在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關損耗是不可接受的。由于采用了“場效應”技術，使用稱為 Power-mos 或場效應功率晶體管的開關器件，這個問題...

8月22日，A股收盤后，士蘭微發(fā)布了2022年半年度報告，公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入41.85億元，同比增長26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤5.99億元，同比增長39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈...

我們中的許多人都熟悉低功率直流電機，因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作，以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設備驅動。...

在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，您將了解有關隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅動功率的更多信息。 IGBT驅動電路的設計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅動電壓水平的確定、驅...

IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復合型結構器件，它結合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點，在電壓電流轉換，電能輸出領域用的非常多，特別是在高壓大電流領域，IGBT占主導地位，是人類控制電能，利用電能的核心半...

N 溝道 IGBT 基本上是構建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似...

所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以...

從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結果非常依賴于電路，尤其是寄...

從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結果非常依賴于電路，尤其是寄...

IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓 的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在...