·使用全新硬掩膜材料技術(shù)于10納米及以下確保緊湊型薄互連的大規(guī)模圖形生成

·領(lǐng)先的物理氣相沉積技術(shù)提供多代產(chǎn)品的創(chuàng)新工具

應(yīng)用材料公司近日推出全新的Applied Endura Cirrus HTX物理氣相沉積(PVD)*系統(tǒng)，采用突破性硬掩模技術(shù)，可支持10納米及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進的硬掩模技術(shù)，從而保證緊湊、微型互連結(jié)構(gòu)的完整性。隨著這一全新技術(shù)的推出，應(yīng)用材料公司成功延續(xù)氮化鈦(TiN*，半導(dǎo)體行業(yè)的首選硬掩膜材料)金屬硬掩模，滿足未來先進微芯片銅互連圖形生成的需求。

應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Sundar Ramamurthy博士表示：“解決先進互連圖形生成的挑戰(zhàn)是金屬硬掩模精密工程領(lǐng)域的關(guān)鍵。應(yīng)用材料公司過去數(shù)十年來始終致力于將 PVD技術(shù)應(yīng)用于TiN膜工程領(lǐng)域，Cirrus HTX TiN系統(tǒng)的推出是我們的又一大創(chuàng)新力作。結(jié)合我們獨特的VHF *技術(shù)，這款新產(chǎn)品使客戶能靈活地調(diào)整TiN硬掩模的壓縮和拉伸應(yīng)力，從而克服系統(tǒng)整合方面的具體挑戰(zhàn)。”

當今的先進微芯片技術(shù)能夠?qū)?0千米長的銅線裝入100平方毫米的狹小空間內(nèi)，將其堆疊成10層，在層與層之間有多達100億個通孔或垂直互連。金屬硬掩模的作用是保持這些軟ULK *電介質(zhì)中的銅線和通孔的圖形完整性。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)TiN硬掩膜層的壓縮應(yīng)力可能會導(dǎo)致ULK薄膜中的狹窄銅線圖案變形或倒塌。以 Cirrus HTX沉積的TiN硬掩膜則提供了獨特的應(yīng)力調(diào)節(jié)功能，這一特殊性能加上良好蝕刻選擇性，實現(xiàn)優(yōu)異的的關(guān)鍵尺寸(CD) *線寬控制及通孔對準，從而提高產(chǎn)品良率。

TiN硬掩模技術(shù)的突破主要歸功于硅片生產(chǎn)中的精密材料工程，使其制造出高密度、低應(yīng)力的薄膜。在久經(jīng)市場考驗的Endura平臺上，結(jié)合了兼具膜厚度均勻性和低缺陷率，Cirrus HTX系統(tǒng)能夠滿足多互聯(lián)層圖形生成的大規(guī)模量產(chǎn)需求帶來的嚴峻挑戰(zhàn)。

應(yīng)用材料公司(納斯達克：AMAT)是半導(dǎo)體、平板顯示器和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者。我們的技術(shù)使智能手機、平板電視和太陽能面板等創(chuàng)新產(chǎn)品以更普及、更具價格優(yōu)勢的方式惠及全球商界和普通消費者。