消費電子刺激半導(dǎo)體行業(yè)增長 引發(fā)新挑戰(zhàn)

NEC東金開始量產(chǎn)容量22～100μF的電容器

NEC東金宣布，將于6月內(nèi)開始量產(chǎn)去耦電容器“Proadlizer”的小型產(chǎn)品。據(jù)介紹，采用1個Proadlizer就可去除100kHz～數(shù)GHz大頻帶范圍的噪音。為應(yīng)用于平板電視，將封裝高度降到了最大2.0mm。封裝面積為9.5mm×5.5mm。

ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的「MPT6Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電

臺灣封裝業(yè)今年成長逾15％ 居半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之首

臺灣封裝產(chǎn)業(yè)在全球競爭力提升，不僅產(chǎn)值增加，臺灣封裝大廠走向高附加價值服務(wù)，脫離價格競爭激烈的中低階領(lǐng)域，使得毛利率亦逐年成長。即使大陸地區(qū)開始重視高階封裝技術(shù)，對臺灣廠商的威脅漸增，惟臺廠也加緊

意法串行EEPROM芯片采用2×3mm MLP8封裝

串行非易失性存儲器IC的廠商意法半導(dǎo)體(ST)宣布該公司存儲密度2Kbit到64Kbit的所有串行EEPROM芯片(SPI和I2C接口兩個系列)都將采用2×3mmMLP8微型封裝，與上一代的4×5mmS08N封裝相比，新封裝能夠為高端消費電子和

Avago 推出非接觸式磁性編碼器解決方案

Avago Technologies(安華高科技)今日推出能夠在惡劣環(huán)境下運作的新系列工業(yè)用緊湊型非接觸式磁性編碼器產(chǎn)品.

英特爾大連12英寸晶圓廠規(guī)劃圖(組圖)

3月26日上午消息，英特爾宣布在大連投資25億美元建立一個生產(chǎn)300毫米(12英寸)晶圓的工廠。這一工廠(英特爾Fab68號廠)是英特爾在亞洲的第一個芯片生產(chǎn)廠，此前英特爾在中國上海浦東和四川成都設(shè)有兩家封裝和測試工

PCB行業(yè)新亮點——CSP封裝基板

根據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測，2005－2010年世界的封裝載板年平均增長率為11.4%，中國增加據(jù)估計則更高達(dá)80％以上。芯片級封裝是新一代的封裝方式，是因應(yīng)電子產(chǎn)品的“輕、薄、短、小”而開發(fā)的，按照電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢，芯

英特爾大連建廠 美國政府何以放行

英特爾風(fēng)光地在人民大會堂公布了其大連項目。一番追蹤之后，媒體甚至開始解讀起它風(fēng)光背后的諸多效應(yīng)。 但是，英特爾這一舉動的意義遠(yuǎn)未得到解讀。因為，它有著遠(yuǎn)超中國半導(dǎo)體制造業(yè)一角的價值。在某種意義上，它有望

英特爾大連建廠計劃已獲美國政府批準(zhǔn)

據(jù)知情人士透露，英特爾投資25億美元在中國大連建廠計劃早已獲得了美國政府的批準(zhǔn)。該工廠預(yù)計將在2010年投產(chǎn)。 據(jù)外電報道，英特爾CEO歐德寧周一將到達(dá)北京，屆時預(yù)計將宣布這一投資計劃。此前中國政府已批準(zhǔn)英特爾

英特爾大連建廠計劃已獲美國政府批準(zhǔn)

英特爾大連建廠計劃已獲美國政府批準(zhǔn)