10月5日訊當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(10月4日)，美國(guó)最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布，公司計(jì)劃在紐約州中部打造一個(gè)巨型晶圓廠，以促進(jìn)在美存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。

半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”，后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊。預(yù)期客戶端于第四季度到明年第一季度將調(diào)整庫(kù)存。有部分硅晶圓廠商已同意一些下游長(zhǎng)約客戶的要求，可延后拉貨時(shí)程，但...

愛(ài)思開(kāi)海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開(kāi)工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深...

數(shù)個(gè)月前，英特爾宣布將斥資 200 億美元在俄亥俄州建造兩座先進(jìn)制程晶圓廠，并表示其投資“在未來(lái)十年內(nèi)可能增長(zhǎng)到高達(dá) 1000 億美元”，但這部分取決于關(guān)于聯(lián)邦的芯片補(bǔ)貼。由于此前美國(guó)芯片法案遲遲未能獲得通過(guò)，英特爾在6...

據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo)，為制造制程更先進(jìn)、耗電更少的芯片，往往制造需要大量的電力。光刻機(jī)巨頭ASML最先進(jìn)極紫外(EUV)光刻機(jī)，每臺(tái)預(yù)估耗電1MW(megawatt，百萬(wàn)瓦)，約為前幾代設(shè)備的10 倍，加上制造先進(jìn)制程芯片還沒(méi)有...

9月20日，SEG Solar宣布將在美國(guó)德克薩斯州休斯頓建立光伏組件制造工廠，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將超過(guò)2GW。工廠將于2022年底開(kāi)工建設(shè)，并于2023年中全面投入使用。工廠將配備三條先進(jìn)生產(chǎn)線，能夠生產(chǎn)使用182毫米或210...

Jul. 7, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，晶圓代工廠浮現(xiàn)砍單浪潮，首波訂單修正來(lái)自大尺寸Driver IC及TDDI，兩者主流制程分別為0.1Xμm及55nm。盡管先前在MCU、PMIC等產(chǎn)...

臺(tái)積電在美國(guó)建設(shè)的5nm晶圓廠日前取得了重要進(jìn)展，位于美國(guó)亞利桑那州的Fab 21工廠舉行了上梁典禮。

在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國(guó)本土投資200億美元建設(shè)2座先進(jìn)工藝晶圓廠是非常關(guān)鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因?yàn)槊绹?guó)官方的520億美元芯片補(bǔ)貼法案還沒(méi)通過(guò)，不過(guò)現(xiàn)在消息稱Intel已經(jīng)得到了補(bǔ)貼...

據(jù)韓國(guó)媒體《中央日?qǐng)?bào)》6月19日?qǐng)?bào)導(dǎo)，數(shù)名業(yè)界人士批評(píng)稱，韓國(guó)政府的官僚制度拖慢本土半導(dǎo)體建廠速度，其他國(guó)家和地區(qū)只需3年不到就能建好一座晶圓廠，而在韓國(guó)卻要花上數(shù)年時(shí)間等待政府批準(zhǔn)，建廠速度明顯落后。這對(duì)韓國(guó)的科技競(jìng)爭(zhēng)...