封裝
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雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
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差分模擬霍爾效應傳感器（Allegro）
Allegro MicroSystems 公司推出差分模擬霍爾效應傳感器，可響應不斷變化的磁場而進行開關(guān)操作。此款新器件的 EMC 能力增強，通過減少其外部組件數(shù)目且在某些情況下消除 PCB 模塊，將確保用戶優(yōu)化其成品傳感器模塊。元
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新款全橋式MOSFET預驅(qū)動器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報告功能的新款全橋式 MOSFET 預驅(qū)動器 IC，擴展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5
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Vishay推出采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
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TSIA：臺灣今年IC業(yè)產(chǎn)值跌破兆元 IC制造減33.5%幅度最大
臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)指出，2008年臺灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約為1兆3743億元，較前年減少了8.1%；預估今年仍將持續(xù)受到全球景氣衰退影響，整體產(chǎn)值更將掉至兆元之內(nèi)，約9845億元，年減 26.9%，其中又以IC制造業(yè)衰退33.5%最
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30V功率晶體管（ST）
意法半導體(ST)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管，導通電阻僅為2毫歐(最大值)，新產(chǎn)品可提高計算機、電信設(shè)備和網(wǎng)絡設(shè)備的能效。采用意法半導體最新的STripFET VI DeepGATE制造工藝，單元密度提高，以有效芯片尺
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經(jīng)I/O優(yōu)化的FPGA
隨著電池供電和功率敏感應用的急劇增長刺激了全球?qū)Φ凸陌雽w的需求，設(shè)計人員正逐漸發(fā)現(xiàn)需要采用低功耗可重編程解決方案來適應不斷演進的標準和技術(shù)；加快上市速度，并提供下一代前沿硅解決方案所需的封裝和功耗性能。對于當前采用可編程邏輯技術(shù)的設(shè)計人員來說，確定哪一種是最佳器件主要取決于功耗、性能、邏輯和I/O數(shù)量等設(shè)計約束。
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2008年全球半導體材料市場達427億美元 仍保持微增
SEMI Material Market Data Subscription (MMDS)數(shù)據(jù)顯示，2008年全球半導體材料市場較2007年基本持平，第四季度迅速放緩的全球經(jīng)濟壓制了材料市場的增長，但整個年度仍獲得微幅增長，2008年半導體材料市場為427億美
