下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國(guó)際大廠攻勢(shì)凌厲
[導(dǎo)讀]期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場(chǎng)戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics)宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問(wèn)世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對(duì)PC、消費(fèi)性電子和通訊市場(chǎng)使
期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場(chǎng)戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics)宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問(wèn)世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對(duì)PC、消費(fèi)性電子和通訊市場(chǎng)使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達(dá)128Mb，隨著國(guó)際大廠接連發(fā)動(dòng)攻勢(shì)，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場(chǎng)一夕之間熱了起來(lái)！
全球相變化內(nèi)存分為3大陣營(yíng)，包括恒憶／英特爾(Intel)、三星、旺宏／IBM，三星日前推出主攻智能型手機(jī)MCP應(yīng)用的PRAM，以及恒憶的PCM產(chǎn)品等，雖然PRAM、PCM等產(chǎn)品的名稱相異，但屬于相變化內(nèi)存技術(shù)。
相較于三星宣布相變化內(nèi)存新產(chǎn)品在初期要瞄準(zhǔn)手機(jī)MCP市場(chǎng)，恒憶則是成立全新的品牌Omneo，特別為需要量身訂做的客戶來(lái)服務(wù)，應(yīng)用范圍不局限于手機(jī)，包含有線及無(wú)線通信、消費(fèi)電子產(chǎn)品、PC和嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品等。
恒憶不但看好相變化內(nèi)存是1988年閃存問(wèn)世以來(lái)，下一代接棒的新內(nèi)存明日之星，也認(rèn)為這次推出的新PCM產(chǎn)品可較現(xiàn)有的閃存寫入速度快300倍，并可同時(shí)支持序列式閃存(SerialNORFlash)和并列式閃存(Pa!rallelNORFlash)界面。
恒憶的第1款PCM產(chǎn)品是在2008年12月推出，支持10萬(wàn)次的耐寫次數(shù)，這次推出的第2款新產(chǎn)品是采用90奈米制程生產(chǎn)，容量可達(dá)128Mb，耐寫次數(shù)更提高到100萬(wàn)次，目前恒憶的Omneo品牌產(chǎn)品已大量供貨。
恒憶副總裁暨嵌入式業(yè)務(wù)部總經(jīng)理GlenHawk則表示，目前設(shè)計(jì)工程師必須使用不同類型的內(nèi)存以進(jìn)行編碼儲(chǔ)存、執(zhí)行以及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存應(yīng)用，新PCM產(chǎn)品可讓設(shè)計(jì)過(guò)程更簡(jiǎn)單化。
相變化內(nèi)存是現(xiàn)在各種下世代內(nèi)存中，最被看好的一種，同時(shí)也因英特爾、三星等大廠力推，2010年開始逐漸導(dǎo)入終端應(yīng)用，此款內(nèi)存的材料是鍺硒銻GST，兼具DRAM和NANDFlash內(nèi)存的優(yōu)缺點(diǎn)，雖然2010年開始用于終端市場(chǎng)，但穩(wěn)定=仍需進(jìn)一步觀察。
此外，美光(Micron)正式完成與恒憶的購(gòu)并程序后，也順勢(shì)加入下世代內(nèi)存技術(shù)大戰(zhàn)，在美光獲得相變化內(nèi)存技術(shù)后，可增加美光在消費(fèi)性電子、手機(jī)等應(yīng)用上內(nèi)存的研發(fā)實(shí)力。
全球相變化內(nèi)存分為3大陣營(yíng)，包括恒憶／英特爾(Intel)、三星、旺宏／IBM，三星日前推出主攻智能型手機(jī)MCP應(yīng)用的PRAM，以及恒憶的PCM產(chǎn)品等，雖然PRAM、PCM等產(chǎn)品的名稱相異，但屬于相變化內(nèi)存技術(shù)。
相較于三星宣布相變化內(nèi)存新產(chǎn)品在初期要瞄準(zhǔn)手機(jī)MCP市場(chǎng)，恒憶則是成立全新的品牌Omneo，特別為需要量身訂做的客戶來(lái)服務(wù)，應(yīng)用范圍不局限于手機(jī)，包含有線及無(wú)線通信、消費(fèi)電子產(chǎn)品、PC和嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品等。
恒憶不但看好相變化內(nèi)存是1988年閃存問(wèn)世以來(lái)，下一代接棒的新內(nèi)存明日之星，也認(rèn)為這次推出的新PCM產(chǎn)品可較現(xiàn)有的閃存寫入速度快300倍，并可同時(shí)支持序列式閃存(SerialNORFlash)和并列式閃存(Pa!rallelNORFlash)界面。
恒憶的第1款PCM產(chǎn)品是在2008年12月推出，支持10萬(wàn)次的耐寫次數(shù)，這次推出的第2款新產(chǎn)品是采用90奈米制程生產(chǎn)，容量可達(dá)128Mb，耐寫次數(shù)更提高到100萬(wàn)次，目前恒憶的Omneo品牌產(chǎn)品已大量供貨。
恒憶副總裁暨嵌入式業(yè)務(wù)部總經(jīng)理GlenHawk則表示，目前設(shè)計(jì)工程師必須使用不同類型的內(nèi)存以進(jìn)行編碼儲(chǔ)存、執(zhí)行以及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存應(yīng)用，新PCM產(chǎn)品可讓設(shè)計(jì)過(guò)程更簡(jiǎn)單化。
相變化內(nèi)存是現(xiàn)在各種下世代內(nèi)存中，最被看好的一種，同時(shí)也因英特爾、三星等大廠力推，2010年開始逐漸導(dǎo)入終端應(yīng)用，此款內(nèi)存的材料是鍺硒銻GST，兼具DRAM和NANDFlash內(nèi)存的優(yōu)缺點(diǎn)，雖然2010年開始用于終端市場(chǎng)，但穩(wěn)定=仍需進(jìn)一步觀察。
此外，美光(Micron)正式完成與恒憶的購(gòu)并程序后，也順勢(shì)加入下世代內(nèi)存技術(shù)大戰(zhàn)，在美光獲得相變化內(nèi)存技術(shù)后，可增加美光在消費(fèi)性電子、手機(jī)等應(yīng)用上內(nèi)存的研發(fā)實(shí)力。
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