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臺(tái)積電年投資59億美元 闊綽度僅次于三星

時(shí)間：2010-08-02 11:04:54
關(guān)鍵字： 三星    臺(tái)積電    FAB    晶圓廠   
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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電宣布，2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張仲謀在投資者會(huì)議上稱，臺(tái)積電計(jì)劃將投資總額中的58億美元用于自

臺(tái)積電宣布，2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。

臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張仲謀在投資者會(huì)議上稱，臺(tái)積電計(jì)劃將投資總額中的58億美元用于自己最核心的晶圓廠代工業(yè)務(wù)，其中79％用于65/40/28nm工藝的拓展、13％用于主流工藝、8％用于設(shè)備和研發(fā)支出，剩余1億美元?jiǎng)t用于太陽(yáng)能、LED等新興業(yè)務(wù)。

臺(tái)積電的第三座12英寸(300毫米)晶圓廠Fab15已于近期正式破土動(dòng)工，F(xiàn)ab12第五階段和Fab14第四階段的擴(kuò)建也即將完成。這些12寸廠將成為臺(tái)積電的主心骨。

張仲謀還說(shuō)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和代工業(yè)今年會(huì)分別增長(zhǎng)30％、40％，高于此前估計(jì)的22％、36％。

根據(jù)最新財(cái)報(bào)，臺(tái)積電今年第二季度(截至2010.6.30)總收入1049.6億新臺(tái)幣(222.5億元人民幣)，凈利潤(rùn)402.8億新臺(tái)幣(85.4億元人民幣)，攤薄每股收益1.55新臺(tái)幣(0.33元人民幣)，分別同比增長(zhǎng)41.4％、64.8％，環(huán)比增長(zhǎng)13.9％、19.7％，同時(shí)毛利率49.5％、運(yùn)營(yíng)利率38.6％、凈利率38.4％。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)第三季度收入1090-1110億新臺(tái)幣，比此前預(yù)計(jì)的提高了4-6％，毛利率48-50％，運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)36-38％。

在臺(tái)積電的各種制造工藝中，150nm或更老工藝的比例仍有28％，相比上個(gè)季度只減少了一個(gè)百分點(diǎn)，130/110nm、90/80nm、65/55nm則都保持不不變，仍為13％、16％、27％，而最新的40nm工藝增速減緩，只提高了一個(gè)百分點(diǎn)達(dá)到16％，不過(guò)新工藝的收入?yún)s環(huán)比增加了30％，高于整體水平。

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　 Q1 2009 Q2 2009 Q3 2009 Q4 2009 Q1 2010 Q2 2010
150nm+ 35% 35% 33% 30% 29%28%
130/110nm 16.66% 13% 14% 15% 13% 13%
90/80nm 25% 23% 18% 16% 17% 16%
65/55nm 23% 28%31% 30% 27% 27%
40nm 0.33% 1% 4% 9% 14% 16%

來(lái)源：驅(qū)動(dòng)之家

作者：zhaobin

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