封裝
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XCM519系列轉(zhuǎn)換器＋調(diào)整器（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社在日本東京開(kāi)發(fā)了內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的600mA 同步整流降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器和對(duì)應(yīng)低輸入電壓調(diào)整器組裝在同一封裝的XCM519 系列產(chǎn)品。XCM519 系列是在1 個(gè)封裝組件中搭載了同步整流降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器和對(duì)應(yīng)低
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XCM519系列轉(zhuǎn)換器＋調(diào)整器（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社在日本東京開(kāi)發(fā)了內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的600mA 同步整流降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器和對(duì)應(yīng)低輸入電壓調(diào)整器組裝在同一封裝的XCM519 系列產(chǎn)品。XCM519 系列是在1 個(gè)封裝組件中搭載了同步整流降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器和對(duì)應(yīng)低
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250mA LDO (Linear)
凌力爾特公司推出高可靠性 (MP) 級(jí)及具更寬溫度范圍的 LT3013 新版本，該器件是一個(gè)微功率 LDO，具有高達(dá) 80V 的輸入電壓能力。該 MP 級(jí)器件采用 TSSOP 封裝，在 -55°C 至 +125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作，具有僅為 400m
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雙路降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道電流模式 PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3509，該器件具有兩個(gè)內(nèi)部 36V、1A 電源開(kāi)關(guān)，采用 14 引線 3mm x 4mm DFN 或 MSOP-16E 封裝。每個(gè)通道能提供高達(dá) 700
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雙路降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道電流模式 PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3509，該器件具有兩個(gè)內(nèi)部 36V、1A 電源開(kāi)關(guān)，采用 14 引線 3mm x 4mm DFN 或 MSOP-16E 封裝。每個(gè)通道能提供高達(dá) 700
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八位電話通信產(chǎn)品微控制器系列（HOLTEK）
八位電話通信產(chǎn)品微控制器系列（HOLTEK）
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Atheros 以太網(wǎng)芯片出貨量突破5000 萬(wàn)
2009年2月5日，北京 — 日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體系統(tǒng)解決方案開(kāi)發(fā)商 Atheros Communications, Inc.公司(NASDAQ: ATHR) 宣布其已交付逾 5000 萬(wàn)個(gè)ETHOS 千兆與快速以太網(wǎng)芯片解決方案。Atheros 以太網(wǎng)解決方案憑借
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制造和封裝加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)二稿送審
根據(jù)信產(chǎn)部經(jīng)濟(jì)運(yùn)行司通知，上海協(xié)會(huì)上報(bào)的《超大規(guī)模集成電路芯片( 8英寸硅片) 加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)》及《集成電路加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)》兩項(xiàng)單耗標(biāo)準(zhǔn)制定計(jì)劃，經(jīng)海關(guān)總署及國(guó)家發(fā)改委批準(zhǔn)，已列為國(guó)家2006年度加工貿(mào)易
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兩款新型封裝電壓調(diào)整器（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社推出XC6415/XC6221 系列是2 種外形高度低·超小型的新型封裝電壓調(diào)整器。XC6415系列是帶ON/OFF功能的雙重式電壓調(diào)整器；XC6221系列是帶ON/OFF功能的單一式電壓調(diào)整器。每個(gè)系列都能以激光微調(diào)在
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2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip® 電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65C 到 +275C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。
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深思：2008后中國(guó)半導(dǎo)體照明業(yè)發(fā)展
第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議于12月1日到3日在廣州召開(kāi)，會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成電路分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，是國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件方面最高級(jí)別的學(xué)術(shù)會(huì)議
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堅(jiān)守：2009年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)主旋律
多事之秋的2008年再有一天就要過(guò)去了，而充滿更大風(fēng)浪的2009年馬上就要來(lái)臨。繼一波一波裁員降薪之后，全球半導(dǎo)體業(yè)仍將保持一段時(shí)間的動(dòng)蕩。相比較吃飯穿衣這些生活必需品，當(dāng)電子消費(fèi)品已經(jīng)排在了消費(fèi)者消費(fèi)清單的尾部時(shí)，銷售下滑趨勢(shì)向上游零部件的傳遞，在2009年才剛剛開(kāi)始。也就是說(shuō)，如今半導(dǎo)體零部件企業(yè)的舉措，僅僅是建立在對(duì)未來(lái)判斷的基礎(chǔ)上的，而屆時(shí)市場(chǎng)情況究竟有多糟糕，現(xiàn)在誰(shuí)也不得而知。
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業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同
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業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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