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[導(dǎo)讀]NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后,積極進(jìn)行大反撲,除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外,在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整,除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外,也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NOR F

NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后,積極進(jìn)行大反撲,除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外,在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整,除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外,也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NOR Flash領(lǐng)域,這部分一直是飛索最擅長(zhǎng)同時(shí)也是成長(zhǎng)性最高的一塊市場(chǎng),包括工業(yè)領(lǐng)域、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等市場(chǎng),未來(lái)內(nèi)嵌式NOR Flash產(chǎn)品的成長(zhǎng)性相當(dāng)強(qiáng)勁。

飛索表示,除了已耕耘20年的車用NOR Flash產(chǎn)品線外,飛索也會(huì)把大量資源放在內(nèi)嵌式產(chǎn)品上,這會(huì)是未來(lái)成長(zhǎng)性最高的產(chǎn)品線,且隨著營(yíng)運(yùn)彈性化的策略徹底落實(shí),飛索在回應(yīng)市場(chǎng)變化和客戶需求上也未更快速。

全球內(nèi)嵌式NOR Flash領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)狀況也相當(dāng)激烈,過(guò)去飛索在此市場(chǎng)產(chǎn)品線相當(dāng)齊全,從16Mb~512Mb以及1Gb和2Gb等高容量產(chǎn)品線都很齊全,其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手還包括三星電子(Samsung Electronics)、恒憶(Numonyx)、超捷(SST)旺宏、華邦、Atmel等。

飛索過(guò)去營(yíng)運(yùn)包袱相當(dāng)重,主要來(lái)自于自有晶圓廠的負(fù)擔(dān),2010年飛索將日本1座12寸晶圓廠和1座8寸晶圓廠賣給德儀后,主要的生產(chǎn)重心放在位于美國(guó)德州奧斯汀的12寸廠Fab 25。

企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation強(qiáng)調(diào),未來(lái)飛索的生產(chǎn)策略上,仍是會(huì)以自有的Fab 25廠房為主,其它委外代工的對(duì)象還有德州儀器、中芯半導(dǎo)體等;在制程技術(shù)上,在Fab 25廠房方面,主要制程技術(shù)為110納米、90納米和65納米,未來(lái)仍可持續(xù)擴(kuò)產(chǎn);與德儀合作的制程技術(shù)則以110納米為主;與中芯的代工合作則是以65 納米制程為主。

再者,飛索也與爾必達(dá)(Elpida)合作NAND Flash產(chǎn)品,將以爾必達(dá)在日本廣島的12寸晶圓廠做為生產(chǎn)基地,初期從43納米切入,未來(lái)再持續(xù)導(dǎo)入32納米,雙方也宣布采用飛索MirrorBit Charge-Trapping技術(shù)的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式問(wèn)世,計(jì)劃2010年第4季試產(chǎn),在2011年第1季可步入量產(chǎn)。

整體而言,飛索在重整之后,不論是產(chǎn)品線或是生產(chǎn)制造策略上,都做了相當(dāng)大的轉(zhuǎn)變,2010年第2季也持續(xù)交出獲利成績(jī)單,加上開(kāi)始在各個(gè)產(chǎn)品在線與大廠進(jìn)行策略聯(lián)盟,飛索積極尋求轉(zhuǎn)型的過(guò)程和成果,市場(chǎng)相當(dāng)關(guān)注。

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