28奈米(nm)先進(jìn)制程將為臺(tái)積電2012年?duì)I收成長(zhǎng)新亮點(diǎn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀在第三季法說(shuō)會(huì)中表示，28奈米制程需求持續(xù)勁揚(yáng)，將為臺(tái)積電挹注大量營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能，至2012年底28奈米營(yíng)收可望占總體10%以上，為臺(tái)積電引來(lái)“春燕”。
張忠謀指出，2011年在歐美債信危機(jī)及日本311大地震沖擊供應(yīng)鏈常態(tài)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率已從年初預(yù)估的5%一路下砍到1%；而晶圓代工也僅有4%。然而，隨著第四季末全球半導(dǎo)體庫(kù)存消化觸及終點(diǎn)，需求可望反彈而啟動(dòng)新循環(huán)，故明年仍看好有3～5%的成長(zhǎng)空間。事實(shí)上，以臺(tái)積電為例，因第三季庫(kù)存調(diào)節(jié)力道強(qiáng)勁，庫(kù)存天數(shù)(DoI)已從53天降至45天的正常水位，產(chǎn)能利用率已見(jiàn)回升跡象。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀指出，臺(tái)積電在太陽(yáng)能及LED方面也持續(xù)投資新技術(shù)，未來(lái)若市場(chǎng)需求走揚(yáng)，也將投入大筆資金擴(kuò)充產(chǎn)能。
除供應(yīng)鏈需求可望復(fù)蘇，在行動(dòng)裝置出貨量持續(xù)暴漲之下，更激勵(lì)晶片商加碼投資28奈米制程晶片。張忠謀透露，截至第三季為止，28奈米制程已占臺(tái)積電總營(yíng)收0.5%，預(yù)估年底占比將可再提升至2%，而明年經(jīng)過(guò)一整年的沖刺后，也可望達(dá)成總營(yíng)收占比一成以上的亮眼佳績(jī)。

張忠謀進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電28奈米的成長(zhǎng)曲線的確比先前40奈米跑得更快，尤其在技術(shù)優(yōu)于其他同業(yè)之下，目前28奈米產(chǎn)線幾近滿載，且明年庫(kù)存消化完畢后需求反彈，更將挹注大量營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能；故樂(lè)觀來(lái)看，臺(tái)積電明年成長(zhǎng)將優(yōu)于全球半導(dǎo)體3～5%成長(zhǎng)率幾個(gè)百分點(diǎn)。不過(guò)，他也提醒，由于第一季通常被視為淡季，故要到3、4月后才能看到較明顯的景氣回溫態(tài)勢(shì)。

張忠謀表示，今年第四季臺(tái)積電的產(chǎn)能利用率及毛利率將雙雙回升，因而更有信心擴(kuò)張28奈米產(chǎn)能，明年3月后，位于臺(tái)中的Fab15廠即會(huì)與目前的Fab12廠共同承接28奈米訂單，預(yù)計(jì)明年底Fab15廠的月產(chǎn)能將擴(kuò)充達(dá)2.4萬(wàn)片12寸約當(dāng)晶圓，撐大臺(tái)積電28奈米訂單吞吐量。

另一方面，臺(tái)積電在與安謀國(guó)際(ARM)攜手完成首件采用20奈米制程生產(chǎn)的Cortex-A15處理器設(shè)計(jì)定案(Tape Out)后，對(duì)于20奈米制程于2013年正式邁入量產(chǎn)的進(jìn)度也深具信心，等同于宣告臺(tái)積電未來(lái)在先進(jìn)制程技術(shù)上仍持續(xù)居于領(lǐng)先地位。

張忠謀更透露，臺(tái)積電瞄準(zhǔn)未來(lái)三維晶片(3D IC)的矽穿孔(TSV)制程亦已展開(kāi)緊鑼密鼓的布局，并計(jì)劃打造名為CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)的整套TSV流程，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、晶片基板鍵合(Chip on Substrate)及晶片封測(cè)等技術(shù)，將各種邏輯和記憶體晶片精準(zhǔn)疊合。

據(jù)了解，該計(jì)劃目前除已與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)業(yè)者談好合作方案，后續(xù)針對(duì)各個(gè)技術(shù)流程的設(shè)備投資亦已箭在弦上。