IDT與臺(tái)積電(TSMC)日前簽署制造協(xié)議,將其位于美國(guó)奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造移轉(zhuǎn)給臺(tái)積電。此項(xiàng)協(xié)議預(yù)計(jì)在兩年內(nèi)完成所有產(chǎn)品的移轉(zhuǎn),目前已獲得雙方公司與IDT董事會(huì)的同意。
IDT全球制造副總經(jīng)理Mike Hunter表示:“過去一年來,我們已逐漸轉(zhuǎn)型為專為通訊、計(jì)算機(jī)與消費(fèi)性電子市場(chǎng)開發(fā)特定應(yīng)用解決方案的公司。與臺(tái)積電達(dá)成的協(xié)議讓我們能充分利用臺(tái)積電各個(gè)制程世代的技術(shù)。此項(xiàng)協(xié)議將我們的系統(tǒng)專業(yè)及架構(gòu)與臺(tái)積電的技術(shù)平臺(tái)結(jié)合,拓展我們?cè)谌虻闹圃炷芰?,也正式開啟了IDT從輕晶圓廠模式(fab-lite)轉(zhuǎn)型到無晶圓廠制造模式(fabless)的過程”。
IDT總經(jīng)理暨總執(zhí)行長(zhǎng)Ted Tewksbury表示:“轉(zhuǎn)型為專業(yè)IC設(shè)計(jì)公司并將制造委托給產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商,讓我們可以充分發(fā)揮產(chǎn)品定義與設(shè)計(jì)創(chuàng)新的長(zhǎng)處,集中所有資源與投資于發(fā)展各式創(chuàng)新產(chǎn)品上。而采用更先進(jìn)制程,提升產(chǎn)品到更高速度、復(fù)雜度與整合度水準(zhǔn)的創(chuàng)舉,是IDT混合訊號(hào)策略(mixed-signal strategy)的重要推手”。
協(xié)議指出,IDT將在接下來的兩年內(nèi),將目前正在美國(guó)奧瑞岡州Fab 4生產(chǎn)的0.13微米及以上的制程及產(chǎn)品,移轉(zhuǎn)至臺(tái)積電生產(chǎn),至于其制程設(shè)備與廠房則不包括在內(nèi)。IDT公司計(jì)劃在移轉(zhuǎn)完成之后關(guān)閉這座晶圓廠,并已聘請(qǐng)第三人在市場(chǎng)上征求可能的買者。
臺(tái)積電北美子公司總經(jīng)理Rick Cassidy表示:“IDT一直是我們非常重視的客戶,我們將與IDT密切配合,以確保移轉(zhuǎn)過程能夠順利完成?!?/FONT>
本篇主要講了BLE的Link Layer,包括鏈路層定義的角色和狀態(tài),空中接口數(shù)據(jù)包的通信格式以及各個(gè)字段的含義,方便我們?nèi)シ治鯨OG和定位問題。
關(guān)鍵字: BLE 鏈路層 數(shù)據(jù)包臺(tái)積電(TSMC)宣布將全年資本支出下調(diào)至360億美元,這也是繼三個(gè)月前第一次下修后,再一次下調(diào)資本支出預(yù)測(cè),降幅約兩成,被市場(chǎng)視為半導(dǎo)體市場(chǎng)放緩的重要訊號(hào)。此前預(yù)估的2022年資本支出目標(biāo)400億至440億美元。臺(tái)積電...
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