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[導(dǎo)讀] 臺積電(TSMC)內(nèi)存市場布局再傳捷報!臺積電與微軟(Microsoft)共同宣布,未來將采用臺積電90納米(eDRAM)制程生產(chǎn)Xbox360繪圖芯片內(nèi)建內(nèi)存,這也代表,臺積電擊潰日本NEC,自代工Xbox360繪圖芯片與北橋后,再度攻下

    臺積電(TSMC)內(nèi)存市場布局再傳捷報!臺積電與微軟(Microsoft)共同宣布,未來將采用臺積電90納米(eDRAM)制程生產(chǎn)Xbox360繪圖芯片內(nèi)建內(nèi)存,這也代表,臺積電擊潰日本NEC,自代工Xbox360繪圖芯片與北橋后,再度攻下一城;而顯示雙雄eDRAM訂單,臺積電則全數(shù)到手!加上聯(lián)電(UMC)也積極搶食此市場,嵌入式內(nèi)存已成為晶圓代工業(yè)者的新競爭舞臺。

    臺積電過去便曾以65納米eDRAM制程替顯示芯片大客戶恩威迪亞(NVIDIA)代工,主要是用于需要較低功耗的掌上型裝置繪圖芯片市場;而此次臺積電宣布拿下微軟Xbox360顯示芯片嵌入式內(nèi)存訂單,Xbox360顯示芯片乃由超威提供(原本供貨商為ATI,后為超威合并),因此臺積電eDRAM可說同時獲兩大繪圖芯片雙雄的青睞。   

臺積電擊潰NEC 拿下Xbox360芯片訂單

XB360芯片

    據(jù)了解,臺積電替Xbox360生產(chǎn)的顯示芯片嵌入式內(nèi)存,采90奈米制程,具備80Mb高密度宏設(shè)計和500MHz高速效能,目前已投產(chǎn)。半導(dǎo)體業(yè)者認為,由于Xbox360在競爭對手任天堂(Nitendo)Wii市場競爭壓力下,不得不降價求售,并迫使其從原本供貨商NEC轉(zhuǎn)換給成本效率較高的臺積電手中生產(chǎn),同時,臺積電過去替大客戶NVIDIA生產(chǎn)全套解決方案,也是客戶將訂單從NEC轉(zhuǎn)而青睞臺積電的主因。

    臺積電先進技術(shù)營銷處資深處長尉濟時表示,微軟Xbox360的顯示芯片采用臺積90納米eDRAM制程技術(shù),證明臺積電此一制程技術(shù)的能力與成熟度;微軟半導(dǎo)體技術(shù)部資深處長BillAdamec則說,臺積電提供的制程技術(shù)與芯片制造服務(wù),將協(xié)助微軟提升產(chǎn)品競爭力,強化微軟多媒體游戲娛樂系統(tǒng)市場地位。

    臺積電的eDRAM制程技術(shù)已開發(fā)90、65納米制程兩個世代,由于臺積電已與顯示芯片業(yè)者合作下一世代55納米制程技術(shù),預(yù)料未來臺積電的eDRAM也將順勢進入55納米制程,而NECeDRAM則已進展55納米制程,雙方差異縮小。NEC同時是微軟Xbox360及WiieDRAM的供應(yīng)晶圓廠,過去在eDRAM市場可說市占極高,但臺積電逐漸囊獲顯示芯片業(yè)者青睞,未來壓迫到NEC市占率的壓力將不斷升高。

    臺積電、聯(lián)電對于內(nèi)存市場皆不乏積極作為,臺積電預(yù)估,今年內(nèi)存占營收比重可望達個位數(shù),臺積電目前最大的內(nèi)存客戶乃是飛索(Spansion)以南科12吋廠先進制程替其量產(chǎn)NORFlash;聯(lián)電則拿下賽普拉斯(CypressSemiconductor)65納米以下SRAM訂單。而嵌入式內(nèi)存領(lǐng)域,聯(lián)電過去也曾與意法半導(dǎo)體攜手合作eDRAM,聯(lián)電董事長兼胡國強認為,未來不論是Flash、eDRAM都是SoC潮流下很重要的一環(huán)。

    小知識:

    eDRAM(增強動態(tài)隨機存儲器)是一種動態(tài)隨機內(nèi)存,其在大量的DRAM中包括了一小部分的靜態(tài)RAM(SRAM),因此許多內(nèi)存存取將會比SRAM更快。eDRAM有時當(dāng)作L1和L2型內(nèi)存并同加強同步動態(tài)DRAM一同使用,被稱為高速緩沖DRAM。eDRAM用于許多游戲平臺,包括PlayStation2、PSP、NintendoGameCube,Wii以及Xbox360。

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