[導讀]臺積電宣布，2010年資本支出總額上調至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導體產業(yè)內的闊綽程度僅次于三星電子。臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱，臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自
臺積電宣布，2010年資本支出總額上調至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導體產業(yè)內的闊綽程度僅次于三星電子。
臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱，臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自己最核心的晶圓廠代工業(yè)務，其中79％用于65/40/28nm工藝的拓展、13％用于主流工藝、8％用于設備和研發(fā)支出，剩余1億美元則用于太陽能、LED等新興業(yè)務。
臺積電的第三座12英寸(300毫米)晶圓廠Fab15已于近期正式破土動工，F(xiàn)ab12第五階段和Fab14第四階段的擴建也即將完成。這些12寸廠將成為臺積電的主心骨。
張仲謀還說，臺積電預計半導體產業(yè)和代工業(yè)今年會分別增長30％、40％，高于此前估計的22％、36％。
根據(jù)最新財報，臺積電今年第二季度(截至2010.6.30)總收入1049.6億新臺幣(222.5億元人民幣)，凈利潤402.8億新臺幣(85.4億元人民幣)，攤薄每股收益1.55新臺幣(0.33元人民幣)，分別同比增長41.4％、64.8％，環(huán)比增長13.9％、19.7％，同時毛利率49.5％、運營利率38.6％、凈利率38.4％。
臺積電預計第三季度收入1090-1110億新臺幣，比此前預計的提高了4-6％，毛利率48-50％，運營利潤36-38％。
在臺積電的各種制造工藝中，150nm或更老工藝的比例仍有28％，相比上個季度只減少了一個百分點，130/110nm、90/80nm、65/55nm則都保持不不變，仍為13％、16％、27％，而最新的40nm工藝增速減緩，只提高了一個百分點達到16％，不過新工藝的收入卻環(huán)比增加了30％，高于整體水平。
臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱，臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自己最核心的晶圓廠代工業(yè)務，其中79％用于65/40/28nm工藝的拓展、13％用于主流工藝、8％用于設備和研發(fā)支出，剩余1億美元則用于太陽能、LED等新興業(yè)務。
臺積電的第三座12英寸(300毫米)晶圓廠Fab15已于近期正式破土動工，F(xiàn)ab12第五階段和Fab14第四階段的擴建也即將完成。這些12寸廠將成為臺積電的主心骨。
張仲謀還說，臺積電預計半導體產業(yè)和代工業(yè)今年會分別增長30％、40％，高于此前估計的22％、36％。
根據(jù)最新財報，臺積電今年第二季度(截至2010.6.30)總收入1049.6億新臺幣(222.5億元人民幣)，凈利潤402.8億新臺幣(85.4億元人民幣)，攤薄每股收益1.55新臺幣(0.33元人民幣)，分別同比增長41.4％、64.8％，環(huán)比增長13.9％、19.7％，同時毛利率49.5％、運營利率38.6％、凈利率38.4％。
臺積電預計第三季度收入1090-1110億新臺幣，比此前預計的提高了4-6％，毛利率48-50％，運營利潤36-38％。
在臺積電的各種制造工藝中，150nm或更老工藝的比例仍有28％，相比上個季度只減少了一個百分點，130/110nm、90/80nm、65/55nm則都保持不不變，仍為13％、16％、27％，而最新的40nm工藝增速減緩，只提高了一個百分點達到16％，不過新工藝的收入卻環(huán)比增加了30％，高于整體水平。
| Q1 2009 | Q2 2009 | Q3 2009 | Q4 2009 | Q1 2010 | Q2 2010 | |
| 150nm+ | 35% | 35% | 33% | 30% | 29% | [!--empirenews.page--]28% |
| 130/110nm | 16.66% | 13% | 14% | 15% | 13% | 13% |
| 90/80nm | 25% | 23% | 18% | 16% | 17% | 16% |
| 65/55nm | 23% | 28% | [!--empirenews.page--]31% | 30% | 27% | 27% |
| 40nm | 0.33% | 1% | 4% | 9% | 14% | 16% |
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關鍵字： 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指
