
全球最大的裝飾燈企業(yè)在全球最大的消費(fèi)市場(chǎng)卻一直困頓不前 營(yíng)銷篇 “現(xiàn)在我有點(diǎn)怕了,不太想做銀雨的經(jīng)銷商了,即便將來(lái)再合作,我也要慎重考慮!”景德鎮(zhèn)永順安裝有限公司總經(jīng)理劉波,在電話中語(yǔ)調(diào)疲憊地告訴記者。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK&
意法半導(dǎo)體(ST)推出全新系列功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品的擊穿電壓更高,抗涌流能力更強(qiáng),電能損耗更低,特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950
雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片(亞信電子)
雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片(亞信電子)
Allegro MicroSystems 公司推出差分模擬霍爾效應(yīng)傳感器,可響應(yīng)不斷變化的磁場(chǎng)而進(jìn)行開關(guān)操作。此款新器件的 EMC 能力增強(qiáng),通過減少其外部組件數(shù)目且在某些情況下消除 PCB 模塊,將確保用戶優(yōu)化其成品傳感器模塊。元
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報(bào)告功能的新款全橋式 MOSFET 預(yù)驅(qū)動(dòng)器 IC,擴(kuò)展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝,提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓(5.5
2009年4月23日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35,新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電
前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如,為了滿足新規(guī)范,2.5W(5V,0.5A)外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%,新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW,這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源,很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品,同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例,隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多,低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問題。
前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如,為了滿足新規(guī)范,2.5W(5V,0.5A)外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%,新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW,這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源,很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品,同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例,隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多,低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問題。
前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如,為了滿足新規(guī)范,2.5W(5V,0.5A)外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%,新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW,這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源,很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品,同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例,隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多,低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問題。
臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)指出,2008年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約為1兆3743億元,較前年減少了8.1%;預(yù)估今年仍將持續(xù)受到全球景氣衰退影響,整體產(chǎn)值更將掉至兆元之內(nèi),約9845億元,年減 26.9%,其中又以IC制造業(yè)衰退33.5%最
意法半導(dǎo)體(ST)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管,導(dǎo)通電阻僅為2毫歐(最大值),新產(chǎn)品可提高計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的能效。采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET VI DeepGATE制造工藝,單元密度提高,以有效芯片尺