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宏力推出客戶定制嵌入式閃存IP設(shè)計服務(wù)

時間：2010-04-08 09:19:34

關(guān)鍵字： IP設(shè)計嵌入式閃存微米 Flash

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[導(dǎo)讀]上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，開發(fā)了其針對不同應(yīng)用的多樣化設(shè)計方案?；谠撛O(shè)計方案，客戶可在宏力半導(dǎo)體經(jīng)過硅驗證的技術(shù)平臺上進行設(shè)計，從而更為有

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，開發(fā)了其針對不同應(yīng)用的多樣化設(shè)計方案?；谠撛O(shè)計方案，客戶可在宏力半導(dǎo)體經(jīng)過硅驗證的技術(shù)平臺上進行設(shè)計，從而更為有效，同時減少風(fēng)險。

豐富的高性能、通過硅驗證的IP模塊系列，對客戶現(xiàn)有的IC設(shè)計起到了優(yōu)勢互補的作用。該系列可提供各種混合信號IP，內(nèi)嵌ESD保護電路的高性能IO，以及嵌入式閃存IP模塊 (包括BIST和flash macros等)。

宏力半導(dǎo)體是唯一一家由SST授權(quán)擁有0.25-0.13微米系列SuperFlash ®技術(shù)、包括設(shè)計和生產(chǎn)服務(wù)的晶圓代工廠。其最新的設(shè)計成果是通過閃存 IP的硅片結(jié)果驗證了0.13微米基于SST自對準(zhǔn)分裂柵單元。該器件性能卓越，可重復(fù)擦寫10萬次以上，數(shù)據(jù)可保留100年。宏力半導(dǎo)體的閃存IP具有低功耗、可快速編程擦除、以及設(shè)計靈活、面積小的等特點。IP擴展度高達16M bit，適用高端和低端不同嵌入式系統(tǒng)的需求，包括智能卡，汽車系統(tǒng)等。

“宏力已經(jīng)建立了一支擁有閃存 IP 設(shè)計專家的團隊，而此次硅驗證的數(shù)據(jù)很好地證明了這支團隊的杰出設(shè)計能力。這次0.13微米閃存芯片的IP取得如此之好的測試結(jié)果，遠遠超出我們的預(yù)期。在這次成功的基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)拓寬宏力半導(dǎo)體的0.18微米和0.13微米的Flash IP系列?！焙炅Π雽?dǎo)體銷售市場服務(wù)單位資深副總Peter Weigand表示，“除了我們現(xiàn)有眾多的IP設(shè)計模塊，宏力現(xiàn)在還能為客戶提供快速、靈活的定制服務(wù)，以滿足嵌入式閃存的應(yīng)用需求，從而提高客戶產(chǎn)品的競爭力，并降低設(shè)計風(fēng)險?！?/FONT>

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關(guān)鍵字： Flash 存儲器嵌入式系統(tǒng)

[美通社全球TMT]

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（全球TMT2022年6月28日訊）浪潮存儲基于大量的NAND測試數(shù)據(jù)，在反復(fù)探索和實踐推理過程中發(fā)現(xiàn)了企業(yè)級固體硬盤普遍面臨三個挑戰(zhàn)：首先，NAND特性會影響數(shù)據(jù)的可靠性。例如NAND中未寫滿數(shù)據(jù)的塊因數(shù)據(jù)保...

關(guān)鍵字： NAND 閃存盤電壓 Flash

[產(chǎn)業(yè)新聞]

啟方半導(dǎo)體適用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)

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關(guān)鍵字：微米功率半導(dǎo)體高壓

[美通社全球TMT]

啟方半導(dǎo)體0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)

（全球TMT2022年2月28日訊）韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號控...

關(guān)鍵字：微米高壓半導(dǎo)體

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摘要：為解決實驗室某些海洋觀測類IO設(shè)備價格昂貴、體積較大、數(shù)量較少的問題，文中設(shè)計了一款I(lǐng)O設(shè)備模擬器。IO模擬器是一款模擬IO設(shè)備指令與相應(yīng)響應(yīng)的模塊，系統(tǒng)以STM32F103為主控制器件，將Keil MDK-AR...

關(guān)鍵字：模擬器 STM32 Flash 設(shè)備學(xué)習(xí)

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關(guān)鍵字： Flash 嵌入式