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[導(dǎo)讀]3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆棧需求,TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測(cè)廠負(fù)責(zé)。后段則是封裝測(cè)試制程,包括晶圓切割、芯片堆棧、覆晶、覆晶強(qiáng)化(Underfill)、高分子封模(Molding)、雷射印碼等。

在芯片堆棧技術(shù)中,有晶圓-晶圓堆棧(Wafer-to-Wafer Stacking)、芯片-晶圓堆棧(Die-to-Wafer Stacking)、芯片-芯片堆棧(Die-to-Die Stacking)等3種。透過(guò)薄化TSV芯片堆棧將可充分利用厚度方向優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)高傳輸速度、芯片級(jí)微型化封裝,滿足可攜式電子產(chǎn)品輕、薄趨勢(shì)。(李洵穎)



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