
芯片
晶體管
M1、M1 Pro、M1 Max、M1 Ultra之后，蘋果終于推出了Apple Silicon自研處理器的第二代——M2。
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蘋果
M2
5nm
晶體管
世界上第1臺計算機的大小相當(dāng)于一座小房子，而現(xiàn)在指甲蓋大小的CPU的計算性能就已遠超那時。之所以會有如此翻天覆地的變化，這主要得益于單位面積上集成的晶體管數(shù)量越來越多。
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晶體管
CPU
原子彈
我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖肌Ｔ诒静┛秃捅鞠盗屑磳l(fā)布的文章中，我們將開始研究針對特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動電機的 FET 開始。
電機控制是 30V...
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電機控制
FET
關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問題，尤其是熱信息表中的那些參數(shù)，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù)，這似乎是造成很多混亂的原因。
首先，讓我們準確定義這些參數(shù)的...
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FET
熱阻抗
2022 年 4 月 21 日，加利福尼亞州圣克拉拉市——應(yīng)用材料公司推出了旨在幫助客戶利用極紫外光(EUV)繼續(xù)推進二維微縮的多項創(chuàng)新技術(shù)，并詳細介紹了業(yè)內(nèi)最廣泛的下一代三維環(huán)繞柵極晶體管制造技術(shù)的產(chǎn)品組合。
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應(yīng)用材料公司
EUV
晶體管
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
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智能功率級
LTC7050
FET
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